英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

　　今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會(huì)上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。

　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關(guān)模式電源(譬如面向全球市場的臺式機(jī)和計(jì)算機(jī)服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的理想選擇。電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計(jì)劃發(fā)起的80PLUS® Gold金牌認(rèn)證規(guī)定的新能效目標(biāo)，要求在美國能源之星計(jì)劃當(dāng)前的要求基礎(chǔ)上再使計(jì)算機(jī)的能效提高約10%。英飛凌此次新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET可以幫助滿足這些規(guī)范。英飛凌的OptiMOS™ 3 75V器件采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，相對于同類器件而言，導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%，結(jié)果可使SMPS的同步整流級的功率損耗降低高達(dá)10%。

　　英飛凌科技工業(yè)及多元化電子市場部副總裁兼總經(jīng)理Andreas Urschitz指出：“為客戶提供多種改進(jìn)能效的解決方案，多年來一直是英飛凌的核心戰(zhàn)略之一。如今我們已成為全球公認(rèn)的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)先供應(yīng)商。歸功于技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位、經(jīng)過驗(yàn)證的產(chǎn)品質(zhì)量、穩(wěn)定的供貨和客戶大力支持等因素，我們一直是主要OEM和ODM客戶的最佳供應(yīng)商，對此我們頗感自豪。”

　　全新推出的OptiMOS™ 3 75V系列，進(jìn)一步壯大了英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的陣容。目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS™ 3工藝制造的器件型號已接近100個(gè)，每款都具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻、極低的柵極電荷，降低產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和整體功耗。例如，OptiMOS™ 3 80V系列已成為電源同步整流的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。全新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列相對于80V系列而言，功率損耗降低10%，確保客戶達(dá)到更加嚴(yán)格的能效要求。

　　導(dǎo)通電阻最低溫度系數(shù)[<0.7%/°K]等特性，確保在溫度升高時(shí)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通損耗。更低的功率損耗消除了多器件并聯(lián)需求，并允許采用較小的散熱器，從而降低了系統(tǒng)成本。

　　英飛凌OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET還有助于客戶設(shè)計(jì)出更加緊湊的電源。例如，采用SuperSO8封裝的OptiMOS™ 3 75V器件可用于代替同等功率密度的D²PAK器件。這可使占板空間、垂直高度和封裝寬度分別降低60%、77%(從4.44毫米降至1毫米)和50%左右(從10.1毫米降至5.15毫米)。另外一案例，英飛凌還推出了采用TO-220封裝、典型導(dǎo)通電阻為2毫歐的高功率OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET器件，可替換兩顆替代性器件。

　　供貨情況與定價(jià)

　　英飛凌OptiMOS™ 3 75V 功率MOSFET系列包含一款采用SuperSO8封裝、導(dǎo)通電阻為4.2毫歐的器件，單價(jià)為0.7美元(訂購量達(dá)到10,000顆);同時(shí)，當(dāng)訂購量達(dá)到10,000顆時(shí)，采用TO-220、TO-262和D²PAK封裝的型號的單價(jià)分別為0.65美元(導(dǎo)通電阻等級為5毫歐)、 0.9美元(導(dǎo)通電阻等級為3毫歐)和1.7美元(導(dǎo)通電阻等級為2毫歐)。