安森美半導(dǎo)體新型ESD抑制器件采用低高度封裝
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本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/7505.htm
µESD雙串聯(lián)二極管為便攜式和電池供電應(yīng)用提供雙線保護(hù)、優(yōu)異的ESD鉗制性能和超低高度封裝
2005年8月5日– 作為全球領(lǐng)先的分立器件供應(yīng)商,安森美半導(dǎo)體推出 µESD (微型ESD) 雙串聯(lián)高性能微型封裝靜電放電(ESD)保護(hù)二極管。µESD雙串聯(lián)系列產(chǎn)品專為為電壓敏感元件提供雙線保護(hù)而設(shè)計,適于需要最小板面積和低高度的應(yīng)用,如手機、MP3播放器和便攜式游戲系統(tǒng)。
安森美半導(dǎo)體小信號部市場營銷主管Gary Straker表示,“對致力于滿足嚴(yán)格的ESD標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計人員而言,安森美半導(dǎo)體的µESD雙器件提供了替代常用多層可變電阻(MLV)的令人注目的方案。µESD雙器件可以在小于兩個0402 MLV的板面積內(nèi)保護(hù)兩條線路,同時具有多種性能優(yōu)勢,包括鉗制電壓較低、漏電較少、響應(yīng)時間較短,且能夠承受多次ESD沖擊,而在電氣性能上無偏移?!?
這些器件設(shè)計采用目前市場上最小的3引腳塑料封裝來獲取最佳的ESD抑制性能。µESD雙串聯(lián)可在不足一納秒內(nèi)鉗制30千伏(kV)ESD瞬流(符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)),確保電壓敏感元件受到保護(hù)。這些器件可將ESD脈沖電壓鉗制至低于7伏特(V),以保護(hù)最敏感的系統(tǒng)并減小對電路功能的干擾。
µESD雙串聯(lián)系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封裝。由于其外形尺寸僅為1.2 mm x 1.2 mm,因此對板面積受限的設(shè)計人員而言是理想的選擇。由于此封裝的高度僅有0.5 mm,設(shè)計人員因此能夠在不影響功能的同時,實現(xiàn)高度的最小化。這種串聯(lián)將雙線保護(hù)集成入一個封裝中,可以進(jìn)一步減小所需的板面積和系統(tǒng)元件數(shù)量,從而簡化了封裝工藝。
這些新型ESD保護(hù)器件關(guān)斷狀態(tài)的漏電電流超低,僅為0.05 毫安(µA),提高電路效率和電池使用壽命,非常適于手持式產(chǎn)品應(yīng)用。它們的電容較小,僅為35 皮法(pF),適于為數(shù)據(jù)速率高達(dá)10 Mb/s的數(shù)據(jù)線提供保護(hù)。
安森美半導(dǎo)體小信號部總經(jīng)理Mamoon Rashid說,“由于便攜式電子應(yīng)用的用戶接口數(shù)量增加,而尺寸減小,因而它們越來越容易受到偶然ESD損害的影響。µESD雙串聯(lián)系列產(chǎn)品是安森美半導(dǎo)體與日增長的器件系列中的新成員,專為鉗制 ESD 瞬流而設(shè)計。安森美半導(dǎo)體通過先進(jìn)的硅設(shè)計,并致力于推動封裝外殼發(fā)展,公司將持續(xù)為這一具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域開發(fā)高性能的解決方案?!?
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