英飛凌拓寬嵌入式閃存制造工藝應(yīng)用范圍

　　英飛凌科技股份公司近日宣布與IBM簽訂協(xié)議，拓寬公司成熟的大容量嵌入式閃存制造工藝的應(yīng)用范圍 。IBM將獲得英飛凌130納米嵌入式閃存工藝的使用許可，用于在北美地區(qū)制造全新的芯片。此外，英飛凌將利用IBM的晶圓代工服務(wù)生產(chǎn)基于該工藝的產(chǎn)品。

　　在2006年初，英飛凌的130納米嵌入式閃存工藝就已在英飛凌工廠中得到廣泛應(yīng)用，用于生產(chǎn)從汽車系統(tǒng)到低功率芯片卡設(shè)備等應(yīng)用所需的高級微控制器芯片。通過本協(xié)議，IBM還獲得了相關(guān)非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(quán)的使用許可。130納米嵌入式閃存工藝的采用將提高IBM的晶圓代工能力，使其滿足在單芯片上集成定制邏輯和高密度閃存的應(yīng)用需求。

　　英飛凌執(zhí)行副總裁、管理委員會成員兼汽車、工業(yè)及多元化電子市場部主管Peter Bauer表示：“我們非常高興簽訂許可協(xié)議和晶圓代工服務(wù)協(xié)議，繼續(xù)與IBM的長期合作和共同技術(shù)開發(fā)。通過此次合作，英飛凌不僅能充分利用自己的制造知識產(chǎn)權(quán)，贏得新的批量制造伙伴，而且加強了與長期合作伙伴之間的關(guān)系。”

　　IBM全球工程方案部半導(dǎo)體解決方案副總裁Steve Longoria表示：“通過與全球嵌入式閃存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商英飛凌合作，我們拓寬了自己的半導(dǎo)體產(chǎn)品范圍。這項許可協(xié)議可充分利用我們現(xiàn)有的技術(shù)基礎(chǔ)，而且給我們的模擬與混合信號技術(shù)帶來了有益補充?！?/P>

　　該工藝的整合與驗證工作已開始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進行，計劃在2008年下半年推出初步設(shè)計套件。