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          LED辭典

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          作者: 時(shí)間:2007-12-25 來源:電子元器件網(wǎng) 收藏

            表面粘著型的出現(xiàn)是在1980年初,是因應(yīng)更小型封裝和工廠自動(dòng)化而生。初期廠商裹足不前,主要因素是表面粘著最早面臨的問題是無法完成高溫紅外線下焊錫回流的步驟。的比熱較IC低,溫度升高時(shí)不僅會(huì)造成亮度下降,且超過攝氏100度時(shí)將加速組件的劣化。LED封裝時(shí)使用的樹脂會(huì)吸收水分,這些水分子急速汽化時(shí),會(huì)使原封裝樹脂產(chǎn)生裂縫,影響產(chǎn)品效益。在1990年初,HP和Siemens Component Group合作開發(fā)長(zhǎng)分子鍵聚合物,作為表面粘著型LED配合取放機(jī)器的設(shè)計(jì),表面粘著型LED到此才算正式登場(chǎng)。

            LED Light Emitting Diode。發(fā)光二極管。

            LED為通電時(shí)可發(fā)光的電子組件,是半導(dǎo)體材料制成的發(fā)光組件,材料使用III- V族化學(xué)元素(如:磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等),發(fā)光原理是將電能轉(zhuǎn)換為光,也就是對(duì)化合物半導(dǎo)體施加電流,透過電子與電洞的結(jié)合,過剩的能量會(huì)以光的形式釋出,達(dá)成發(fā)光的效果,屬于冷性發(fā)光,壽命長(zhǎng)達(dá)十萬小時(shí)以上。LED最大的特點(diǎn)在于:無須暖燈時(shí)間(idling time)、反應(yīng)速度很快(約在10^-9秒)、體積小、用電省、污染低、適合量產(chǎn),具高可靠度,容易配合應(yīng)用上的需要制成極小或數(shù)組式的組件,適用范圍頗廣,如汽車、通訊產(chǎn)業(yè)、計(jì)算機(jī)、交通號(hào)志、顯示器等。

            LED又可以分成上、中、下游。從上游到下游,產(chǎn)品在外觀上差距相當(dāng)大。上游是由磊芯片形成,這種磊芯片長(zhǎng)相大概是一個(gè)直徑六到八公分寬的圓形,厚度相當(dāng)薄,就像是一個(gè)平面金屬一樣。LED發(fā)光顏色與亮度由磊晶材料決定,且磊晶占LED制造成本70%左右,對(duì)LED 產(chǎn)業(yè)極為重要。上游磊晶制程順序?yàn)椋簡(jiǎn)涡酒?III-V族基板)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、結(jié)晶成長(zhǎng)、材料特性/厚度測(cè)量。

            中游廠商就是將這些芯片加以切割,形成為上萬個(gè)晶粒。依照芯片的大小,可以切割為二萬到四萬個(gè)晶粒。這些晶粒長(zhǎng)得像沙灘上的沙子一樣,通常用特殊膠帶固定之后,再送到下游廠商作封裝處理。中游晶粒制程順序?yàn)椋豪谛酒⒔饘倌ふ翦?、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測(cè)量。而,下游封裝順序?yàn)椋壕Я?、固晶、粘著、打線、樹脂封裝、長(zhǎng)烤、鍍錫、剪腳、測(cè)試。

            國(guó)內(nèi)主要的LED生產(chǎn)廠商有:鼎元、光磊、國(guó)聯(lián)、億光等企業(yè)。

            紅外線發(fā)光二極管 紅外線Light Emitting Diode。

            主要以GaAs系列材料發(fā)展為主,通常以LPE液相磊晶法的方法制作,發(fā)光波長(zhǎng)從850~940不等。

            GaP 磷化鎵。

            磷化鎵,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。GaP是一種間接遷移型半導(dǎo)體,具有低電流、高效率的發(fā)光特性,可發(fā)光范圍函蓋紅色至黃綠色,為L(zhǎng)ED主要使用材料之一。

            GaN 氮化鎵。

            氮化鎵,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技術(shù),可制作高亮度純藍(lán)光LED及純綠光LED,更可應(yīng)用于藍(lán)光、綠光雷射二極管之制作。MOVPE雖已是一成熟的磊晶制作技術(shù),但以此技術(shù)制作GaN藍(lán)光LED其中仍須相當(dāng)?shù)膶I(yè)知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)和技巧

            AlInGaP 磷化鋁銦鎵。

            AlInGaP此材料是近年來用在高亮度LED之制造上較新的材料,使用MOVPE磊晶法制程。目前世界上僅有三家廠商供應(yīng)此產(chǎn)品的公司,即美國(guó)HP、日本Toshiba、臺(tái)灣國(guó)聯(lián)光電。{{分頁}}

