瑞薩發(fā)布雙類型功率MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換器
瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)近日宣布,推出適用于筆記本電腦及通信設(shè)備等產(chǎn)品的存儲(chǔ)器或ASIC同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類型功率MOSFET,可以實(shí)現(xiàn)更高的電源效率。據(jù)悉,此器件樣品將于在2008年10月在日本開始供應(yīng)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/86225.htmRJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET,構(gòu)成了一個(gè)采用WPAK『注1』(瑞薩封裝代碼)高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器,其面積為5.1×6.1 mm,厚度為0.8 mm(最大)。
RJK0383DPA的功能概括如下:
?。?)先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)了91.6%的高效電源效率。
RJK0383DPA采用先進(jìn)的第十代功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)了更高的電源效率。例如當(dāng)把12V輸入轉(zhuǎn)換成為1.1V輸出時(shí),電源效率為91.6%(在600 kHz開關(guān)頻率條件下),這是業(yè)界最高的效率。功率MOSFET處理的電源輸出電流比瑞薩早期的雙類型功率產(chǎn)品增加了一倍。
?。?)通過將之前配置雙封裝功率MOSFET的芯片的安裝面積減少一半,實(shí)現(xiàn)更為精巧的電源設(shè)計(jì)和安裝密度。
通過實(shí)現(xiàn)更高的電源效率,RJK0383DPA將配置雙封裝功率MOSFET的芯片安裝面積減少了大約一半,從而實(shí)現(xiàn)了更加小巧的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器和更高的安裝密度。RJK0383DPA在緊湊型移動(dòng)設(shè)備的應(yīng)用上顯得尤為有效。
據(jù)悉,RJK0383DPA的后續(xù)產(chǎn)品將是采用不同額定輸出電流的兩款新品——RJK0384DPA和RJK0389DPA,樣品預(yù)計(jì)將于2008年10月在日本交付。
產(chǎn)品背景
典型的通信設(shè)備,便攜式PC、圖形卡等信息設(shè)備,以及存儲(chǔ)器、ASIC、圖形處理單元(GPU)等元器件都使用不同的電源電壓,需要使用多個(gè)同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。此外,最近幾年由于更多功能和性能以及數(shù)據(jù)處理量的增加,獨(dú)立的微處理芯片的功耗也在不斷增加。這對(duì)具有更低電壓和更高電流規(guī)格的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器提出了更高要求,當(dāng)一個(gè)系統(tǒng)中使用的功率MOSFET數(shù)量增加時(shí)問題便會(huì)出現(xiàn)。
為了滿足這些要求,瑞薩提高了其功率MOSFET產(chǎn)品的性能,并改進(jìn)了封裝配置。通過采用雙封裝配置提高了同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的電源效率,在沒有增加功率MOSFET數(shù)量的基礎(chǔ)上增強(qiáng)了電源輸出電流。此外,瑞薩還開發(fā)和批量生產(chǎn)了在一個(gè)封裝中集成兩個(gè)功率MOSFET的雙類型產(chǎn)品,進(jìn)而減少了安裝面積。不過,由于散熱問題,雙類型功率MOSFET產(chǎn)品的電源效率不像雙封裝功率MOSFET配置那樣好,而且電流輸出較低。很明顯,市場(chǎng)需要一種具有改善電源效率的雙類型功率MOSFET產(chǎn)品,來滿足移動(dòng)設(shè)備的小型化需求。
新型RJK0383DPA是采用先進(jìn)的第十代低損耗工藝制造的雙類型功率MOSFET,與瑞薩較早的雙類型產(chǎn)品相比,它可以實(shí)現(xiàn)高出大約7%的電源效率。
產(chǎn)品細(xì)節(jié)
RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET,一個(gè)作為高側(cè)單元,另一個(gè)是低側(cè)單元『注2』。高側(cè)功率MOSFET具有1.5 nC(VDD=10V時(shí))的漏-柵負(fù)載(Qgd),可以實(shí)現(xiàn)高開關(guān)速度和更高的效率。低側(cè)功率MOSFET具有3.7 mΩ(典型值:4.5 V)的低導(dǎo)通電阻『注3』(RDS(on)),可以降低功率損耗。
此外,低側(cè)功率MOSFET還在同一個(gè)芯片上集成了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD),以盡量降低彼此之間的布線電感『注4』,這就加快了DC/DC轉(zhuǎn)換器死區(qū)時(shí)間流到肖特基勢(shì)壘二極管的電流開關(guān)速度,從而進(jìn)一步降低了損耗。它還可以有效地抑制開關(guān)期間的電壓尖峰,進(jìn)而減少噪聲。
用于制造RJK0383DPA的第十代工藝可以實(shí)現(xiàn)比此前的第九代工藝更低的損耗和更高的效率。該器件的導(dǎo)通電阻約為30%以下,而柵電荷電容(Qg)和漏-柵負(fù)載(Qgd)的不同特性大約分別為27%和30%,兩者都與較早的功率MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻相當(dāng)。
RJK0383DPA的后續(xù)產(chǎn)品是兩款不同額定輸出電流產(chǎn)品-RJK0384DPA和RJK0389DPA,未來適用于其他DC/DC轉(zhuǎn)換器電源指標(biāo)的更多產(chǎn)品將加入該系列當(dāng)中,以滿足各種市場(chǎng)需求。
典型應(yīng)用
用于筆記本電腦、圖形卡、服務(wù)器和通信設(shè)備的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器。
評(píng)論