中芯國(guó)際和新思科技共同開發(fā)出了基于0.13微米工藝的設(shè)計(jì)參考流程2.0

    世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)軟件供應(yīng)商新思科技有限公司今天宣布其已經(jīng)和中國(guó)大陸最大的芯片代工廠中芯國(guó)際 (NYSE: SMI; SEHK: 0981.HK) 共同開發(fā)出了基于 0.13微米工藝的設(shè)計(jì)參考流程2.0。中芯國(guó)際和新思科技緊密合作，完成了從 RTL 到 GDSII 的設(shè)計(jì)流程。該流程基于新思科技的 Galaxy(TM) 設(shè)計(jì)平臺(tái)和中芯國(guó)際先進(jìn)的0.13 微米工藝，不僅解決了在0.13微米工藝設(shè)計(jì)中遇到的深亞微米設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并且縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間和良率達(dá)成時(shí)間。 
 
    中芯國(guó)際和新思科技參考流程2.0的新增功能中包含了 JupiterXT(TM) 設(shè)計(jì)布局解決方案。特別是，該方案的電源網(wǎng)絡(luò)綜合 (PNS) 與電源網(wǎng)絡(luò)分析 (PNA) 能力使得在布局階段就可進(jìn)行電源規(guī)劃設(shè)計(jì)。應(yīng)用了新思科技的 PrimeTime(R) SI，Astro-Xtalk(TM) 和 Astro-Rail(TM) 等工具，該參考流程還具有先進(jìn)的信號(hào)完整性 (SI) 和集成電路可靠性 (IR/EM) 的分析能力。這些功能解決了電遷移 (EM) 所帶來(lái)的時(shí)序和可靠性問題，避免了通常易出現(xiàn)的電源柵格和電阻增加所導(dǎo)致的電壓下降 (IR-drop) 和對(duì)地反彈等問題。最后，該流程還引入了電壓下降的分析，使得用戶可分析其對(duì)于時(shí)序、性能、功能、抗干擾性能的影響，并能夠?qū)?nbsp;IC 的可靠性進(jìn)行分析，從而找到不同問題的折中方案。 
 
    “中芯國(guó)際自2004年上半年開始為全球客戶提供0.13微米 CMOS 量產(chǎn)工藝。參考流程2.0更進(jìn)一步提供給客戶完整的、驗(yàn)證過的設(shè)計(jì)方案，包括了先進(jìn)的布局、信號(hào)完整性失效和集成電路可靠性的分析，對(duì)0.13 微米工藝的設(shè)計(jì)具有重要意義?！?nbsp;中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)處副總裁歐陽(yáng)雄（Paul Ouyang）介紹，”參考流程2.0的開發(fā)是建立在第一個(gè)版本的成功與合作的基礎(chǔ)上。我們期待在工藝持續(xù)發(fā)展的過程中和新思科技 持續(xù)保持愉快的合作關(guān)系?！?nbsp;
 
    “中芯國(guó)際和新思科技都是大唐微電子的關(guān)鍵技術(shù)合作伙伴。兩家公司合作開發(fā)的參考設(shè)計(jì)流程中新增功能可以被我們的工程師使用，幫助我們縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并加速達(dá)到預(yù)期良率。” 大唐微電子技術(shù)公司總經(jīng)理趙倫表示，“中芯國(guó)際提供的完整工藝組合，和來(lái)自新思科技驗(yàn)證過的設(shè)計(jì)方案對(duì)于實(shí)現(xiàn)我們先進(jìn)的設(shè)計(jì)需求至關(guān)重要?！?nbsp;
 
   “與中芯國(guó)際的緊密合作使我們能夠提供這個(gè)參考流程，來(lái)解決中國(guó)市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的先進(jìn)深亞微米工藝需求?！毙滤伎萍嫉膽?zhàn)略市場(chǎng)開發(fā)副總裁 Rich Goldman 表示， “新思科技 會(huì)繼續(xù)與中芯國(guó)際合作，幫助他們的客戶應(yīng)用經(jīng)過驗(yàn)證的設(shè)計(jì)流程，來(lái)縮短完成復(fù)雜的 IC 及系統(tǒng)設(shè)計(jì)的時(shí)間?！?/span>