安森美半導體以超低電容技術(shù)擴充ESD保護產(chǎn)品系列

　　全球領先的電源管理和電路保護半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充高性能片外靜電放電(ESD)保護產(chǎn)品系列，推出兩款業(yè)界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。這些新產(chǎn)品以安森美半導體專有的集成ESD保護平臺設計，提高了鉗位電壓性能，同時保持低電容和小裸片尺寸。

　　ESD7L5.0D采用極小的1.2 mm x 1.2 mm x 0.5 mm SOT-723封裝，保護每條線路0.5皮法(pF)電容的兩條高速數(shù)據(jù)線路。將安森美半導體的低電容技術(shù)集成至3引腳封裝為設計人員提供以單個器件保護USB2.0端口D+和D-線路的解決方案。ESD7L5.0D也能夠連接陰極至陰極，保護0.25 pF電容的一條雙向線路，非常適用于保護高頻射頻(RF)天線線路。

　　NUP4212采用小巧的1.6 mm x 1.6 mm x 0.5 mm UDFN-6封裝，保護每條線路0.7 pF的4條高速數(shù)據(jù)線路和2條Vcc電源線路。使設計人員能夠采用單個集成器件保護兩個USB端口上的D+和D-線路及Vcc線路。

　　這兩款新器件的主要特點，都來自安森美半導體傲視同儕的專有技術(shù)。ESD7L5.0D和NUP4212能夠?qū)?5千伏(kV)的輸入ESD波形在數(shù)納秒(ns)內(nèi)鉗位至低于7伏(V)，確保當今的對ESD敏感的集成電路(IC)具有最高水平的保護。諸如聚合物和陶瓷壓敏電阻等其它低電容片外ESD保護技術(shù)也提供低電容，但它們的ESD鉗位電壓遠高于安森美半導體的解決方案。此外，安森美半導體這些硅器件沒有無源技術(shù)的磨損問題，在經(jīng)受ESD等多次浪涌事件后可靠性和性能都不會受到影響。

　　安森美半導體標準產(chǎn)品部全球市場營銷副總裁麥滿權(quán)說：“安森美半導體推出針對高速數(shù)據(jù)應用的超低電容產(chǎn)品，持續(xù)擴大我們在高性能ESD保護解決方案的領先地位。下一代便攜應用需要在越來越高的數(shù)據(jù)率下具有更高的性能和更大的設計靈活性。安森美半導體不斷配合這個趨勢，推出完整的低電容ESD保護解決方案系列。”

　　采用這個技術(shù)平臺的首款產(chǎn)品ESD9L5.0S以技術(shù)、應用和設計創(chuàng)新方面的巨大進步而榮獲美國《Electronic Products》雜志以及中國《今日電子》雜志各頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎。

　　ESD7L5.0DT5G采用SOT-723封裝，每8,000片的批量單價為0.20美元。NUP4212采用UDFN-6封裝，每3,000片的批量單價為0.608美元。

　　更多技術(shù)信息請訪問安森美半導體電路保護網(wǎng)站http://www.onsemi.com.cn/circuitprotection或聯(lián)系麥滿權(quán)(電郵：M.K.Mak@onsemi.com)。