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三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率達(dá)58%
- 2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及智能型手機(jī)(Smartphone)稱霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺(tái)，整體2010年NAND Flash市場(chǎng)營收成長(zhǎng)達(dá)58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當(dāng)少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。 2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再，取而代之的
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預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體記憶芯片出口下跌10％
- 1月31日消息，據(jù)韓國媒體報(bào)道，2011年韓國的半導(dǎo)體儲(chǔ)存器(memory semiconductors，以下簡(jiǎn)稱“記憶芯片”)出口有可能下跌約10%。 韓國知識(shí)經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)官崔重卿、三星電子社長(zhǎng)權(quán)五賢、海力士半導(dǎo)體社長(zhǎng)權(quán)五哲等半導(dǎo)體業(yè)界巨頭31日在首爾舉行有關(guān)發(fā)展系統(tǒng)半導(dǎo)體方案的說明會(huì)。在該會(huì)上，知識(shí)經(jīng)濟(jì)部預(yù)測(cè)稱，韓國今年的半導(dǎo)體出口在整體上會(huì)同比增加3.5%，達(dá)到525億美元。其中，記憶芯片出口受價(jià)格下跌的影響將會(huì)縮減9.3%，止步于258億美元。
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2011年高端芯片代工將僅剩3家
- 1月26日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，根據(jù)研究公司iSuppli的最新報(bào)告顯示，到2011年年底有能力生產(chǎn)高端設(shè)備20-22納米半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體工廠將會(huì)減少到三家。 該研究機(jī)構(gòu)稱，2011年僅有三家實(shí)力雄厚的工廠能夠在該市場(chǎng)生存下來，這包括中國臺(tái)灣的臺(tái)積電、環(huán)球代工和最近宣布與IBM聯(lián)盟的三星電子。而其他的這些廠商將會(huì)服務(wù)剩下的這些市場(chǎng)，例如臺(tái)灣聯(lián)華電子和中芯國際，這些工廠將會(huì)轉(zhuǎn)向生產(chǎn)28-32納米節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。
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平板電腦熱導(dǎo)致顯示器供應(yīng)吃緊
- 據(jù)iSuppli公司，科技產(chǎn)業(yè)紛紛推出平板電腦與蘋果的iPad競(jìng)爭(zhēng)，今年將擾亂全球顯示器產(chǎn)業(yè)。顯示器廠商疲于應(yīng)對(duì)平板電腦客戶的旺盛需求，既會(huì)造成供應(yīng)短缺，也會(huì)形成過多庫存。 2011年全球平板電腦出貨量預(yù)計(jì)是2010年的三倍多，從1710萬臺(tái)增長(zhǎng)到5760萬臺(tái)。盡管蘋果未來一年仍將占據(jù)統(tǒng)治地位，平板電腦出貨量份額高達(dá)70.4%，但該公司將面臨來自新對(duì)手日益強(qiáng)烈的競(jìng)爭(zhēng)。這些新來者生產(chǎn)消費(fèi)平板電腦，包括三星電子、惠普、Research in Motion Ltd.、戴爾和眾多其它公司。但在目前，預(yù)計(jì)
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國內(nèi)瘋蓋面板廠
- 全球面板廠下一個(gè)主戰(zhàn)場(chǎng)將發(fā)生在大陸，在三星電子(Samsung Electronics)、LG Display以及友達(dá)將在大陸興建次世代面板廠后，零組件廠的動(dòng)向也備受矚目，零組件業(yè)者表示，除了這3家面板廠旗下零組件廠供應(yīng)鏈可望跟隨面板廠前往大陸設(shè)廠外，由于大陸還有華星光電以及京東方(北京)的8.5代廠正在籌建，加上未來還可能會(huì)有其他面板廠在大陸設(shè)廠，因此大陸已經(jīng)成為面板零組件廠搶奪市場(chǎng)商機(jī)、改寫營運(yùn)版圖的重要所在地。
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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。
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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)將增加50%。 三星電子201
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