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	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > IR推出增強(qiáng)型25V及30V MOSFET
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          IR推出增強(qiáng)型25V及30V MOSFET
          
						
          —— 適用于負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2009-05-15
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/94404.htm

          　　新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的硅技術(shù)，可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負(fù)載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率。
          

          

          　　IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝，可比 SO-8封裝提供更高的功率密度，同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數(shù)目，滿足不同應(yīng)用的要求。”
          

          　　單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外，單個 N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝，而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，可以不含鹵素。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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                        MOSFET
                        硅技術(shù)
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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