Tensilica新產(chǎn)品在意法半導體的90納米工藝下達到500MHz
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ST公司配置Tensilica的Xtensa V處理器內(nèi)核將用于典型的網(wǎng)絡多核應用,并利用專門的32k-byte cache設計和先進的物理綜合技術在90納米的工藝下進行優(yōu)化。其流片出來的芯片在0.9V電壓下操作頻率可以達到500 MHz,同時保證了相當?shù)偷墓?,只?.16 mW/MHz.
這些結果使Tensilica的Xtensa LX和Xtensa V處理器內(nèi)核無論是在傳統(tǒng)的CPU控制中應用,還是作用于高速應用的加速--例如作為RTL(寄存器傳輸級)模塊設計的替代選擇,都具有無可比擬的吸引力。Tensilica的Xtensa可配置處理器內(nèi)核除了作為完全可編程的32位處理器以外,還可以使整個系統(tǒng)的設計更快,它能夠自動驗證,并且它的結構保證了其正確性。設計者可以在Tensilica公司的XPRESÔ編譯器上運行已有的C/C++算法來自動的在一個小時內(nèi)對Xtensa LX處理器內(nèi)核進行定制,而一個典型的RTL的設計周期一般需要6到9個月的設計投入。
Tensilica公司與ST公司在該實驗項目上密切合作,以評估利用Xtensa處理器內(nèi)核進行設計的速度和難易度?!拔覀冇芍缘母兄xST公司的努力,證明了Xtensa LX處理器內(nèi)核是最快的、可綜合的可配置處理器內(nèi)核。我們雙方的客戶都確信通過使用 ST公司90納米的設計平臺,他們可以取得他們所需要的高性能?!盩ensilica 公司的CEO Chris Rowen先生說,“而那些對時鐘速率要求很多的設計團隊應該關注ST公司的高性能90納米工藝.”
ST公司90 納米的設計平臺是針對片上系統(tǒng)(SoC)和ASIC在無線、消費電子及網(wǎng)絡應用的解決方案。它的特色包括:高達9層的金屬的銅互連,低k電介系數(shù),雙閘氧化以及dual-Vt晶體管。其標準單元庫含有1000多個門單元,門延遲為11ps,庫密度每平方毫米超過400,000個門。
“我們許多的ASIC客戶將Tensilica的Xtensa 處理器內(nèi)核看作是能夠增加其設計靈活性的選擇,特別是在他們要在90納米的工藝上投資時,”意法半導體公司W(wǎng)LI部門ASIC BU總監(jiān)Flavio Benetti說,“這些處理器內(nèi)核顯示出來的如此高的時鐘速率和可擴展性使他們成為替代RTL設計的極具吸引力的方式,特別是它們可以很快的被修改以滿足特殊的應用的需求?!?
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