?半導(dǎo)體文章進(jìn)入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

功率半導(dǎo)體是提高M(jìn)IPS/m2的關(guān)鍵

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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新挑戰(zhàn)

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08大陸半導(dǎo)體分立器件應(yīng)用規(guī)模達(dá)170億美元

　　據(jù)信息產(chǎn)業(yè)部統(tǒng)計(jì)，中國大陸今年1～10月份，已生產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件1,995億只，同比增長12.0%，產(chǎn)品銷售收入同比增長20.0%，達(dá)720億元。預(yù)計(jì)到今年年底，產(chǎn)量可達(dá)2,500億只左右，產(chǎn)品銷售收入可達(dá)865億元人民幣，從2004～2007年，中國大陸本地半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品銷售收入年復(fù)合增長率達(dá)27.8%。預(yù)計(jì)2008年，在中國電子制造業(yè)前景看好的形勢(shì)下，將以18.0%的速度增長，產(chǎn)品銷售收入將達(dá)到134.3億美元(見圖1)。　　 ? 　　2007年中國大陸半導(dǎo)體分立器件仍呈
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半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展推動(dòng)硅調(diào)諧器技術(shù)

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2007年中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)項(xiàng)目公布

　　由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子報(bào)聯(lián)合主辦的“中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評(píng)選(2007年度)”活動(dòng)的評(píng)選結(jié)果正式公布，AK36xx系列移動(dòng)多媒體應(yīng)用處理器、大功率MOS場效應(yīng)晶體管模塊工藝、鍍鈀框架綠色塑封技術(shù)、8-12英寸先進(jìn)封裝技術(shù)專用勻膠設(shè)備等35項(xiàng)產(chǎn)品和技術(shù)被評(píng)為2007年中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)。(詳見下表) 　　2007年12月1日至2008年月1月25日，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)
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低成本與差異化：本土功率半導(dǎo)體企業(yè)競爭策略

　　功率半導(dǎo)體器件是能承受較高電壓和較大電流的半導(dǎo)體產(chǎn)品，現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件與大規(guī)模集成電路是半導(dǎo)體技術(shù)中相互獨(dú)立平行發(fā)展而又時(shí)有交叉的兩個(gè)不同專業(yè)技術(shù)領(lǐng)域，分別解決不同的專業(yè)技術(shù)問題，制造不同性能的產(chǎn)品，滿足不同用途的需要。功率半導(dǎo)體器件從功能上講是進(jìn)行電能處理的半導(dǎo)體產(chǎn)品，主要用于電源和功率執(zhí)行(控制)電路。　　產(chǎn)品與技術(shù)暴露本土企業(yè)差距　　隨著電子產(chǎn)品體積越來越小，功率半導(dǎo)體器件將向著復(fù)合型、模塊化方向發(fā)展。從性能上看，大電流、高速、高反壓功率半導(dǎo)體器件擁有非常穩(wěn)定的市場需求，由于其不易集成
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半導(dǎo)體不景氣硅片廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)向太陽能多晶硅

　　據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道，2008開春以來，整體景氣仍維持在觀望且偏悲觀的氣氛中，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的景氣動(dòng)態(tài)則是太陽能業(yè)者積極觀察的焦點(diǎn)，許多太陽能業(yè)者認(rèn)為，一旦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到大環(huán)境的影響使其產(chǎn)能利用率下滑，則閑置的料源就有機(jī)會(huì)流向仍在缺貨的太陽能產(chǎn)業(yè)，有機(jī)會(huì)為2008年太陽能料源干旱期來點(diǎn)甘露。　　2008年仍是太陽能的缺料高峰期，雖然老字號(hào)的多晶硅廠包括美國Hemlock、德國Wacker、挪威REC及美國MEMC等都將開出新產(chǎn)能，但這些新產(chǎn)能的成長速度仍不及后端電池、模組廠等的擴(kuò)產(chǎn)速度，再加上新加入者產(chǎn)出
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利用半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)現(xiàn)醫(yī)生與病人間的信息化管理

　　沒有其它任何一個(gè)領(lǐng)域比醫(yī)療保健行業(yè)更加強(qiáng)烈地感受到變革的壓力。醫(yī)療機(jī)構(gòu)和服務(wù)部門迫切需要降低成本，但難題在于不能影響病人的生活質(zhì)量。減少員工、設(shè)備成本和能源消耗，限制病人住院時(shí)間，都有助于降低醫(yī)療成本，但這對(duì)病人來說，代價(jià)又有多高呢?這是一個(gè)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，醫(yī)療服務(wù)提供商正在依賴技術(shù)，以合理的成本，成功地應(yīng)對(duì)提供更好的醫(yī)療服務(wù)的挑戰(zhàn)。　　半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)醫(yī)療系統(tǒng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。病人監(jiān)控、藥物調(diào)劑以及其它很多應(yīng)用都可以采集病人的信息，快速處理這些數(shù)據(jù)，然后通過醫(yī)院內(nèi)的網(wǎng)絡(luò)，將關(guān)鍵信息傳輸?shù)叫枰畔⒌娜?，?/li>
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北華奇半導(dǎo)體——便攜產(chǎn)品編寫碼芯片廠商

