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          青島研制首臺半導體照明關鍵設備

          作者: 時間:2008-05-16 來源:中國建設報 收藏

            由青島公司承擔的國家“863”工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外材料生長設備”制造取得重大突破,有關人員研制成功了我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的、能夠同時生長6片外延片的MOCVD設備。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/82709.htm

            據(jù)悉,該設備集精密機械、材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備,在高亮度的藍光發(fā)光二極管()、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域中具有廣泛應用,是產(chǎn)業(yè)上游階段關鍵設備。目前,國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部需要從國外購買。

            青島市科技局人士介紹說,半導體照明產(chǎn)業(yè)基地是青島確定重點建設的十大產(chǎn)業(yè)基地之一,今后將在科技攻關、人才團隊及平臺建設等方面全力推進。



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