退耦電容和旁路電容

1.  耦合，有聯(lián)系的意思。
2.  耦合元件，尤其是指使輸入輸出產(chǎn)生聯(lián)系的元件。
3. 去耦合元件，指消除信號聯(lián)系的元件。
4. 去耦合電容簡稱去耦電容。
5.  例如，晶體管放大器發(fā)射極有一個自給偏壓電阻，它同時又使信號產(chǎn)生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合，這個電阻就是產(chǎn)生了耦合的元件，如果在這個電阻兩端并聯(lián)一個電容，由于適當容量的電容器對交流信號較小的阻抗（這需要計算）這樣就減小了電阻產(chǎn)生的耦合效應，故稱此電容為去耦電容。 
旁路電容不是理論概念，而是一個經(jīng)常使用的實用方法，在50 -- 60年代，這個詞也就有它特有的含義，現(xiàn)在已不多用。電子管或者晶體管是需要偏置的，就是決定工作點的直流供電條件。例如電子管的柵極相對于陰極往往要求加有負壓，為了在一個直流電源下工作，就在陰極對地串接一個電阻，利用板流形成陰極的對地正電位，而柵極直流接地，這種偏置技術(shù)叫做“自偏”，但是對（交流）信號而言，這同時又是一個負反饋，為了消除這個影響，就在這個電阻上并聯(lián)一個足夠大的點容，這就叫旁路電容。后來也有的資料把它引申使用于類似情況。 


電容分基本上可為兩大類： 耦合電容，儲能電容。
去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：
一方面是本集成電路的蓄能電容;
另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。
數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5μH的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
 
從去耦（也叫退耦）和旁路的結(jié)果上區(qū)分為

去耦：
      電路系統(tǒng)中變化的電流對系統(tǒng)供電電源里的電源內(nèi)阻起作用，從而導致電源向電路輸出實際電壓產(chǎn)生抖動。
      如果從電源引出一個較小的電阻，該電阻串聯(lián)一個電容到地，該阻容節(jié)點就可以為需要退耦的電子元器件供電了。雖然該阻容節(jié)點上的電位有所下降，但在該節(jié)點上的電壓卻會趨于穩(wěn)定。這是RC積分網(wǎng)絡的典型應用實例。該電容就是退耦電容。
      有時我們從電路上看不到這個從電源引出的小電阻，那是因為有電路板銅箔在當作小電阻使用。因為除了到絕對0溫度時，世界上不存在真正0歐姆的電阻。
      這就是去耦。由此可見，去耦是為了盡可能的獲得穩(wěn)定的供電電壓的。主要是針對電源內(nèi)阻而設置的，如果電源內(nèi)阻為0，并且電路板銅箔電阻為0，那就真的不需要設置退耦回路了。  


旁路：
      一個待處理的信號往往因其他各種因素（典型的如干擾）或多或少會夾雜有無用的成分，如果我們在該信號上并聯(lián)一個適當?shù)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/電容器">電容器到地，那么就能壓縮比該有用信號的頻率高的信號，而對該有用信號不壓縮或壓縮的少些。這樣，有用的信號順利通過，而無用的高頻信號卻被“旁路”到地了。這就是旁路名稱的由來。
      那么比該有用信號的頻率低的信號難道就不需要旁路（壓縮）了嗎？是這樣的。
      1.可用串聯(lián)電容將有用信號耦合到后級，較低頻率的信號不容易通過該串聯(lián)電容，到后級時再旁路。
      2.較低頻率的信號不容易干擾較高頻率有用的信號（需要電容旁路的無用信號頻率更高）。我們只是聽說過調(diào)制信號可調(diào)制載波信號，而不是載波信號去調(diào)制調(diào)制信號。
      由此可見，旁路是針對待處理的信號的（去耦是針對供電電源的）。 

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