北華奇是一家生產(chǎn)半導(dǎo)體的公司，主要專注于為便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)編寫碼芯片。北華奇之所以要專注于編寫碼芯片這一塊的研發(fā)，主要是因?yàn)槭袌鲂枰覀兲峁└?、更完美、更好的視頻體驗(yàn)。我們深知建立更好的IC設(shè)計(jì)公司，一定要立足于國內(nèi)市場的需求。
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2008半導(dǎo)體市場：幾家歡喜幾家愁

　　對(duì)2008年IC產(chǎn)業(yè)的展望，許多市場研究者發(fā)布了他們各種各樣的預(yù)言。IC市場在經(jīng)歷了相對(duì)乏味的2007年后，2008年將會(huì)上升，但是今年的投資額預(yù)計(jì)將降低10%甚至更多。　　各大市場調(diào)研公司對(duì)于2008年的IC市場增長率的預(yù)測(cè)從6.2%到12%不等。以下即為來自不同研究機(jī)構(gòu)的預(yù)言：　　●SemicoResearch：12% 　　●ICInsights：10% 　　●SIA：7.7% 　　●iSuppli：7.5% 　　●VLSIResearch：7.5% 　　●Gartner：6.2
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風(fēng)險(xiǎn)投資在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“遇到麻煩”

　　有專家警告，風(fēng)險(xiǎn)投資對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興趣正在減少，這可能會(huì)引發(fā)工程師及其他有才華的人到產(chǎn)業(yè)之外尋找工作機(jī)會(huì)。　　ShahinFarshchi是位于紐約的風(fēng)險(xiǎn)投資公司LuxCapitalManagement的合伙人，他把現(xiàn)在風(fēng)險(xiǎn)投資對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體趨勢(shì)描述為“遇到麻煩”。　　事實(shí)上，在過去的幾年間，風(fēng)險(xiǎn)投資對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體投資一直很平穩(wěn)，每年徘徊在20億美元左右，但2007年比2006年降低了10%。Farshchi是在ISSCC(InternationalSolid
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布2007年第4季度及全年業(yè)績

　　2007年第4季度摘要: 　　· 總收入為4.079億美元　　· 扣除利息、稅項(xiàng)、折舊及攤銷前盈利(EBITDA)為9,550萬美元　　· 每股全面攤薄凈收入0.20美元　　· 非公認(rèn)會(huì)計(jì)原則每股全面攤薄凈收入0.23美元　　· 現(xiàn)金及現(xiàn)金等值2.746億美元　　· 2007年12月31日向Analog Devices, Inc. 收購中央處理器電壓及PC熱監(jiān)控產(chǎn)品部　　· 宣布
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半導(dǎo)體二極管之快恢復(fù)整流二極管

一、快恢復(fù)整流二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及特性 ? 快恢復(fù)整流二極管是近期問世的新型半導(dǎo)體器件，它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P—I—N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，使反向恢復(fù)時(shí)間大大減少。除此之外，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使二極管能承受很高的反向電壓。 ? ? 反向恢復(fù)時(shí)間t1是快恢復(fù)二極管的重要參數(shù)，它是指電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換成反向，再從反向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔，如圖14-20所示。 ?
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半導(dǎo)體二極管之開關(guān)二極管

一、開關(guān)二極管的特性 ? 由于半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ姷奶匦?，在正偏壓下PN結(jié)導(dǎo)通，在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻很小，約為幾十至幾百歐；在反向偏壓下，則呈截止?fàn)顟B(tài)，其電阻很大，一般硅二極管在10MΩ以上，鍺管也有幾十千歐至幾百千歐。利用這一特性，二極管將在電路中起到控制電流接通或關(guān)斷的作用，成為一個(gè)理想的電子開關(guān)。開關(guān)二極管就是為在電路上進(jìn)行“開”、“關(guān)"而特殊設(shè)計(jì)制造的一類二極管。開關(guān)二極管從截止(高阻狀態(tài))到導(dǎo)通(低阻狀態(tài))的時(shí)間叫開通時(shí)間
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半導(dǎo)體二極管之雙向觸發(fā)二極管

一、雙向觸發(fā)二極管的結(jié)構(gòu)與特性 ? 雙向觸發(fā)二極管由硅NPN三層結(jié)構(gòu)組成，它是一個(gè)具有對(duì)稱性的半導(dǎo)體二極管器件，可等效為基極開路、集電極與發(fā)射極對(duì)稱的NPN半導(dǎo)體三極管，如圖14-38所示。 ? 雙向觸發(fā)二極管的伏安特性曲線如圖14-39所示，其正向和反向具有相同負(fù)阻特性。當(dāng)雙向觸發(fā)二極管兩端所加電壓V，低于正向轉(zhuǎn)折電壓VBO時(shí)，器件呈高阻狀態(tài)。當(dāng)外加電壓升高到VBO時(shí)，器件擊穿導(dǎo)通，由高阻轉(zhuǎn)為低阻進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。同樣，當(dāng)所加電壓大于反向轉(zhuǎn)折電壓-UBO時(shí)，器件也會(huì)擊穿導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻
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