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          基于微控制器的LED驅(qū)動器拓撲、權(quán)衡和局限(05-100)

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          作者:飛思卡爾半導體 Pedro Pachuca,Rod Borras 時間:2009-02-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
           

           

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/91409.htm

            可以看到,采用這些值,R將消耗R×I2即0.7瓦(幾乎相當于的功率),因此總體效率就不可避免地低于50%。

            這種方法假定有恒定的VDD和恒定的VF。實際上,VF會隨著溫度的變化而變化,使得電流也發(fā)生變化。采用較高的VDD可以將由VF引起的總體電流變動降至最低,但是會在電阻器上產(chǎn)生巨大損耗,從而進一步降低效率。

            當我們構(gòu)造了一個流過的恒定電流后,就需要找到某種方法來設(shè)置不同的發(fā)光度。我們知道這些總是需要以其標稱電流來驅(qū)動的,所以我們可以用可編程的占空比來通斷電流,從而實現(xiàn)對發(fā)光度的控制。這樣就需要一個開關(guān),如圖2B所示。

            2、采用線性電流源

            加上一個晶體管和/或一個運算放大器,可以把電流非常精確地設(shè)置為350毫安。不幸的是,總體效率和R的功率損耗問題依舊。

            3、采用低端開關(guān)(開關(guān)模式法)

            圖2C顯示了這一概念。如圖3所示,通過允許電感器L上的電流在開關(guān)導通時上升,在開關(guān)斷開時下降,我們可以調(diào)節(jié)流經(jīng)LED的電流。同任何感性負載一樣,當開關(guān)斷開時,我們需要為電流提供一條通路。這可以通過圖2D中的續(xù)流二極管來實現(xiàn),圖中我們用N通道MOSFET來代替開關(guān),并且加上電阻器R用以測量流經(jīng)LED的電流。

           



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