吉時(shí)利研發(fā)65nm以下工藝特征分析技術(shù)

美國俄亥俄州克里夫蘭，2008年2月18日訊—新興測(cè)量需求解決方案領(lǐng)導(dǎo)者美國吉時(shí)利（Keithley）儀器公司（NYSE代碼：KEI），日前宣布將與Stratosphere Solutions公司（Sunnyvale, CA）合作。Stratosphere Solutions致力于面向集成電路制造提供能夠提高工藝參數(shù)成品率的新型解決方案。吉時(shí)利與Stratosphere Solutions合作后將采用陣列TEG（測(cè)試元件組）技術(shù)展開先進(jìn)工藝研發(fā)和監(jiān)測(cè)工作。

由于IC制造商不斷追求制造更小尺寸器件，因此65nm以下水平上的工藝參數(shù)偏差為廣大設(shè)計(jì)與測(cè)試工程師提出了巨大挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體行業(yè)迫切需要監(jiān)測(cè)極其敏感的生產(chǎn)工藝，以便在不犧牲成品率的情況下獲得最佳IC性能。

吉時(shí)利與Stratosphere Solutions將合作為彼此共同的客戶提供一種獨(dú)特特征分析基本架構(gòu)，采用吉時(shí)利S600系列參數(shù)測(cè)試儀和StratoPro™ IP實(shí)現(xiàn)大容量、高產(chǎn)能、高可靠參數(shù)測(cè)量解決方案，確保客戶成功實(shí)現(xiàn)先進(jìn)半導(dǎo)體工藝。

吉時(shí)利副總裁、商務(wù)主管Mark Hoersten認(rèn)為，“隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，器件小型化上限已經(jīng)達(dá)到納米級(jí)，測(cè)量技術(shù)不僅要與時(shí)俱進(jìn)，而且要幫助制造商構(gòu)建并測(cè)試這類器件， 作為先進(jìn)半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，吉時(shí)利期望與業(yè)界主要廠商合作，針對(duì)最高級(jí)客戶應(yīng)用提供創(chuàng)新性解決方案。”

Stratosphere Solutions公司首席戰(zhàn)略官Prashant Maniar認(rèn)為，“Stratosphere Solutions非常高興與吉時(shí)利合作，共同提供最新的、即拆即用的、可互操作的測(cè)量解決方案，能夠與最先進(jìn)測(cè)試工具進(jìn)行互連，這對(duì)于整個(gè)行業(yè)都是至關(guān)重要的。 隨著半導(dǎo)體工藝達(dá)到45nm以下，越來越多客戶面臨改進(jìn)參數(shù)成品率的挑戰(zhàn)。Stratosphere Solutions高度集成硅驗(yàn)證解決方案對(duì)于幫助用戶進(jìn)一步提高參數(shù)成品率，降低成品率改進(jìn)所帶來的成本，加速測(cè)試時(shí)間，提高ROI都是非常關(guān)鍵的。”

吉時(shí)利S600系列參數(shù)測(cè)試儀通過適應(yīng)器件工藝變化，幫助晶圓廠和代工廠降低芯片測(cè)試成本。這類測(cè)試儀可以用作成本極低的直流、射頻和陣列TEG測(cè)試儀，提高固定設(shè)備重用性，從而降低測(cè)試成本。S600系列最新產(chǎn)品S680在一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)實(shí)現(xiàn)并行測(cè)試功能、高直流測(cè)試靈敏度、飛安級(jí)分辨率以及高達(dá)40GHz射頻s參數(shù)測(cè)量功能，從而為65nm以下工藝節(jié)點(diǎn)測(cè)量提供具有當(dāng)前業(yè)界最高產(chǎn)能和較低投資成本解決方案。

隨著工藝幾何尺寸縮減到65nm以下，陣列TEG結(jié)構(gòu)，例如Stratosphere獲獎(jiǎng)StratoPro產(chǎn)品套件，正日益成為半導(dǎo)體工藝特征分析的關(guān)鍵手段。主要半導(dǎo)體公司需要一種事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，StratoPro將同樣硅面積上的測(cè)試密度提高幾千倍，實(shí)現(xiàn)最高分辨率測(cè)量和改善總體測(cè)試完備性。

作為一個(gè)參數(shù)式ActiveMatrix™硅IP平臺(tái)，StratoPro™將憑借其高精度特性、電氣參數(shù)及可變性管芯內(nèi)統(tǒng)計(jì)功能幫助晶圓廠和輕晶圓廠用戶實(shí)現(xiàn)芯片特征分析。用戶可以選擇65nm和45nm硅驗(yàn)證StratoPro平臺(tái)，因?yàn)樗鼘y(cè)試結(jié)構(gòu)的密度提高了10～1000倍，實(shí)現(xiàn)很高測(cè)量分辨率，結(jié)合吉時(shí)利測(cè)試儀平臺(tái)后能夠大大縮短測(cè)試時(shí)間。晶圓廠用戶可以在工藝研發(fā)的早期、成品率改進(jìn)和生產(chǎn)監(jiān)測(cè)過程中使用StratoPro™。輕晶圓廠用戶可以使用該系統(tǒng)對(duì)與設(shè)計(jì)風(fēng)格相關(guān)工藝偏差進(jìn)行特征分析。