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          耶魯大學和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器
          
						
          
				作者：
				時間：2009-08-14
				來源：semi
				
				
				
				
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          　　耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/97163.htm

          　　耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。
          

          　　“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，且更易微縮。”耶魯大學教授Tso-Ping Ma說道，“閃存在25nm節(jié)點會遇到障礙，但FeDRAM可隨CMOS工藝一同微縮至10nm以下。”
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            存儲器
                        DRAM
                        閃存
                        FeDRAM
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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