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          東芝提出16nm制程工藝 
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2009-06-16
				來源：驅(qū)動(dòng)之家
				
				
				
				
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			　　對(duì)于電子產(chǎn)品來說，制程的提升意味著性能、體積和功耗同時(shí)變得更好，所以很多半導(dǎo)體廠商都在制程提升上做出很多努力。近日，東芝提出了16nm制程工藝的方法。

          　　目前大多數(shù)存儲(chǔ)芯片處于30nm制程，而邏輯電路更是在42nm制程徘徊。而東芝已經(jīng)宣布他們?cè)谥瞥烫嵘先〉昧送黄疲麄円呀?jīng)可以制造出16nm甚至更低制程的場(chǎng)效應(yīng)管。突破的關(guān)鍵是他們使用了鍺代替現(xiàn)在流行的硅，鍺一直以來都被認(rèn)為有潛力制造更小的設(shè)備，但是它也比硅存在更多的問題，難于控制。但是現(xiàn)在硅化合物的潛能已經(jīng)發(fā)掘殆盡，所以人們?cè)僖淮螌⒛抗廪D(zhuǎn)向了鍺。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/95300.htm

          　　東芝稱他們將會(huì)在下周在東京舉行的2009 VLSI座談會(huì)上詳細(xì)講解他們的成果。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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