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          LCD TV中的電源應(yīng)用方案

          作者:Vishay公司 時(shí)間:2008-09-22 來(lái)源:中電網(wǎng) 收藏

             架構(gòu)的介紹

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/88245.htm

            圖1所示為 架構(gòu),圖中架構(gòu)的輸入電壓為90-265V,輸入頻率從47Hz到63Hz,經(jīng)過(guò)調(diào)試整流后會(huì)經(jīng)過(guò)PFC架構(gòu),由于本文主要針對(duì)MOS,因此圖中沒(méi)有表示出調(diào)試整流部分。PFC根據(jù)所使用的IC選擇采用DCM或者CCM。從PFC出來(lái)后有一個(gè)PWM,如果輸出功率小于65W,則PWM端采用Flyback或QR模式?,F(xiàn)在 常用的是半橋共振和LLC架構(gòu)。5V一側(cè)有備用,目前LCD TV的備用電源通常采用的是IC綁定MOS。所不同的是逆變器部分,傳統(tǒng)輸出是24V,此處采用的則是LIPS架構(gòu),并從PFC端將400V電壓直接加到此處。電壓從24V增加到400V的好處是:電流相對(duì)變小,因此效率更好;而且24V逆變器采用的是全橋式架構(gòu),需4個(gè)MOS,而如果采用LIPS架構(gòu)則采用半橋架構(gòu),只需要兩個(gè)MOS,隨著MOS量的減少,成本也隨之降低。

            圖2所示為一個(gè)實(shí)際的TV板。從圖1的電源架構(gòu)角度看,該電路板中有兩個(gè)STEP EMI內(nèi)核,圖中標(biāo)記了紅色的部分有一個(gè)PFC MOSFET,目前Vishay主推IRFP27N60KPBF,PWM的MOSFET采用的是半橋LLC架構(gòu),這一部分用500V MOS即可,該電路板使用的是IRFB840APBF。此外還有3組輸出,即5V、12V和24V,以及一個(gè)5V的備用電源。

            拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及工作原理

            PFC即Power Factor Correction,是一個(gè)升壓式架構(gòu)。當(dāng)PFC控制器的電源大于70W小于200W時(shí),通常會(huì)采用DCM結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)電壓比較高,通常需要選擇600或650V的MOS。當(dāng)電源大于200W時(shí),通常采用CCM結(jié)構(gòu)。對(duì)于一次側(cè)PWM拓?fù)浼軜?gòu),如圖3所示,一般采用的是Flyback架構(gòu)。電源為65W或90W以下的適配器會(huì)采用Flyback架構(gòu),26"和32"電視也可能采用Flyback架構(gòu)。半橋結(jié)構(gòu)需要兩個(gè)MOS,而全橋結(jié)構(gòu)需要4個(gè)MOS。其實(shí)半橋和全橋式架構(gòu)比較適用于大電源中。目前廣為接受的TV電源主要是LLC架構(gòu),是由兩個(gè)MOS Q1和Q2串聯(lián)Cr、Lr和Lm,以及一個(gè)變壓器組成,如圖3中右下圖所示。還有一些情況采用Forward和Double Forward構(gòu)架,由于Forward電壓非常大,可能達(dá)到900-1000V,因此電壓選擇要謹(jǐn)慎。而對(duì)于Double Forward而言,500V電壓足矣。

            零電壓切換

            由于共振切換方式中電壓電流交叉面積變小,相對(duì)開(kāi)關(guān)損耗變小,效率變高,溫度降低,因此通常采用共振切換的方式,目前最常用的是零電壓切換。由于采用LC架構(gòu),其共振頻率為 f_{r}=frac{1}{2πsqrt{L_{r}C_{r}}},當(dāng)操作頻率大于共振頻率時(shí),則操作在ZVS(零電壓切換)架構(gòu)上。從圖4中可以看到,當(dāng)電流增加時(shí)電壓為零,電壓增加時(shí)電流為零。只有在電流減小電壓增加的瞬間才有小小的切換損耗,而大部分時(shí)間無(wú)損耗,相對(duì)于共振損耗來(lái)講,這種情況損耗更小,因此ZVS架構(gòu)效率更好。

