R8C/1B單片機的Flash編程/擦除掛起功能
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相關(guān)的寄存器
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/96982.htm與Flash編程/擦除掛起相關(guān)的寄存器是閃存控制寄存器4(FMR4)，F(xiàn)MR4有6個位均與編程/擦除掛起功能相關(guān)，請參見表2。
EW0模式的擦除掛起設定
對于EW0模式轉(zhuǎn)移到擦除掛起時，首先需要將FMR40位置“1”(允許掛起)、FMR41位置“1”(請求擦除掛起)，然后延遲一段時間(97μs+CPU時鐘周期×6)，在確認FMR46位為“1”(允許讀)后才能對用戶ROM區(qū)進行存取。如果將FMR41位置“0”(重新啟動擦除)，就重新開始自動擦除。設定過程如圖3所示。注意，在EW0模式，請將所使用中斷的中斷向量表和中斷程序存儲在RAM區(qū)中。
EW1模式的擦除掛起設定
對于EW1模式，首先需要將擦除掛起功能設定為有效，即將FMR40位置“1”(允許掛起)，并預先將需要響應的可屏蔽中斷設定為中斷允許狀態(tài)。這樣在執(zhí)行塊擦除命令后，如果該中斷產(chǎn)生，經(jīng)過一段時間延遲后(電氣特性推薦值為：97μs+CPU時鐘周期×6)，就能執(zhí)行擦除掛起，并接受中斷請求。如果發(fā)生中斷請求，F(xiàn)MR41位就自動變?yōu)?ldquo;1”，執(zhí)行擦除掛起。在結(jié)束中斷處理后，如果自動擦除還沒有結(jié)束(FMR00位為“0”)，就必須將FMR41位置“0”，重新開始自動擦除。設定過程如圖4所示。
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