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          三星宣布投產(chǎn)40納米8Gb融合閃存芯片 
          
						
          
				作者：
				時間：2009-03-13
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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			        三星電子宣布，采用40nm工藝的Flex-OneNAND融合式閃存芯片已經(jīng)投產(chǎn)，容量也達到了8Gb。Flex-OneNAND是三星在2007年研發(fā)成功的一種新型閃存技術(shù)，將單層SLC NAND和多層MLC NAND整合在了一塊硅片上，有利于減少PCB占用空間、降低傳送噪聲、最大化地提高性能和效率。

                  三星稱，通過采用40nm新工藝和8Gb大容量，F(xiàn)lex-OneNAND閃存芯片的生產(chǎn)效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180％。40nm Flex-OneNAND當(dāng)前主要面向智能手機，不過三星認為今年底就會走入全高清電視、網(wǎng)絡(luò)電視(IPTV)和其他高端應(yīng)用領(lǐng)域，而且隨著數(shù)據(jù)傳輸率的提高，會有越來越多的高端手機集成1GB乃至32GB嵌入式內(nèi)存。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/92342.htm          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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