            LLC共振轉(zhuǎn)換器

            圖5所示為半橋共振LLC共振轉(zhuǎn)換器,這種架構(gòu)根據(jù) f_{r}=frac{1}{2πsqrt{L_{r}C_{r}}}計(jì)算出共振頻率的第一個(gè)點(diǎn)和第二個(gè)點(diǎn)。一般情況下希望將LLC共振設(shè)計(jì)在ZVS區(qū)域內(nèi)。如果在ZCS區(qū)域內(nèi)損耗比較大,只需將開(kāi)關(guān)頻率設(shè)計(jì)成大于共振頻率即可實(shí)現(xiàn)。圖5中右上角的圖表示了開(kāi)關(guān)頻率隨著電壓增益變換關(guān)系圖。共振LLC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用于LCD TV時(shí)的優(yōu)點(diǎn)有:

            1)高效率:初級(jí)MOS零電壓切換幾乎沒(méi)有損耗,而且次級(jí)整流二極管為ZCS切換,損耗較少,因此整體效率得到提升;
            2)高電源密度;
            3)良好的EMI(低dV/dt和dI/dt);
            4)更好的交叉調(diào)整率;
            5)較低的輸出紋波噪聲;
            6)低熱擾動(dòng)
            7)節(jié)約成本

            LLC拓?fù)涞墓ぷ髟?/strong>

            圖6所示為L(zhǎng)LC拓?fù)涞墓ぷ髟???梢钥吹阶筮厼閮蓚€(gè)MOS(高壓MOS和低壓MOS)串聯(lián)兩個(gè)電感,一個(gè)電容和一個(gè)變壓器。二次側(cè)部分有兩個(gè)整流二極管,為非同步整流方式。圖的右側(cè)為電流與電壓變化分段示意圖。在T0-T1階段,兩個(gè)MOS沒(méi)有導(dǎo)通,電流通過(guò)MOS的二極管逆流回去;在T1-T2階段,高壓側(cè)MOS導(dǎo)通,電流從VDC流到地,在二次側(cè)部分的二極管導(dǎo)通;T2-T3唯一改變的是二次側(cè)的二極管關(guān)斷,電流從Vout流出,兩邊為隔離狀態(tài),高壓側(cè)MOS還是導(dǎo)通,低壓側(cè)MOS還是關(guān)閉的;T3-T4階段高壓MOS關(guān)掉,低壓MOS沒(méi)有導(dǎo)通,但是電流通過(guò)低壓側(cè)MOS的二極管,二次側(cè)的二極管也導(dǎo)通;T4-T5階段低壓MOS完全導(dǎo)通,二次側(cè)的二極管也完全導(dǎo)通;T5-T6階段二次側(cè)二極管關(guān)斷,低壓MOS導(dǎo)通。

            Vishay目前擁有的LCD TV電源的產(chǎn)品

            Vishay目前主推的LCD TV高壓MOS為Gen6,是一種比較新的技術(shù),以6"晶圓制造,其中包括K-Series與L-Series,可以從器件命名的最后一個(gè)字母看到。K-Series比較適用于PFC AC/DC SMPS以及電機(jī)驅(qū)動(dòng),或者硬開(kāi)關(guān)全橋的初級(jí)開(kāi)關(guān)、半橋、正向式轉(zhuǎn)換器等。L-Series很適合AC/DC SMPS ZVS全橋中的初級(jí)開(kāi)關(guān)。圖7和圖8列出了1M的電壓產(chǎn)品。


            應(yīng)用實(shí)例

            圖9所示為一個(gè)采用LLC的LCD TV應(yīng)用,其中用紅色圈起來(lái)的部分為針對(duì)PFC的MOS和半橋共振的MOS所推薦的型號(hào)。在半橋共振部分,實(shí)際應(yīng)用中選擇500V的MOS即可。

