基于DDS的鎖相頻率合成器設(shè)計(jì)
1 引 言
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/78299.htm現(xiàn)代頻半合成源對(duì)頻率精度、分辨率、轉(zhuǎn)換時(shí)間和頻譜純度等指標(biāo)提出了越來(lái)越高的要求。甚高頻(VHF)頻率合成器通常采用多鎖相環(huán)路(PLL)結(jié)構(gòu),多環(huán)合成器將單環(huán)中的巨大分頻比用多個(gè)環(huán)路來(lái)負(fù)擔(dān),同時(shí)各環(huán),尤其足主環(huán)的鑒相頻率大幅度提高,從而滿足了鑒相頻率高、分頻比小和分辨率高等要求。但是由于多環(huán)組合的固有特性,尤其是分辨率每提高1個(gè)數(shù)量級(jí),就要增加一級(jí)子環(huán)路,使得其頻率轉(zhuǎn)換速度低、線路復(fù)雜、可靠性差。
直接數(shù)字式頻率合成技術(shù)(DDS)的頻率分辨率高、頻率轉(zhuǎn)換速度快。DDS/PLL混合頻率合成是一項(xiàng)新興技術(shù)。DDS激勵(lì)PLL倍頻的方式能發(fā)揮DDS高分辨率的特點(diǎn),但DDS信號(hào)中的相噪與雜散一旦落入環(huán)路內(nèi)將會(huì)惡化lg N。
采用DDS內(nèi)插PLL混頻,即DDS輸出與PLL反饋回路中的壓控振蕩器(VCO)輸出混頻,相當(dāng)于用DDS取代多環(huán)頻率臺(tái)成器中的低(細(xì))頻率子環(huán),電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,在頻率轉(zhuǎn)換速度、分辨率等方面性能優(yōu)良,并且不存在DDS相噪與雜散惡化的問(wèn)題。本文提出基于該思想的一種VHF段頻率合成器設(shè)計(jì)。
2 方案設(shè)計(jì)
本方案設(shè)計(jì)一個(gè)VHF段頻率合成器,輸出信號(hào)頻率分辨高,相位噪聲低。
圖1所示為頻率合成器的原理框圖。該合成器原理如下:壓控振蕩器(VCO)產(chǎn)生VHF段頻率信號(hào),在反饋通道中與直接數(shù)字式頻率合成器(DDS)輸出下混頻,經(jīng)帶通濾波、程控分頻器后送鑒相/鑒頻器,與鑒相頻率比較得到的相位誤差信號(hào),經(jīng)低通環(huán)路濾波后,其平均值控制VCO輸出向設(shè)定頻率值靠攏并最終鎖定。
本方案采用了DDS取代多環(huán)頻率合成器中的低(細(xì))頻率子環(huán),VCO輸出頻率范圍89.6~110.4 MHz,DDS輸出頻率范圍20~20.8 MHz,混頻后取下變頻69.6~89.6 MHz,經(jīng)ECL預(yù)置分頻器10分頻至6.96~8.96 MHz,鎖相環(huán)(PLL)鑒相頻率取80 kHz,內(nèi)部程控分頻范圍87~112 kHz。
壓控振蕩器輸出頻率和其他信號(hào)之間的關(guān)系由式(1)給出:
fOUT=N×10×fr+fDDS (1)
其中,fOUT為壓控振蕩器輸出頻率,fr為鑒相頻率,fDDS為直接頻率合成器輸出頻率,N為內(nèi)部程控分頻比。
3 電路設(shè)計(jì)
根據(jù)圖1所示方案,設(shè)計(jì)了頻率合成器的具體電路,其電路框圖如圖2所示。
采用DDS內(nèi)插式混頻關(guān)鍵是處理好高頻帶通濾波環(huán)節(jié)??梢圆捎民詈系腖C雙諧振電路構(gòu)成69.6~89.6 MHz的固定帶通濾波器(BPF),如同3(a)所示,但實(shí)際調(diào)試發(fā)現(xiàn)濾波電路的諧振曲線在20 MHz帶寬內(nèi)很難保持水平。
壓控振蕩器MC1648采用外接LC電路形式,隨壓控信號(hào)輸出89.6~110.4 MHz之間的頻率,實(shí)際上是外接LC電路的諧振點(diǎn)(可變電容)隨壓控信號(hào)變化,而濾波范圍為69.6~89.6 MHz,采用相同的LC電路形式,如圖3(b)所示,用VCO的電壓榨制信號(hào),改變?yōu)V波LC諧振電路的容值,使其諧振頻率點(diǎn)與VCO的輸出頻率“同步”,即濾波諧振頻率總是與VCO的輸出頻率相差約20 MHz左右,稱之為“滑動(dòng)”LC諧振帶通濾波電路,考慮到混頻后兩個(gè)邊頻最少相距20 MHz,可適當(dāng)降低諧振電路Q值(并聯(lián)合適電阻),達(dá)到69.6~89.6 MHz覆蓋,從而靈活解決了高頻帶通濾波問(wèn)題。
4 主要性能指標(biāo)分析
4.1 相位噪聲
4.1.1 DDS相位噪聲
DDS實(shí)際上是一個(gè)數(shù)字分頻系統(tǒng),理論上輸出相噪應(yīng)該以分頻比N=fCLK/fDDS相對(duì)于系統(tǒng)時(shí)鐘相噪優(yōu)化-lg N(dB),0 原文位置
LDDS=LS-20lg N+δ (2)
