美國國家半導(dǎo)體推出 低電壓放大器

這幾款采用模擬 VIP50 工藝技術(shù)制造的全新芯片可以大幅提高便攜式電子產(chǎn)品及工業(yè)系統(tǒng)的精確度及電源使用效率 


二零零五年九月二十七日 -- 中國訊 -- 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代號(hào)：NSM) 采用該公司專有的全新 VIP50 工藝技術(shù)成功開發(fā) 6 款無論在準(zhǔn)確度、功耗及電壓噪音都有大幅改善的運(yùn)算放大器，預(yù)計(jì)這些新芯片可以滿足工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療設(shè)備及汽車電子系統(tǒng)等產(chǎn)品市場的需求。這幾款芯片除了在上述幾方面有大幅改進(jìn)之外，所采用的封裝也極為小巧，因此也很適合便攜式電子產(chǎn)品采用。美國國家半導(dǎo)體在另一份相關(guān)的新聞發(fā)布中詳細(xì)介紹這種 VIP50 工藝的特色及技術(shù)規(guī)格。 

美國國家半導(dǎo)體是低功率、低電壓放大器的領(lǐng)導(dǎo)者，該公司推出 4 款型號(hào)分別為 LMV651、LMV791、LPV511 及 LPV7215 的全新放大器，其特色是增益帶寬積達(dá)到世界的先進(jìn)水平。以 12 MHz 單位增益帶寬的 LMV651 放大器為例來說，這款放大器比采用 SOT 及 SC70 封裝的主要競爭產(chǎn)品節(jié)省多達(dá) 90% 的用電。其他的產(chǎn)品也各有自己的優(yōu)點(diǎn)，其中包括低至 1mA 以下的電流以及高達(dá) 12V 的操作電壓等特色，而采用 SC70 封裝的納安 (nanoamp) 比較器則只有 6.6ms 的傳播延遲。 

美國國家半導(dǎo)體一直致力壯大高精度放大器系列的產(chǎn)品陣容，今次推出的 LMP7701 及 LMP7711 是該公司這方面的努力成果。這兩款芯片是該公司新一代運(yùn)算放大器系列的首兩個(gè)型號(hào)，具有性能更高、輸入偏置電壓低于 300mV、輸入偏置電壓保證低于 200fA、以及操作電壓高達(dá) 12V 等優(yōu)點(diǎn)。 

美國國家半導(dǎo)體放大器產(chǎn)品部副總裁 Erroll Dietz 表示：「客戶都要求我們提供性能更高、功耗更低的產(chǎn)品。先進(jìn)工藝技術(shù)的成功開發(fā)正好為美國國家半導(dǎo)體提供一個(gè)好契機(jī)，讓我們可以乘勢在市場上脫穎而出。VIP50 的成功研發(fā)讓美國國家半導(dǎo)體可以充分利用我們在工藝技術(shù)上的優(yōu)勢，開發(fā)高性能的放大器。這 6 款新產(chǎn)品的推出使我們一方面可以壯大高精度放大器系列的產(chǎn)品陣容，而另一方面又可繼續(xù)保持我們在低電壓、低功率產(chǎn)品市場上的領(lǐng)導(dǎo)地位。」

高精度放大器：輸入電流低至幾十飛安 (Femto Amp) 以確保傳感器接口準(zhǔn)確無誤 

LMP7711 單組裝運(yùn)算放大器可以提供低電流 (50fA) MOS 輸入，但所產(chǎn)生的噪音仍然不會(huì)超過 7nV/sqrt Hz，這個(gè)優(yōu)點(diǎn)有助減少失真及信號(hào)調(diào)節(jié)錯(cuò)誤。由于這款放大器獲得高精度薄膜電阻及準(zhǔn)確匹配的晶體管配對(duì)為其提供支持，因此輸入電壓偏移錯(cuò)誤保證不會(huì)超過 200mV，共模抑制比 (CMRR) 又可提高至 95dB，而電源抑制比 (PSRR) 則可提高至 100dB。此外，即使這款芯片在 -40