美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)副總裁解讀國(guó)際技術(shù)路線(xiàn)圖

　　問(wèn)：450mm晶圓工藝是業(yè)界一個(gè)有爭(zhēng)議的話(huà)題。450mm晶圓工藝所采用的光刻、干法刻蝕、濕法刻蝕以及清洗設(shè)備都需要更換，投資巨大。你認(rèn)為450mm晶圓工藝的前景如何?在技術(shù)上將面臨哪些挑戰(zhàn)?

　　答：在過(guò)去幾年里，半導(dǎo)體業(yè)界在450mm工藝領(lǐng)域的研發(fā)已經(jīng)開(kāi)始活躍起來(lái)。根據(jù)我們的路線(xiàn)圖，450mm晶圓工藝將在2014年到2016年之間推出。晶圓尺寸的增大雖然可能并不會(huì)降低產(chǎn)業(yè)的整體成本(TCO)，但肯定有利于降低芯片的制作成本。另外，如果450mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)的生產(chǎn)力能夠得到提高，那么300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)也將受益匪淺。因?yàn)?50mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)所采用的新工藝也可以在300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)上應(yīng)用。

　　從300mm升級(jí)到450mm的過(guò)程中，確實(shí)有很多棘手的技術(shù)問(wèn)題需要解決，有很多方面需要改善。從物理方面來(lái)看，晶圓變大并變重了，運(yùn)輸方面要面臨新問(wèn)題，工程方面也面臨很多新問(wèn)題。美國(guó)的半導(dǎo)體制造聯(lián)合會(huì)正在這方面采取行動(dòng)。從技術(shù)和工藝方面來(lái)看，在光刻、干法刻蝕、濕法刻蝕、清洗工序以及硅片均勻性方面都會(huì)有難題。目前這些問(wèn)題還沒(méi)有得到很好的解決，但這些問(wèn)題的解決都不涉及科學(xué)理論，而是可以通過(guò)工程技術(shù)來(lái)解決。我們業(yè)內(nèi)有很多杰出的工程師，我們相信他們最終能夠解決這些難題。當(dāng)然他們要花多長(zhǎng)時(shí)間來(lái)解決，我不能預(yù)測(cè)。因此，我認(rèn)為450mm晶圓生產(chǎn)是否可行，在很大程度上不是一個(gè)技術(shù)問(wèn)題，而是一個(gè)經(jīng)濟(jì)問(wèn)題。那些認(rèn)為450mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)在經(jīng)濟(jì)上可行的企業(yè)，自然會(huì)去推動(dòng)這一技術(shù)走向商用。

　　ITRS找到產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)和瓶頸很難量化ITRS價(jià)值

　　問(wèn)：國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作出了哪些貢獻(xiàn)?這種貢獻(xiàn)能否量化?

　　答：國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖可以提出半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)存在的挑戰(zhàn)，并指出一些新技術(shù)、新工藝存在的瓶頸，這使企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)能夠集中更多的資源、有針對(duì)性地加以解決。我認(rèn)為這是技術(shù)路線(xiàn)圖對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的貢獻(xiàn)。此外，對(duì)一家企業(yè)而言，通過(guò)技術(shù)路線(xiàn)圖可以與行業(yè)內(nèi)的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手做比較，來(lái)判斷自身在行業(yè)中所處的地位。但在技術(shù)路線(xiàn)圖的推出和實(shí)現(xiàn)過(guò)程中有很多不確定因素，我們很難用量化的指標(biāo)來(lái)衡量技術(shù)路線(xiàn)圖的價(jià)值。

　　問(wèn)：你剛才講到技術(shù)路線(xiàn)圖會(huì)指出新技術(shù)存在的瓶頸。那么，ITRS組織是如何選擇這些技術(shù)的?另外，在技術(shù)路線(xiàn)圖的制定過(guò)程中，ITRS組織依據(jù)什么對(duì)技術(shù)發(fā)展的進(jìn)度進(jìn)行預(yù)測(cè)?

　　答：我們會(huì)根據(jù)業(yè)已掌握的數(shù)據(jù)，去判斷哪些新技術(shù)需要我們投入力量去研究。當(dāng)然，我們做出這樣的判斷還需要依據(jù)業(yè)界公認(rèn)的技術(shù)參數(shù)?？梢哉f(shuō)，決定路線(xiàn)圖中技術(shù)發(fā)展進(jìn)度的不是ITRS組織本身，而是處于科研、生產(chǎn)第一線(xiàn)的工作人員。從長(zhǎng)期發(fā)展情況來(lái)看，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)和進(jìn)度是符合摩爾定律的。但是，一些創(chuàng)新的技術(shù)會(huì)把我們帶到一些嶄新的領(lǐng)域。Flash(閃存)技術(shù)就是一個(gè)這樣的例子。利用Flash技術(shù)，人們可以在不縮小器件特征尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)器件功能的最大化。對(duì)于ITRS組織而言，我們會(huì)在路線(xiàn)圖中客觀地反映這些創(chuàng)新技術(shù)。

　　問(wèn)：國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖選擇方向和問(wèn)題的依據(jù)是什么?

　　答：技術(shù)路線(xiàn)圖的宗旨是找到最困難的挑戰(zhàn)和瓶頸，并且集中資源來(lái)攻克這些瓶頸，找到解決方法。技術(shù)路線(xiàn)圖對(duì)問(wèn)題的選擇依照的是我們現(xiàn)在可以獲得的數(shù)據(jù)和資料。如果有新的資料，我們可以通過(guò)驗(yàn)證，整合到我們的數(shù)據(jù)庫(kù)中，成為我們選擇的新依據(jù)。