            問(wèn)答選編

            問(wèn):什么是主動(dòng)式PFC和被動(dòng)式PFC?
            答:被動(dòng)式PFC通常為一塊體積較大的電感,由多塊硅鋼片 外部纏繞銅線(xiàn)而成;而主動(dòng)式PFC則由電感線(xiàn)圈配合IC 控制芯片組成。主動(dòng)式PFC又被稱(chēng)為有源PFC,其特點(diǎn) 是功率因數(shù)可以很高,一般在95%以上,甚至可以達(dá)到 99%(而被動(dòng)式一般在80%),但由于其輔助電路較多需要 消耗一定的電能,所以轉(zhuǎn)換效率比被動(dòng)式PFC要低 2~3%(被動(dòng)式一般在80~85%),電源總功率=電源功率 因數(shù)X轉(zhuǎn)換效率,總體而言主動(dòng)式的電源總功率比較高, 一般比被動(dòng)式高10~15%,而此部分的電能被轉(zhuǎn)化為熱 量等直接浪費(fèi)掉了。主動(dòng)式PFC的優(yōu)點(diǎn)是整體效率高, 浪費(fèi)電能少,但成本較高,一般用于400W及以上的電源 中;還有一個(gè)缺點(diǎn)就是電磁干擾問(wèn)題比較嚴(yán)重,因此要 特別注意EMI濾波電路的設(shè)計(jì),也在一定程度上增加了 制造成本。

            問(wèn):設(shè)計(jì)LCD TV電源和設(shè)計(jì)普通電器的電源有何區(qū)別,設(shè)計(jì)中需注意什么?
            答:因?yàn)長(zhǎng)CD TV對(duì)元件溫度有限制,一般不能超過(guò)70℃,所以在散熱方面需要有更多的考慮,在元件的選擇上也 必須更加仔細(xì)。

            問(wèn):在降低LCD TV方面有沒(méi)有什么比較先進(jìn)的技術(shù)?
            答:在PFC端,需選用CCM架構(gòu);在PWM端,可以使用高 效的LLC topology。在二次側(cè)端,可以使用同步整流的 方式,使用MOSFET來(lái)代替Diode。

            問(wèn):對(duì)于像300W這樣大功率電源設(shè)計(jì)時(shí),電路采用隔離式的,還是采用非隔離式的好呢?
            答:隔離式較好。

            問(wèn):LCD TV電源主要考慮哪些方面?
            答:LCD TV電源要做到輕、薄、短、小、穩(wěn)定、耐用、效率高、 價(jià)格低。

            問(wèn):目前LCD TV電源系統(tǒng)的架構(gòu)最主流的是怎樣的?
            答:PFC+ LLC (PWM side)+同步整流(二次側(cè))。

            問(wèn):電源有哪些濾波手段?
            答:主要是電源輸入端的濾波:NTC限流、共軛電感抑制EMI 干擾、大電容濾波。

            問(wèn):在反饋電源方式時(shí),如何保證未被取樣電源的穩(wěn)定性?
            答:您可以采用鉗位的方法保證其他旁路的穩(wěn)定。

            問(wèn):怎樣有效減少開(kāi)關(guān)電源對(duì)其他設(shè)備的電磁干擾?
            答:對(duì)于電磁干擾的影響,常用的方法是屏蔽、接地和濾波。

            問(wèn):在降低LCD TV產(chǎn)品的問(wèn)題上,除了在電源上努力 外,還有什么其它方面可以考慮的?
            答:LCD TV產(chǎn)品主要分為幾部分,Power supply電源部分、 主板部分以及inverter背光,這些都會(huì)影響及效率, 當(dāng)然與屏的選擇也有關(guān)系。

            問(wèn):用于LCD TV電源設(shè)計(jì)上MOSET元件與用于微處理器 上的,有何不同?
            答:LCD TV選用的是高壓MOSFET;微處理器選擇的是低 壓的MOSFET。

