中芯國(guó)際攜手常憶推出0.18微米嵌入式閃存工藝技術(shù)

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”),世界領(lǐng)先的集成電路制造公司之一，與領(lǐng)先的非易失性?xún)?nèi)存產(chǎn)品和 IP 供應(yīng)商常憶科技今日共同宣布，已成功推出中芯國(guó)際0.18微米嵌入式閃存工藝技術(shù)和 IP 組合包。

　　基于常憶科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 單元結(jié)構(gòu)專(zhuān)利，中芯國(guó)際的0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝，是芯片代工領(lǐng)先業(yè)者和嵌入式非揮發(fā)性記憶體專(zhuān)業(yè)廠(chǎng)商緊密合作的成果，現(xiàn)已全面通過(guò)認(rèn)證并即將批量生產(chǎn)。這一工藝技術(shù)可為客戶(hù)提供高性能，符合成本效益的非揮發(fā)性記憶體解決方案，具有高耐性(多達(dá)100K 的周期)和數(shù)據(jù)保存長(zhǎng)久(可達(dá)10年)的優(yōu)勢(shì)，已通過(guò)品質(zhì)驗(yàn)證并達(dá)成高良率目標(biāo)。

　　憑借其低功耗，面積小，配置靈活的優(yōu)點(diǎn)，0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝對(duì)客戶(hù)極具吸引力，可參與廣泛的應(yīng)用，如微控制器，USB 鑰匙，智能卡，以及快速成長(zhǎng)的汽車(chē)電子應(yīng)用?？蛻?hù)可將0.18微米技術(shù)作為一個(gè)起點(diǎn)，如已用更大的技術(shù)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，也可快速切入該先進(jìn)技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì) 。

　　“由于潛在的市場(chǎng)規(guī)模及廣泛的應(yīng)用，尤其是在中國(guó)，0.18微米嵌入式閃存工藝技術(shù)的推出具有重要意義。”中芯國(guó)際市場(chǎng)及業(yè)務(wù)中資深副總裁陳秋峰博士表示，“作為全球領(lǐng)先的代工廠(chǎng)商，中芯國(guó)際可提供嵌入式閃存和 EEPROM 技術(shù)以充分滿(mǎn)足我們客戶(hù)的需求。”

　　“這項(xiàng)先進(jìn)的新技術(shù)能使客戶(hù)開(kāi)發(fā)出高性能的產(chǎn)品并取得顯著的成本效益”，常憶科技總裁兼首席執(zhí)行官王筱瑜表示。“我們很高興與中芯國(guó)際合作，在如此短的時(shí)間內(nèi)成功建立了第三代 pFLASH 平臺(tái)。”