電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

　　就實(shí)際的考量而言 , 場效應(yīng)晶體管的實(shí)際崩潰電壓一般是額定低電流崩潰電壓的 1.3 倍。以圖五為例 , 它所表示的是一個超過最大額定電壓但并未進(jìn)入崩潰現(xiàn)象的波形 , Drain-Source 的電壓已達(dá)到 668V > 600V 但并未嵌制于崩潰效應(yīng)。

　　但即使此不正常的峰值電壓并未觸發(fā)此組件崩潰 , 我們還是要去評估此場效應(yīng)晶體管的接合面溫度必須低于額定最大溫度以確保其信賴度及可靠度。在穩(wěn)態(tài)條件下 , 接合面溫度可由下式導(dǎo)出 :

　　Tj = PD x R θ jc + TC ---------- (1)

　　其中 Tj : 接合面溫度 TC : 外殼溫度 PD : 整體功率損耗 R θ jc : 穩(wěn)態(tài)條件下 接合面?zhèn)鲗?dǎo)至外殼的熱阻

　　大多數(shù)的應(yīng)用里 , 開關(guān)式電源供應(yīng)線路皆把場效應(yīng)晶體管當(dāng)作開關(guān)使用。 因此 , 當(dāng)一連串的脈沖開關(guān)場效應(yīng)晶體管時 , 其功率消耗及接合面溫度的變化是取決于峰值功率以及脈沖寬度的大小。 此時的瞬時熱阻可基于時間的變化導(dǎo)出如下式 :

　　Z θ jc(t) = r(t) x R θ jc ---------- (2)

　　其中 r(t) 代表一個散熱能力的參數(shù)。當(dāng)脈沖寬度非常短時 , r(t) 也相對很小。但當(dāng)脈沖寬度很長時 , r(t) 會接近于 1, 此時瞬時的熱阻也會與穩(wěn)態(tài)時一樣高。圖六所示是 Fairchild Semiconductor 所提供的瞬時熱阻參數(shù)曲線圖。從此圖中 , 在瞬時條件下其接合面溫度可導(dǎo)出如下式 :

　　Tj = PD x Z θ jc(t) + TC ---------- (3)

　　舉例說明 , 當(dāng)一個 2KW 的電源脈沖加至 FQA11N90 的脈沖時間為 1uS 時 , 我們可依據(jù)圖六的曲線算出此脈沖功率對接合面所產(chǎn)生的溫升為

　　T = PD x Z θ jc(1uS) = 2000 x 1.49 x 10-3 » 3 ° C

　　此脈沖功率如此之大 , 但其所造成的上升溫度變化僅有 3 ° C 。但不要忘了 , 在規(guī)格書中所記載的額定消耗功率是以穩(wěn)態(tài)條件下去推導(dǎo)出來的。 在瞬時條件下 , 像如此的脈沖可以讓場效應(yīng)晶體管承受更大的功率損耗。

　　在上面的例子中 , 要在圖六里找出 1uS 的瞬時條件曲線是無法求出的。假使我們所得到的脈沖寬度太短而且超出此圖曲線范圍之外 , 我們已知單一脈沖的瞬時熱阻是與時間的均方根成正比。因此 Z θ jc(1uS) 可得到如下式 :

　　Z θ jc(1uS) = Z θ jc(10uS) x Ö 1uS/10uS = 4.72 x 10-3 x Ö 0.1 = 1.49 x 10-3

　　其中 Z θ jc(10uS) 可由圖六得知

　　上述的熱阻效應(yīng)是由方波的基礎(chǔ)所求得 , 那我們可不可以針對不同的波形或形狀而得到熱阻的效應(yīng)。然而可預(yù)知的 , 這需要非常復(fù)雜的計算及數(shù)學(xué)運(yùn)算以求出所要的結(jié)果 , 最好還是由近似法以求得所要的熱阻效應(yīng)。 圖七就舉了兩個例子以近似法來說明 , 一個是三角波 , 另外一個是正弦波。

　　在導(dǎo)出的公式 (3) 中 , 它也可以被應(yīng)用在連續(xù)形式的脈沖當(dāng)中。公式 (3) 可被修改如下以求得其瞬時熱阻 :

　　Z θ jc(t) = [t1/t2 + (1-t1/t2) x r(t1+t2) + r(t1) – r(t2)] R θ jc = t1/t2 R θ jc(1uS) + (1-t1/t2) Z θ jc(t1+t2) + Z θ jc(t1) - Z θ jc(t2) ----- (4)

　　其中 t1 : 連續(xù)脈波的脈波寬度 　　t2 : 連續(xù)脈波的總合時間

　　公式 (4) 適合于無限脈沖波之情況。當(dāng)沖擊波是有限個數(shù)時，其 R θ jc(1uS) 應(yīng)由 Z θ jc(T) 替換下來，其中 T 是有限沖擊波持續(xù)的時間。

　　假設(shè)一種情況 , 當(dāng)一組開關(guān)電源線路在做短路測試時 , 其量測到的場效應(yīng)晶體管的 Drain 及 Source 兩端電壓超過了其最大的額定電壓 , 而且持續(xù)了一段時間直到短路保護(hù)動作。此條件下的參數(shù)如下 : FQA9N90C 為其場效應(yīng)晶體管 , 100nS tAV, 9.2uS 周期長度以及 20mS 延遲時間。在此條件下 , 其瞬時的熱阻計算如下

　　Z θ jc(t) = 0.01 x Z θ jc(20mS) + (1-0.01) Z θ jc(9.3uS) + Z θ jc(100nS) - Z θ jc(9.2uS) = 0.00274 ° C/W

　　我們假設(shè)有 5KW 的功率消耗 此時會消耗在場效應(yīng)晶體管上 那么所得到的接合面溫度會上升如下

　　D T = 5000 x 0.00274 = 13.7 ° C

　　此 13.7 ° C 為崩潰時所產(chǎn)生的溫升變化 因此 設(shè)計者必須先計算出此場效應(yīng)晶體管得正常工作接合面溫度 然后再加上因崩潰效應(yīng)所上升的溫度 此溫度結(jié)果必須低于額定最大溫度 在加上一些安全余裕以達(dá)到可靠度及信賴度的要求。

　　5. 結(jié)論

　　設(shè)計者所經(jīng)常面臨到的場效應(yīng)晶體管的崩潰應(yīng)用問題 希望可以經(jīng)由上述崩潰效應(yīng)模式的分析以及接合面溫度的計算提供給設(shè)計者更好的分析工具。