            問(wèn):在LCD TV電源防靜電方面有沒(méi)有什么比較先進(jìn)的技術(shù)?
            答:LCD TV電源在整體設(shè)計(jì)上防靜電主要通過(guò)PCB板的布 線(xiàn),合理安排地線(xiàn)的布局;當(dāng)然一些元器件也有防靜電 功能,象IC、MOS等,在MOS的周邊也可加相應(yīng)的元器 件實(shí)現(xiàn)部分電路的防靜電功能。

            問(wèn):設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),需要考慮哪些因素?
            答:開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)是一個(gè)系統(tǒng)工程,不但要考慮電源自身 參數(shù)設(shè)計(jì),還要考慮電氣設(shè)計(jì)、電磁兼容設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)、 安全性設(shè)計(jì),如果是特別要求的電源甚至還要考慮三防 設(shè)計(jì)等方面。

            問(wèn):在LCD TV中,Lips(二合一電源)必不可少,如何處理 MOSFET溫升以及EMC的問(wèn)題,尤其是該如何設(shè)計(jì)好 其中的DC/AC(inverter)部分呢?
            答:如果是以MOS來(lái)講,選擇低的Rds(on),低的Qgd可降 低導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損耗,減少溫升,對(duì)于EMC方面,可選擇 低的Trr/Qrr的MOS來(lái)解決,須綜合考慮。

            問(wèn):如果采用同步整流,對(duì)于二次側(cè)的MOSFET的選用有 什么要考慮的?
            答:對(duì)于同步整流是通過(guò)替換原有的二極管達(dá)到提高效率 的目的,開(kāi)關(guān)MOS盡量選擇低Qgd,減少開(kāi)關(guān)損耗;對(duì) 于導(dǎo)通MOS,要考慮低的Rds(on)以減少導(dǎo)通損耗。

            問(wèn):LLC運(yùn)行優(yōu)點(diǎn)有哪些?會(huì)成為以后DC-DC設(shè)計(jì)的趨勢(shì) 嗎?
            答:LLC模式是現(xiàn)今POWER電源設(shè)計(jì)的趨勢(shì),它除了可以 在把整體的電壓水平拉低之外,還能更好地提高效率, 在 元器件選型及成本方面也有很大優(yōu)勢(shì).。

            問(wèn):220V的電源轉(zhuǎn)換為幾路直流電之后,哪些脈沖較大? 需要做過(guò)流保護(hù)么?
            答:一般PWM IC都有過(guò)流保護(hù),不用太擔(dān)心這個(gè)問(wèn)題。

            問(wèn):針對(duì)LCD TV應(yīng)用方案,應(yīng)如何選用高壓MOSFET?在 選用MOSFET時(shí)都應(yīng)注意哪些方面?
            答:首先要決定電壓大小Vds、電流ID、封裝。這些選定后, 再去看Rds(on)*Qg 值,越低越好,不過(guò)價(jià)格也會(huì)較貴。 Trr、Qrr、dv/dt也是影響EMI 的參數(shù)。

            問(wèn):在LCD TV電源防靜電方面有沒(méi)有比較先進(jìn)的技術(shù)?
            答:LCD TV電源在整體設(shè)計(jì)上防靜電主要通過(guò)PCB板的布 線(xiàn)并合理安排地線(xiàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)然一些元器件也有防靜 電功能,象IC、MOS等,在MOS的周邊也可添加相應(yīng)的 元器件實(shí)現(xiàn)部分電路防靜電功能。

            問(wèn):什么是RoHS標(biāo)準(zhǔn)?都有哪些產(chǎn)品需要通過(guò)RoHS標(biāo)準(zhǔn) 認(rèn)證???
            答: RoHS是《電氣、電子設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì)指 令》(The Restriction of the use of certain Hazardous sub stances in Electrical and Electronic Equipment的英文 縮寫(xiě)),此項(xiàng)規(guī)定是歐盟(EU)對(duì)進(jìn)入歐洲的電子產(chǎn)品限 制使用六種有害物質(zhì)的禁令, 一般電子、電氣產(chǎn)品都需 要通過(guò)RoHS。



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