            AlGaAs 砷化鋁鎵。

            為GaAs和AlAs的混晶。AlGaAs適合于制造高亮度紅光及紅外線LED,主要以LPE磊晶法量產(chǎn),但因需制作AlGaAs基板,技術(shù)難度高。

            反向粘著型薄芯片LED reverse mounting type 薄芯片LED。

            此種芯片可粘著在穿式印刷電路板上,減少LED所占的厚度。主要可用作可攜式電話按鍵之背光源。

            側(cè)面發(fā)光直角LED 

            此種LED芯片是從最上層面發(fā)光,但可將發(fā)光面旋轉(zhuǎn)一個(gè)面焊接。側(cè)面發(fā)光直角LED有超小型和高亮度兩種,超小型是用于LCD背光源、呼叫器、行動(dòng)電話;高亮度型是用作汽、機(jī)車第三剎車燈和戶外顯示器。

            直角表面粘著型LED燈泡 SIDELED。

            直角表面粘著型LED燈泡不需額外的光學(xué)件或反射器,焊接后光線的行徑路線可與各電路板平行,使工程人員在設(shè)計(jì)時(shí)有較大的彈性,因而可在設(shè)計(jì)的后段再加上此產(chǎn)品,而不需事先考慮。產(chǎn)品可應(yīng)用在自動(dòng)安全斷電開關(guān)、背光源和光導(dǎo)管等,用作電話和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的指示燈。

            可見光LED 可見光Light Emitting Diode。

            LED(發(fā)光二極管)的種類繁多,依發(fā)光波長(zhǎng)大致分為可見光與不可見光兩類??梢姽釲ED產(chǎn)品主要包括傳統(tǒng) LED、高亮度AlGaInP(磷化鋁鎵銦)紅、黃、橘光 LED及InGaN(氮化銦鎵)藍(lán)、綠光LED、以及白光LED。其產(chǎn)品以顯示用途為主,又以亮度一燭光(1 cd)作為一般LED和高亮度LED之分界點(diǎn)。一般LED廣泛應(yīng)用于各種室內(nèi)顯示用途;高亮度LED后者則適合于戶外顯示,如汽車第三煞車燈、戶外信息看板和交通號(hào)志等。

            不可見光LED 不可見光Light Emitting Diode。

            LED(發(fā)光二極管)的種類繁多,依發(fā)光波長(zhǎng)大致分為可見光與不可見光兩類。不可見光LED,波長(zhǎng)850至 1550奈米,其短波長(zhǎng)紅外光可作為紅外線無線通訊使用,如紅外線LED應(yīng)用在影印紙張尺寸檢知、家電用品遙控器、工廠自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)門、自動(dòng)沖水裝置控制等;長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外光,則應(yīng)用在中、短距離光纖通訊上,作為光通訊用光源。

            GaN LED 氮化鎵發(fā)光二極管。

            GaN LED是屬于直接能隙之半導(dǎo)體材料, 其能隙為3.4ev, 而AlN為6.3ev, InN為2.0ev,將這幾種材料做成混晶時(shí),可以將能隙從2.0ev連續(xù)改變到6.3ev,因此可以獲得從紫外線、紫光、藍(lán)光、綠光到黃光等范圍的顏色。{{分頁}}

            目前最成功的GaN組件有高亮度藍(lán)光及綠光LED,因GaN高亮度藍(lán)光、綠光LED的開發(fā)成功,使得戶外全彩 LED顯示器及LED交通號(hào)志得以實(shí)現(xiàn),各種 LED的應(yīng)用也更加廣泛。以高亮度藍(lán)光LED激發(fā)螢光物質(zhì)(phospher)可以產(chǎn)生白光,其低耗電及高壽命的特性,未來有可能取代一般照明用的白熾燈泡,GaN LED的市場(chǎng)潛力十分雄厚。

            OLED OELD。Organic Electro-Luminescence Display。有機(jī)電激發(fā)光。

            透過電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)薄膜來發(fā)光,其發(fā)光可為單獨(dú)的之紅色、藍(lán)色、綠色,甚至是全彩。由于OLED所使用的有機(jī)化合物材料會(huì)自行發(fā)光,因此不像LCD面板后方須要加上背光源,可以大幅降低耗電、簡(jiǎn)化制程、使面板厚度變薄。OLED的特點(diǎn)為具有自發(fā)光、廣視角、響應(yīng)速度快、低耗電量、對(duì)比強(qiáng)、亮度高、厚度薄、可全彩化,及動(dòng)畫顯示等,被認(rèn)為是極具潛力的平面。國(guó)內(nèi)目前有錸寶、光磊、東元激光、翰立光電等廠商投入。

