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mosfet 文章進入 mosfet技術(shù)社區(qū)

汽車電子功率MOSFET解決方案

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
關(guān)鍵字：電子系統(tǒng) MOSFET 瞬態(tài)高壓

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。
關(guān)鍵字： CMOS 器件功效功率提高 MOSFET 方案非傳統(tǒng)

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導體器件

高級半導體解決方案領(lǐng)導廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET N0413N

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展

從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展
關(guān)鍵字：安森美半導體 MOSFET

IR推出微電子繼電器設計師手冊以簡化選型和電路設計

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應用手冊、數(shù)據(jù)資料和設計技巧等。　　IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應用于工業(yè)控制、測試設備、外圍電信設備、電腦外設
關(guān)鍵字： IR 微電子繼電器 MOSFET

完全自保護MOSFET功率器件分析

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設計人員使用完全
關(guān)鍵字：器件分析功率 MOSFET 保護完全

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網(wǎng)通設備等
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR日推出新車用MOSFET系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
關(guān)鍵字： IR 柵級驅(qū)動 MOSFET

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DMC4040SSD

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
關(guān)鍵字： Diodes DMC4040SSD MOSFET

說出你的故事：中國IC設計及應用創(chuàng)新案例

　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應用展覽會”的組織機構(gòu)——深圳市半導體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
關(guān)鍵字： IC設計 MOSFET 音頻解碼器

飛兆半導體功率級非對稱雙MOSFET器件

電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET FDMS36xxS

IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。　
關(guān)鍵字： IR PQFN MOSFET

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
關(guān)鍵字： IR HEXFET MOSFET

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