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          利用基于閃存的MCU實(shí)現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

          作者: 時(shí)間:2008-06-11 來(lái)源:Maxim公司 Ben Smith 收藏

            第一步有些技巧,因此我們稍詳細(xì)地進(jìn)行介紹。執(zhí)行這一步的簡(jiǎn)單方法是將它分成兩小步:第一步,使用RAM陣列存儲(chǔ)記錄號(hào)和陣列中最新記錄的地址;第二步,穿過(guò)RAM陣列將最新的記錄拷貝到新的頁(yè)。這個(gè)過(guò)程很快,相對(duì)也比較順利。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/84016.htm

            這種方案的問(wèn)題是所用處理器(見(jiàn)圖1)的RAM為1K字。這種方案將限制可存儲(chǔ)進(jìn)RAM中的單一數(shù)據(jù)數(shù)量,因?yàn)檫@個(gè)RAM還要節(jié)省下來(lái)用作緩存。這是明顯不能接受的。

            這種解決方案非常耗時(shí),但不管存儲(chǔ)陣列多大(在合理范圍內(nèi))都能正常工作。該方案不會(huì)在RAM中創(chuàng)建一份指針列表,而是針對(duì)每個(gè)單一條目(entry)在源陣列中作多次穿越。因此壓縮算法變?yōu)椋?/p>

            1. 從源陣列中讀一個(gè)單元;

            2. 在目標(biāo)陣列中尋找該單元。如果找到了,表示這個(gè)單元已經(jīng)被寫入。增加源指針值,回到第(1)步;

            3. 掃描源陣列尋找單元的最新拷貝;

            4. 將數(shù)據(jù)單元的最新拷貝寫入目標(biāo)陣列;

            5. 增加源指針,并回到第(1)步。

            最終,在目標(biāo)陣列中每個(gè)數(shù)據(jù)單元都有一個(gè)唯一的條目。圖4描述了一個(gè)已填滿的頁(yè)。源頁(yè)現(xiàn)在可以被安全地刪除,頁(yè)的頭部被寫入到目標(biāo)陣列。

          圖4:在空間恢復(fù)之后的圖2所示數(shù)據(jù)頁(yè)內(nèi)容

            這個(gè)過(guò)程的構(gòu)建使得存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)非常安全。在使用器件時(shí)必須面對(duì)的危險(xiǎn)是寫入或擦除操作期間發(fā)生電源故障。

            如果發(fā)生電源故障,則有可能一個(gè)或多個(gè)頁(yè)被破壞(在寫入時(shí)),或未被完全刪除(在刪除操作時(shí))。但上述壓縮操作本身是安全的。因?yàn)椋?/p>

            1. 如果在寫入操作期間發(fā)生電源故障,源頁(yè)是完全不受影響的。在電源恢復(fù)后,新寫的頁(yè)很容易被識(shí)別(它們沒(méi)有頁(yè)頭),將其擦除后重新開始寫入操作。

            2. 如果在舊頁(yè)被擦除期間發(fā)生電源故障,它們可能包含無(wú)效的頭部。這些頁(yè)可以被刪除,然后將頭部增加到新的頁(yè)中。

            3. 如果在頁(yè)頭部被寫入新頁(yè)時(shí)發(fā)生電源故障,數(shù)據(jù)是不受影響的。頁(yè)頭部的更新操作可以重新開始。

            總之,應(yīng)該沒(méi)有什么情況能讓意外事件造成無(wú)可挽救地破壞陣列數(shù)據(jù)。

            性能增強(qiáng)

            目前的存儲(chǔ)子系統(tǒng)沒(méi)有差錯(cuò)檢測(cè)機(jī)制。在數(shù)據(jù)單元識(shí)別符中目前有6個(gè)比特是保留未用的。

            設(shè)計(jì)師可以使用CRC6算法(x6+x+1)計(jì)算整個(gè)數(shù)據(jù)單元的CRC以確保不會(huì)產(chǎn)生任何讀或?qū)戝e(cuò)誤。雖然這不是一個(gè)特別可靠的算法(它會(huì)從64個(gè)多位差錯(cuò)中漏掉一個(gè)),但它能檢測(cè)實(shí)際中可能發(fā)生的大多數(shù)差錯(cuò)。

            上述系統(tǒng)的另外一個(gè)限制是讀取訪問(wèn)時(shí)間必需很長(zhǎng)。為了尋找最新的記錄,每一次讀取都必須讀遍陣列中的每個(gè)記錄。有三種方法可以用來(lái)改善訪問(wèn)時(shí)間:

            1. 在數(shù)據(jù)單元中留一個(gè)空的字用于前向指針。當(dāng)數(shù)值更新時(shí),在前向指針中填入指向新條目的內(nèi)容。這樣這個(gè)表可以當(dāng)作一個(gè)鏈接列表。

            2. 向后穿越表格?,F(xiàn)在你可以簡(jiǎn)單停留在第一次出現(xiàn)的請(qǐng)求單元上。

            3. 如果只有少量的單一單元,可以在上電時(shí)就創(chuàng)建一個(gè)包含單元ID和指針的RAM陣列。隨后的訪問(wèn)將非常迅速—只要讀取RAM陣列就可以發(fā)現(xiàn)到哪里去獲得數(shù)據(jù)單元。


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