其中,LDDS為DDS輸出的相噪,LS為參考時(shí)鐘的相噪,δ為DDS相噪惡化因子。
本方案取fCLK=100 MHz,fDDS=20 MHz,δ=10 dB??傻?,DDS相噪相對(duì)于參考時(shí)鐘還改善了4 dB。
4.1.2 鎖相環(huán)路相位噪聲
DDS取代多環(huán)鎖相頻率合成器的低頻率子環(huán)后,環(huán)路相位噪聲模型如圖4所示。
根據(jù)環(huán)路理論,環(huán)路總的相噪為:
式中,LRS,LPD,LLP,LVCO,LDDS分別是環(huán)路參考晶振、鑒相器、環(huán)路濾波器、VCO、DDS的相噪,Lo是系統(tǒng)總輸出相噪,H(jω)是環(huán)路有效傳遞函數(shù),為低通濾波因子。
從式(3)可以看出,輸出信號(hào)近端相位噪聲與環(huán)路分頻比有20lg N的關(guān)系,提高主環(huán)鑒相頻率fr,可減小環(huán)路分頻比。本方案采用混頻方式,在一定程度上也減小了分頻比,對(duì)帶內(nèi)相位噪聲有一定改善。環(huán)路帶寬外的相噪則主要由VCO的固有噪聲決定。
4.2 雜散抑制
直接數(shù)字式頻率合成(DDS)的相位截?cái)嗾`差,DAC量化誤差及DAC非線性等固有特性,導(dǎo)致其輸出雜散豐富,如果直接用DDS輸山激勵(lì)鎖相倍頻,將導(dǎo)致頻譜惡化,而本方案采用的內(nèi)插式混頻方式,DDS輸出雜散未經(jīng)鎖相倍頻,而仍然保持DDS原來(lái)輸出的水平。在本方案中,按DDS芯片AD9850資料,輸出20 MHz時(shí),雜散優(yōu)于75 dBc。
4.3 頻率步進(jìn)
在本設(shè)計(jì)中采用ADI的AD9850單片集成直接數(shù)字頻率合成器,最高時(shí)鐘允許125 MHz,頻率調(diào)諧字為32 b。根據(jù)DDS的工作原理,其輸出頻率fo和參考時(shí)鐘fs,相位累加器長(zhǎng)度N以及頻率控制字FSW的關(guān)系為:
fo=fs×FSW/2N (4)
在100 MHz時(shí)鐘下工作時(shí),頻率分辨率可達(dá)23 MHz,完全可滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的1 Hz頻率細(xì)調(diào)要求。
4.4 跳頻時(shí)間
跳頻時(shí)間包含兩部分的計(jì)算,一部分是DDS跳頻時(shí)間,另一部分則是環(huán)路的頻率穩(wěn)定時(shí)間。
DDS核心技術(shù)包括相位累加器。正弦表查值,DAC轉(zhuǎn)換及LPF平滑,按芯片AD9850的資料,頻率控制寄存器為40 b,采用并行方式需用5個(gè)時(shí)鐘周期(TS)改變頻率控制字,F(xiàn)Q_UD信號(hào)有效后,間隔tCF輸出新的正弦信號(hào)。因此DDS跳頻時(shí)間至少為:
tDDS=5×TS+tCF (5)
當(dāng)頻率變化時(shí),tCF為18個(gè)時(shí)鐘周期(相位變化時(shí)為13個(gè)時(shí)鐘周期),這里選擇100 MHz時(shí)鐘,則DDS最怏跳頻時(shí)間約0.23μs。
鎖相環(huán)路換頻時(shí)間是包括可變分頻器置數(shù)時(shí)間、VCO調(diào)諧時(shí)間和環(huán)路捕獲時(shí)間的總和,VCO的調(diào)諧時(shí)間可控制在10 μs量級(jí),可變分頻器置數(shù)可小于100μs。
環(huán)路捕獲時(shí)間:
4.5 頻率范圍
如前所述,本方案中合成器輸出頻率范圍89.6~110.4 MHz,DDS輸出頻率范圍20~20.8 MHz,由式(1)可知,粗調(diào)頻率步進(jìn)為10×fr=800 kHz,細(xì)調(diào)頻率步進(jìn)(頻率分辨率)為1 Hz,由DDS決定。
5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
圖5所示是合成器輸出100 MHz時(shí)的頻譜圖,從圖中可以看出,其雜波抑制優(yōu)于70 dBc,雜波電平優(yōu)于-50 dBc@10 kHz,噪聲電平與RBW平方根成正比,經(jīng)計(jì)算優(yōu)于:
6 結(jié) 語(yǔ)
采用DDS取代多環(huán)鎖相頻率合成器的低頻率子環(huán),獲得了高頻率輸出(VHF段)、高分辨率(DDS量級(jí))、快轉(zhuǎn)換時(shí)間等性能,且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。本方案采用DDS內(nèi)插PLL混頻,而不是DDS直接鎖相倍頻,避免了 DDS相噪與雜散惡化20lg N的缺點(diǎn),是DDS,PLL結(jié)合的另一種方向,實(shí)驗(yàn)證明該方案可行,并且采用本設(shè)計(jì)方案,應(yīng)用相應(yīng)的環(huán)路器件及處理方法,可以滿足更高的合成頻率需要。
評(píng)論