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	 > 新品快遞 > 三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2009-05-13
				來源：驅(qū)動(dòng)之家
				
				
				
				
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          　　三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND，這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進(jìn)的30nm工藝，適用于高端手機(jī)和其他移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝，其存儲(chǔ)密度是當(dāng)前40nm16Gb的兩倍。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/94293.htm

          　　每一個(gè)32GB moviNAND都有三部分組成，其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個(gè)MMC控制器，符合最新eMMCv4.3規(guī)范，支持縮短啟動(dòng)時(shí)間的加電啟動(dòng)功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個(gè)固件，能夠改善處理、存儲(chǔ)大容量數(shù)據(jù)時(shí)的性能。
          

          　　除了32GB，三星30nm moviNAND閃存卡還有16GB、8GB和4GB三種容量。
          
				
            
                
			
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                        嵌入式
                        閃存
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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