            室內(nèi)用LED顯示看板 

            LED顯示看板不管尺寸大小,都是由單一組件的LED加以拼裝而成,LED的單一組件,來自下游封裝好的點(diǎn)矩陣式的LED,或是單位模塊 Cluster,再由顯示看板的廠商將這些單一組件,依照各種不同的需求,組裝成各種大型的看板,加上控制電路,然后到各施工地點(diǎn)安裝測(cè)試。

            室內(nèi)用的LED 顯示看板,因觀看的距離近,所以要求的分辨率較高,一般是使用點(diǎn)矩陣式模塊,因室內(nèi)的環(huán)境較穩(wěn)定,所以比較不需要做防水防護(hù)裝置及散熱等措施,施工方面比較容易。

            戶外用LED顯示看板 

            LED顯示看板不管尺寸大小,都是由單一組件的LED加以拼裝而成,LED的單一組件,來自下游封裝好的點(diǎn)矩陣式的LED,或是單位模塊Cluster,由顯示看板的廠商將這些單一組件,依照各種不的需求,組裝成各種大型的看板,加上控制電路,然后到各施工地點(diǎn)安裝測(cè)試。

            戶外LED看板,觀看距離較遠(yuǎn),分辨率要求相對(duì)的較低,但對(duì)亮度、可見度及耐候性的要求都比較高,所以在戶外的施工上比較需要考慮散熱和防水等問題。

            大型LED顯示屏 

            大型LED顯示屏需要組合不同的元組件與技術(shù),一家廠商很難完全自產(chǎn)自足,因此外圍產(chǎn)業(yè)的分工十分重要。大型 LED顯示屏需要的元組件包括:Driver IC、LED Cluster、Power Supply、Cable及機(jī)械框架等;技術(shù)方面的需求包括:防靜電設(shè)計(jì)、電力配電規(guī)劃、驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)軟件設(shè)計(jì)、機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(散熱、視角、支撐、遮陽、防潮等考量)以及亮度、色度的測(cè)試技術(shù)等。

            UV LED紫外線二極管

            UV LED(紫外線發(fā)光二極管)照明不僅可凈化空氣、節(jié)約能源,并可望取代現(xiàn)有的螢光燈與白熱燈等照明裝置,加上過去僅及405nm的波長(zhǎng)帶最近擴(kuò)大到200nm,預(yù)期應(yīng)用范圍將大幅擴(kuò)大到殺菌、廢水處理、除臭、醫(yī)療、皮膚病治療、辨識(shí)偽鈔與環(huán)境Sensor等領(lǐng)域。{{分頁}}

            光通量 (Luminous flux,Φ)單位為:流明 (lumen, lm)由一光源所發(fā)射并被人眼感知之所有輻射能稱之為光通量。 光強(qiáng)度 (luminous intensity, I )光源在某一方向立體角內(nèi)之光通量大小。單位:坎德拉 (candela, cd) 照度 (Illuminance, E)單位:勒克斯 (Lux, lx)照度是光通量與被照面之比值。1 lux之照度為1 lumen之光通量均勻分布在面積為一平方米之區(qū)域。 輝度 (Luminance, L)單位:坎德拉每平方米 (cd/㎡)一光源或一被照面之輝度指其單位表面在某一方向上的光強(qiáng)度密度,也可說是人眼所感知此光源或被照面之明亮程度。

            發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱LED)?

            是一種藉外加電壓激發(fā)電子而放射出光(電能→光)的光電半導(dǎo)體組件。發(fā)光現(xiàn)象屬半導(dǎo)體中的直接發(fā)光(沒有第三質(zhì)點(diǎn)的介入)。整個(gè)發(fā)光現(xiàn)象可分為三個(gè)過程(直接發(fā)光):

            價(jià)電帶的電子受外來的能量(順向偏壓),被激發(fā)至導(dǎo)電帶,并 同時(shí)于價(jià)電帶遺留一個(gè)電洞,形成電子-電洞對(duì)。受激發(fā)的電子于導(dǎo)電帶中,與其它質(zhì)點(diǎn)碰撞(散射),損失部份能量,而接近導(dǎo)電帶邊緣。一旦導(dǎo)電帶邊緣的電子于價(jià)電帶覓得電洞時(shí),電子即從導(dǎo)電帶邊緣,經(jīng)由陷阱中心(釋放熱能)或發(fā)光中心(釋放光能),回到價(jià)電帶與電洞復(fù)合,電子-電洞對(duì)消失。

