英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

　　全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。

　　按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產(chǎn)。

　　在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。

　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸小到32納米。

　　目前英特爾與美光聯(lián)合體正計劃重新奪回領導地位,近期己推出34納米NAND芯片。

　　近期美光也準備推出2x nm NAND產(chǎn)品。按美光發(fā)言人說不僅是推出樣品,而是計劃今年Q4開始試產(chǎn)。

　　據(jù)Gartner分析師報告,美光己完成34納米的工藝轉移,并預計可節(jié)省成本35%。而IMFlash也正過渡到3x nm工藝。

　　IMFlash計劃于第三季末或第四季度初加緊向2x nm工藝過渡,而達到成本節(jié)省目的。美光也計劃于第四季度開始每單元3位技術的NAND閃存生產(chǎn),估計產(chǎn)量小于10%。

　　事情并沒有結束,三星也己開始42納米NAND閃存供貨。

　　依巴克萊投資公司報告,從數(shù)量計,三星的42納米產(chǎn)品與5x 納米混在一起計達30%,但是為了與東芝的32納米及美光的34納米競爭,三星正加緊3x 納米的出貨。

　　另外兩家,海力士及恒憶也在緊追,最近也推出41納米NAND產(chǎn)品。

　　DRAM領導者?

　　在DRAM領域,三星也不示弱,從2008年開始己經(jīng)產(chǎn)出56納米產(chǎn)品(占今日生產(chǎn)的50%)。目前已開始試制46納米樣品,并計劃在09年底,隨著5x納米產(chǎn)品持續(xù)增加,其全部100%產(chǎn)能在68納米之下。另一點有些不同,三星計劃在今年Q3/Q4實現(xiàn)DDR3及DDR2的交替。

　　目前DRAM最新消息,美光是50納米,三星及海力士分別為58及54納米。

　　爾必達報道已完成50納米DDR3的SDRAM研發(fā),這是一種新的低功耗DRAM芯片。

　　業(yè)界有人認為存儲器尺寸縮小并沒有實際意義,目前存儲器的運行模式己經(jīng)斷裂。即過去依靠cash flow推動投資,現(xiàn)在己經(jīng)失效。如此下去勢必推動工業(yè)進一步兼并。

　　Gartner分析師認為目前DRAM仍有市場需求及價格問題,與過去三周的另售價比,上周1Gb存儲器的價格為1,28美元,稍下降0,7%。

　　由于PC市場仍顯弱,相當于主流1Gb器件的價格為1,09美元,下降0,9%,反映市場仍處困難時期。

　　由于8Gb閃存價格有點上升,與之相反16Gb及32Gb NAND閃存的另售價稍有回落,總體上NAND價格較平穩(wěn),Gartner預計將進一步對于低密度的16Gb閃存產(chǎn)生壓力。