中芯國際開發(fā)出0.11微米CIS工藝技術(shù)

　　北京時(shí)間10月23日消息，中芯國際(NYSE: SMI)今日宣布成功開發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器(CIS)工藝技術(shù)，在此工藝下生產(chǎn)的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪聲和相對照度都將得到增強(qiáng)。

　　中芯國際在中國提供完整的 CIS 代工服務(wù)，基于其豐富的領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)，該0.11微米 CIS 技術(shù)能力可以為客戶提供除0.15，0.18微米以外領(lǐng)先的解決方案及有競爭力的成本優(yōu)勢。該高度集成、高密度 CIS 解決方案，同時(shí)適用于鋁和銅后端金屬化工藝，可廣泛應(yīng)用于攝像手機(jī)、個人電腦、工業(yè)和安全市場等領(lǐng)域。中芯國際在該技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)開始進(jìn)入試生產(chǎn)階段，未來幾個月后也將在其200和300毫米芯片生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

　　中芯國際市場行銷中心副總裁歐陽雄表示，“利用優(yōu)化的工藝條件，我們可以成功減少暗噪聲，使其在弱光環(huán)境下實(shí)現(xiàn)性能，從而使我們的客戶能夠提供低成本、高性能的產(chǎn)品，有助于提升其競爭力，協(xié)助他們在擁有巨大潛力的 CIS 器件市場中取得領(lǐng)先地位。”