即將普及的碳化硅器件

　　專(zhuān)家指出，對(duì)于耗電大戶(hù)的信息業(yè)的數(shù)據(jù)中心，目前采用SiC器件在一年內(nèi)可收回投資。

　　目前影響SiC晶體管量產(chǎn)的兩個(gè)因素是其動(dòng)態(tài)電阻稍大和氧化層的可靠性。前者是由于SiC晶體管溝道移動(dòng)性低，后者則可影響到晶體管的可靠性。

　　SiC襯底市場(chǎng)

　　SiC器件的基礎(chǔ)材料是SiC襯底。決定SiC器件能否普及的是器件價(jià)格。影響價(jià)格的是器件成品率。而器件成品率受到襯底質(zhì)量的制約。2009年世界最大的SiC襯底廠(chǎng)商美國(guó)Cree公司，已可批量生產(chǎn)高質(zhì)量6英寸SiC襯底。2008年起，Cree公司已可量產(chǎn)無(wú)中空貫穿缺陷(微管)的SiC襯底。從2008年5月開(kāi)始，其微管基本為零的4英寸襯底能批量供應(yīng)。日本新日本制鐵2008年也生產(chǎn)出同樣基本無(wú)微管缺陷的4英寸襯底。

　　在SiC襯底市場(chǎng)方面，美國(guó)Cree公司壟斷了優(yōu)質(zhì)SiC襯底的供應(yīng)。2007年起，該公司在市場(chǎng)上供應(yīng)2至3英寸基本上無(wú)微管的襯底。2008年其位錯(cuò)為每平方厘米5千個(gè)。2009年將提供6英寸基本上無(wú)微管的襯底。其次是德國(guó)SiCrystal公司和日本新日鐵公司。SiCrystal2008年可提供基本上無(wú)微管的3英寸SiC襯底，其位錯(cuò)為每平方厘米2千個(gè);新日鐵目前擁有每平方厘米1個(gè)微管的3英寸SiC襯底，其位錯(cuò)為每平方厘米5千個(gè)至2萬(wàn)個(gè)，2009年稍晚些可推出4英寸SiC襯底。第3梯隊(duì)產(chǎn)品質(zhì)量一般，有日本東纖-道康寧合資公司和中國(guó)天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體公司。天科合達(dá)藍(lán)光公司在出售2英寸SiC襯底基礎(chǔ)上，2008年第3季度又推出了3英寸SiC襯底，其每平方厘米微管數(shù)量在50個(gè)以下。據(jù)Yolu發(fā)展公司的統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)，2005年至2009年SiC器件市場(chǎng)的年增長(zhǎng)率為27%，2010年至2015年的年增長(zhǎng)率為60%至70%。

　　有關(guān)專(zhuān)家指出，我國(guó)天科合達(dá)藍(lán)光公司進(jìn)入SiC襯底市場(chǎng)影響巨大。其將迅速降低國(guó)際市場(chǎng)上SiC襯底的售價(jià)，從而推動(dòng)SiC器件的更快普及。我國(guó)有關(guān)部門(mén)應(yīng)進(jìn)行支持，促進(jìn)SiC器件在國(guó)內(nèi)的應(yīng)用，而不要使其只為國(guó)外廠(chǎng)商，特別是日本廠(chǎng)商，做廉價(jià)原料的供應(yīng)商。