安森美半導(dǎo)體推出下一代高速電信設(shè)備用浪涌保護器件系列

　　2008年10月10日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的低電容晶閘管浪涌保護器件(TSPD)系列，專為保護下一代高速電信設(shè)備而設(shè)計。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力，同時維持低電容和低泄漏，是先進電信產(chǎn)品的極佳組合。

　　NP0080、NP0120和NP0160低電容、低泄漏TSPD器件采用節(jié)省空間的TSOP-5封裝，保護數(shù)字用戶線路(DSL)芯片組和線路驅(qū)動器。雖然在正常電路工作期間它們本質(zhì)上并不參與工作，但在發(fā)生浪涌和靜電放電(ESD)事件時它們發(fā)揮極佳的電路保護性能。它們在工作電壓范圍內(nèi)擁有小于3皮法(pF)的固有低差分電容，能夠排除高速數(shù)據(jù)線路上的信號失真。這NP0xxx TSPD系列提供極佳保護，在發(fā)生8 x 20微秒(uS)浪涌事件時，具有大于50安(A)的電流承受能力。它們通常在接入和客戶端設(shè)備(CPE)的DSL隔離變壓器和DSL線路驅(qū)動器之間用作第三級保護。

　　安森美半導(dǎo)體新的TSPD系列還包括以高性價比SMB封裝的市場領(lǐng)先的超低電容NP-MC系列。這器件系列具有低于30 pF的超低電容，用于額定電流100 A的器件，為設(shè)計人員在不同高速應(yīng)用中提供替代氣體放電管(GDT)的選擇。由于具有超低的關(guān)態(tài)電容，NP-MC器件為VDS2+和T1/E1電路等高速設(shè)備提供微乎其微的信號失真。低額定關(guān)態(tài)電容轉(zhuǎn)化為極低的差分電容，為所應(yīng)用的電壓或頻率提供極佳的線性度。它們通常在DSL隔離變壓器的線路端用作次級保護器。NP-MC系列器件包括NP0640SCMCT3G、NP0720SCMCT3G、NP0900SCMCT3G、NP1100SCMCT3G、NP1300SCMCT3G和NP1500SCMCT3G。

　　這些TSPD器件對于開發(fā)互聯(lián)網(wǎng)協(xié)定數(shù)字用戶線路接入復(fù)用器(IP-DSLAM)、家庭網(wǎng)關(guān)和調(diào)制解調(diào)器、語音IP(VoIP)及其它設(shè)備等可靠的接入和客戶端設(shè)備而言必不可少，幫助設(shè)計人員符合標準，并將對信號質(zhì)量的影響減至最小。

　　NP0080、NP0120和NP0160采用TSOP-5封裝，每3,000片批量的單價為0.2307美元。      NP-MC系列器件采用SMB封裝供貨，每2,500片批量的單價為0.2307美元。