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電容器的主要參數(shù)有標(biāo)稱容量與允許偏差、額定工作電壓、絕緣電阻、溫度系數(shù)、電容器損耗和頻率特性等。 1. 電容器的標(biāo)稱容量與允許偏差 標(biāo)志在電容器上......
電容器是組成電路的基本電子原件之一，在各種電子產(chǎn)品和電力設(shè)備中被廣泛應(yīng)用。 1. 電容器和電容 任何兩個(gè)互相靠近而又彼此絕緣的導(dǎo)體都可構(gòu)成電容器。......
1. 電位器的作用 電位器實(shí)際上就是可變電阻器，由于它在電路中的作用是獲得與輸入電壓（外加電壓）成一定關(guān)系得輸出電壓，因此稱之為電位器。 2.&nbs......
1. 電阻器在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用 在電子產(chǎn)品中電阻器主要用作分壓、分流、限流和降壓，在如圖1所示的分壓電路中有 &n......
標(biāo)稱阻值 常用的標(biāo)稱阻值有E6、E12、E24系列，如表1所示。實(shí)際阻值與標(biāo)稱阻值的相對(duì)誤差稱為允許偏差。常用的精度有......
電阻器通常分為三類：固定電阻、特殊電阻及可調(diào)電阻。電阻器的具體分類如圖1所示。 圖1 電阻器的分類......
電阻器是組成電路的基本元件之一，在各種電子產(chǎn)品和電力設(shè)備中被廣泛應(yīng)用。 1. 電阻和電阻器 導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用叫電阻。電阻值用字母R表示，單位為......
NMOS集成運(yùn)算放大器中的器件全由NMOS FET構(gòu)成，它分成E/E型（全由增強(qiáng)型NMOS FET構(gòu)成）和E/D型（由增強(qiáng)型和耗盡型NMOS FET構(gòu)成）兩類。E/D型NMOS運(yùn)算放大器應(yīng)用比較廣泛。 圖1所示......
圖1所示為兩種不同溝道的器件NMOS FET T1和PMOS FET T2構(gòu)成的互補(bǔ)放大電路，稱為CMOS放大電路。其中，T1為放大管，T2作T1的有源負(fù)載。根據(jù)圖1(b)所示的小信號(hào)等效電路可求得CMOS放大電路的......
MOSFET與BJT相比,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn)：MOSFET是電壓控制器件，輸入偏流很?。?0-12A以下），輸入電阻高(1012Ω以上)；MOSFET功耗小，集成度高，抗輻射能力強(qiáng)；MOS工藝簡(jiǎn)單，便于大規(guī)模集成。因......
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