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          MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

          • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  MOSFET驅(qū)動(dòng)電路  

          PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路圖

          • 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類(lèi)型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
          • 關(guān)鍵字: PMOS  開(kāi)關(guān)管  MOSFET  二極管  

          安森美半導(dǎo)體推出汽車(chē)級(jí)非同步升壓控制器

          •   應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出用于汽車(chē)系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。   NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件,能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門(mén)驅(qū)動(dòng)器提供電荷,它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA),使功耗降至最低。它還具有可同步開(kāi)關(guān)頻率特性,提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
          • 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體  MOSFET  非同步升壓控制器  NCV8871  

          NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

          •   恩智浦半導(dǎo)體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專(zhuān)門(mén)針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢(shì)而設(shè)計(jì)。   
          • 關(guān)鍵字: NXP  MOSFET  

          Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類(lèi)器件。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

          • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專(zhuān)門(mén)針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢(shì)而設(shè)計(jì)。
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  

          Vishay將舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布將于中國(guó)電子展同期舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)(West China Power Seminars),時(shí)間和地點(diǎn)分別是8月23日上午9點(diǎn)30分至12點(diǎn)10分在成都明悅大酒店,8月25日在西安曲江國(guó)際會(huì)展中心。每場(chǎng)研討會(huì)將有4位專(zhuān)家做技術(shù)報(bào)告,探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會(huì)面向研發(fā)工程師,用中文講解,CEF的觀眾可以免費(fèi)參加。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          提供低損耗大功率的MOSFET

          • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個(gè)壓降使得功率二極管上消耗了相當(dāng)?shù)哪芰?,從而造成電源效?..
          • 關(guān)鍵字: 低損耗  大功率  MOSFET  

          根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧

          • 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟,為設(shè)計(jì)選擇一款MOSFET表面上看是十分簡(jiǎn)單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  導(dǎo)通阻抗  開(kāi)關(guān)電源  

          MOSFET應(yīng)用案例解析

          • 1.開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí),有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源,這...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  應(yīng)用案例  

          MOSFET的選型基礎(chǔ)

          • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSF...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  選型  應(yīng)用概覽  

          求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

          • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)??梢詼y(cè)量出這些特征參數(shù),...
          • 關(guān)鍵字: 熱源功率  損耗  MOSFET  

          功率器件更加智能,高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展

          • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時(shí)間的推移,功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越...
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  工藝材料  MOSFET  

          大功率開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

          大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

          • 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源(switch-modepowersupplies,SMPS)的整...
          • 關(guān)鍵字: 功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動(dòng)  
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