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          MOS模擬集成電路

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          作者: 時間:2007-12-29 來源:電子元器件網(wǎng) 收藏
            MOSFETBJT相比,具有許多突出的優(yōu)點:MOSFET是電壓控制器件,輸入偏流很?。?/SPAN>10-12A以下),輸入電阻高(1012Ω以上);MOSFET功耗小,集成度高,抗輻射能力強;MOS工藝簡單,便于大規(guī)模集成。因此,自70年代以來,MOS得到了迅速發(fā)展,各種功能的集成電路不斷涌現(xiàn),其性能不斷提高。由MOSFET構成的,如運放、電壓比較器、模擬開關、定時器、開關電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/DD/A轉(zhuǎn)換器、脈沖調(diào)制編碼/解碼器等已廣泛應用于電子技術各個領域。尤其是采用MOS工藝可以使模擬信號處理技術與數(shù)字處理及計算機技術有機結合起來,融為一體,構成模擬信號數(shù)字化的單片集成系統(tǒng),促進了通訊、圖像、聲音、雷達信號處理及其它技術領域的發(fā)展。

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