            因?yàn)長(zhǎng)ED主要是電子經(jīng)由發(fā)光中心與電洞復(fù)合而發(fā)光,所以是一種微細(xì)的固態(tài)光源,不但體積小、壽命長(zhǎng)、驅(qū)動(dòng)電壓低、反應(yīng)速率快、耐震性特佳,而且能夠配合輕、薄和小型化之應(yīng)用設(shè)備的需求,成為日常生活中十分普遍的產(chǎn)品。

            利用各種化合物半導(dǎo)體材料及組件結(jié)構(gòu)之變化,設(shè)計(jì)出不同的LED。依其發(fā)光波長(zhǎng)分為可見光、不可見光(紅外光、紫外光)。

            可見光:有紅、橙、黃、綠、藍(lán)、紫等各種顏色,主要以顯示用 途為主。又以亮度1燭光 (cd) 作為一般亮度和高亮度之分界點(diǎn)。一般亮度LED廣泛應(yīng)用于各種室內(nèi)顯示用途;高亮度LED則適合于戶外顯示,如:汽車第三煞車燈、戶外信息看板和交通號(hào)志等。 不可見光:短波長(zhǎng)紅外光可作為紅外線無線通訊使用;長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外光則使用在中、短距離光纖通訊上,作為光通訊用光源。

            使用的材料基本上已大致決定LED所釋出的波長(zhǎng),其中,適合制作1000mcd以上之高亮度LED的材料,由長(zhǎng)波長(zhǎng)而短波長(zhǎng),分別為AlGaAs(砷化鋁鎵)、AlGaInP(磷化鋁銦鎵)及GaInN(氮化銦鎵)等。

            AlGaAs(砷化鋁鎵)適合于制造高亮度紅光及紅外線 LED,主要以液相磊晶(LPE)法進(jìn)行量產(chǎn),使用雙異質(zhì)接面構(gòu)造(DH)為主,但因?yàn)轫氈谱鰽lGaAs基板,技術(shù)的困難度很高,故投資開發(fā)的廠商較少。 AlGaInP(磷化鋁銦鎵)適合于高亮度紅、橘、黃及黃綠光LED,主要以金屬有機(jī)氣相磊晶(MOVPE)法進(jìn)行量產(chǎn),使用雙異質(zhì)接面(DH)及量子井 (QW)構(gòu)造,效率更為提高。且由于AlGaInP紅光LED在高溫與高濕環(huán)境下,其壽命試驗(yàn)結(jié)果優(yōu)于AlGaAs紅光LED,未來有成為紅光LED主流的趨勢(shì)。

            GaInN(氮化銦鎵)適合于高亮度深綠、藍(lán)、紫及紫外光 LED,以高溫的金屬有機(jī)氣相磊晶(MOVPE)法進(jìn)行量產(chǎn),也采用雙異質(zhì)接面 (DH)及量子井(QW) 構(gòu)造,效率比前述的 AlGaAs、AlGaInP 更高。全球各大廠均已積極投入相關(guān)材料組件技術(shù)之研發(fā),并有所突破。

            白光LED,乃是日本日亞公司利用藍(lán)光LED加上黃色螢光材料構(gòu)成的,其光電轉(zhuǎn)換效率于 1998年4月已提升至15流明/瓦,比傳統(tǒng)燈泡略高,若以常見照明燈具之開發(fā)歷程來看,白光LED極有機(jī)會(huì)成為未來于照明產(chǎn)業(yè)之明星產(chǎn)品。

            LED設(shè)計(jì)之初,主要是利用于家用電器品顯示器,廣告看板或裝飾用。但由于其具有固定波長(zhǎng)及操作方便等特點(diǎn),已逐漸利用于植物生產(chǎn)研究上。1987年開始有學(xué)者利用LED固定波長(zhǎng)特性,應(yīng)用在植物向地性,型態(tài)改變及病害發(fā)生上的研究。日本千葉大學(xué)古在(Kozai)教授研究室將其應(yīng)用在組織瓶苗的生產(chǎn)研究上。預(yù)計(jì)未來在光研究上將有極大應(yīng)用價(jià)值。當(dāng)然,目前LED亮度和價(jià)格仍未達(dá)實(shí)用化階段,不過,由于極具市場(chǎng)潛力,各方面研究正急速的展開,LED勢(shì)必成為提供植物生長(zhǎng)的新興光源。

            外延片生長(zhǎng) 外延生長(zhǎng)的基本原理是,在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有紅寶石和SiC兩種)上,氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面,生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。
          MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(Metal- OrganicChemicalVaporDeposition,簡(jiǎn)稱 MOCVD), 1968年由美國(guó)洛克威爾公司提出來的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體,是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備,主要用于GaN(氮化鎵)系半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造,也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。


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