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          英飛凌推出全新OptiMOS3系列

          作者: 時間:2008-05-29 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)今日在中國國際電源展覽會上宣布推出采用SuperSO8和S308 (Shrink SuperSO8)封裝的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N溝道MOSFET,在這些擊穿電壓下可提供形式下的全球最低。SuperSO8封裝與標(biāo)準(zhǔn)TO(晶體管外形)封裝相比,可使功率密度增大50%,特別是對于服務(wù)器開關(guān)模式電源的同步整流應(yīng)用而言。舉例來說,這種采用SuperSO8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與D²-Pak封裝相同的。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/83304.htm

            “該無鉛結(jié)構(gòu)封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感,最大程度降低了對整個器件性能的影響,便于充分利用OptiMOS 3硅技術(shù)功能。”電源管理與驅(qū)動產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf指出。

            全新OptiMOS 3系列可提供出類拔萃的,OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封裝具備最低1.8 m?的通態(tài)電阻,OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封裝具備最低2.8 m?的通態(tài)電阻,OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封裝具備最低4.7 m?的通態(tài)電阻,與最接近的競爭性產(chǎn)品相比,通態(tài)電阻降幅高達(dá)50%,為業(yè)界樹立了新標(biāo)桿。這些器件的FOM(品質(zhì)系數(shù),以通態(tài)電阻乘以柵極電荷得出)與采用標(biāo)準(zhǔn)TO封裝的同類產(chǎn)品相比高出25%,能夠更快速實現(xiàn)開關(guān),同時最大程度降低開關(guān)損耗和柵極驅(qū)動損耗,提高功率密度,降低驅(qū)動器散熱量。SuperSO8封裝寄生電感不到0.5nH,比TO-220封裝的5-10nH電感低很多,這進(jìn)一步提升了器件整體效率,最大程度上減少在開關(guān)條件下的振蕩現(xiàn)象。SuperSO8封裝高度為1mm,Rth-jt (結(jié)至頂端的熱阻)低于16°K/W,適用于嵌入式系統(tǒng)頂部冷卻解決方案或立式安裝在3D集成系統(tǒng)里的PCB模塊。

            “作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)袖,引領(lǐng)超小封裝潮流,使通態(tài)電阻降低高達(dá)50%。”英飛凌電源管理與驅(qū)動產(chǎn)品事業(yè)部負(fù)責(zé)人Gerhard Wolf指出,“我們利用在功率半導(dǎo)體制造和封裝方面的領(lǐng)先技術(shù),使功率半導(dǎo)體具備一流的效率和開關(guān)特性、更高的功率密度以及出色的性價比,從而大大降低系統(tǒng)成本。”

            OptiMOS 3 40V、60V、80V:應(yīng)用與產(chǎn)品詳情
            
            OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用,包括眾多產(chǎn)品的SMPS(開關(guān)模式電源)、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品包括計算機(jī)、家用電器、小型電動車、工業(yè)自動化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動工具、電動剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類電子設(shè)備。

            采用SuperSO8封裝的OptiMOS 3可滿足多種應(yīng)用中的快速開關(guān)SMPS和DC/DC轉(zhuǎn)換器的需求,譬如AC/DC SMPS中的同步整流器、隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的主側(cè)開關(guān)和次側(cè)開關(guān)和非隔離(降壓)工業(yè)轉(zhuǎn)換器,對于這些應(yīng)用而言,空間、功率密度和最大效率都是關(guān)鍵要素。該系列具備至PCB的1°K/W熱阻、頂部和雙側(cè)冷卻功能以及100A持續(xù)電流額定值,新的OptiMOS 3 MOSFET系列為40V至80V低電阻MOSFET樹立了新標(biāo)桿。該系列還包括業(yè)界首款采用S3O8封裝的60V和80V擊穿電壓MOSFET,其占位空間與標(biāo)準(zhǔn)SO8或SuperSO8器件相比減少60%。

            60V和80V SuperSO8器件與采用TO封裝的解決方案相比可使服務(wù)器SMPS的效率提高0.5%,或與標(biāo)準(zhǔn)解決方案相比,在通態(tài)電阻額定值提高20%的條件下,可獲得相同的效率。

            供貨與定價

            全新OptiMOS 3 40V、60V與80V功率MOSFET系列采用SuperSO8和S3O8封裝,具有不同的通態(tài)電阻額定值。OptiMOS 3 60V系列現(xiàn)已開始批量生產(chǎn),40V 和 80V器件目前只提供樣品。

            在訂購量達(dá)到萬件時,采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為2.8 m?的OptiMOS 3 60V單價不超過0.99美元(0.64歐元),采用SuperSO8封裝且通態(tài)電阻為4.7 m?的OptiMOS 3 80V單價約為1.1美元(0.70歐元)。在同樣訂購量下,采用S308封裝的6.7 m? OptiMOS 3 60V的單價為0.6美元(0.38歐元),而采用封裝的12.3 m? OptiMOS 3 80V的單價為0.66美元(0.42歐元)。

            英飛凌將在中國深圳舉辦的中國國際電源展覽會(2008年5月23日至25日)的A101號展臺展出采用SuperSO8和S308封裝的全新OptiMOS 3功率半導(dǎo)體和其他創(chuàng)新產(chǎn)品。

            如欲了解更多信息,敬請登錄www.infineon.com/powermosfetswww.infineon.com/optimos。

                  



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