?半導(dǎo)體 文章 進入?半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
世界半導(dǎo)體市場展望 持續(xù)增長速度稍緩
- WSTS和SIA日前相繼發(fā)表世界半導(dǎo)體市場的秋季預(yù)測報告,WSTS預(yù)測2006年世界半導(dǎo)體市場增長8.6%,SIA預(yù)測增長9.4%。2006年春WSTS預(yù)測增長10.1%,SIA預(yù)測增長9.8%,分別作了向下修正。主要原因是PC市場呈現(xiàn)調(diào)整局面,Intel和AMD的MPU芯片價格下落,致使MOS微芯片市場經(jīng)過4年連續(xù)增長之后,跌入負增長。但是,綜觀2006年世界電子產(chǎn)品市場,情況還是不錯的,移動電話增長20%,出貨量超過10億部,數(shù)碼相機出貨量增長11%,MP3激增35%,數(shù)字電視更飚升56%,PC也有1
- 關(guān)鍵字: 0701_A 半導(dǎo)體 消費電子 雜志_市場縱橫 消費電子
美國Novalux于CES2007展示半導(dǎo)體激光光源
- 半導(dǎo)體激光開發(fā)公司,美國Novalux一直致力于開發(fā)使用激光光源的顯示產(chǎn)品。該公司日前在國際消費電子展舉辦同時,展示了采用其生產(chǎn)的半導(dǎo)體激光“NECSEL”的背投電視試制品。這是根據(jù)三菱電機的一款52英寸DLP背投電視改造而來,把超高壓汞燈和色輪(Color Wheel)光源更換成了該公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體激光“NECSEL”。亮度為700cd/m2以上。Novalux把此次的試制品與液晶電視、等離子電視和試制品的原型——DLP背投電視擺在一塊,通過顯示
- 關(guān)鍵字: CES2007 半導(dǎo)體 激光光源
中國集成電路芯片制造能力在未來三年里將翻一番
- 一直以來,諸多海外半導(dǎo)體工業(yè)分析人士對中國大陸不斷傳出的投資興建半導(dǎo)體芯片廠的消息多有困惑。據(jù)說按照純粹理性和冷靜的商業(yè)分析,由于PC工業(yè)在走下坡路、網(wǎng)絡(luò)和移動通訊業(yè)趨于飽和,而新的、具有全局影響力的“殺手級應(yīng)用”還未有端倪,因此目前全球電子產(chǎn)品應(yīng)用市場并不需要大量的芯片制造產(chǎn)能來支撐,如果中國大陸的芯片制造產(chǎn)能在未來三年還是像前三年那樣以接近75%的平均年增長率遞增,有人擔心中國人正在浪費資金和產(chǎn)能,而且有可能拖累全球芯片制造業(yè)的盈利能力。 不幸的是,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及其延伸的行業(yè)即使在全球范圍來
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意法半導(dǎo)體大手筆重組
- 2005年初,當Pasquale Pistorio在擔任意法半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官18年之后退休時,Carlo Bozotti接過了這一重任。Pistorio幫助這家法意合資的芯片制造商一躍成為充滿平衡感、精妙之處和多樣性的全球半導(dǎo)體工業(yè)巨人。 接替Pistorio將面臨極大的困難?,F(xiàn)年53歲的Bozotti要面臨重建公司增長、削減公司成本和鼓勵公司創(chuàng)新營銷等接踵而來的重任。簡而言之,Bozotti的工作就是重組這家歐洲最大的芯片制造商,使其在比以往更加以消費者市場為導(dǎo)向的半導(dǎo)體行業(yè)中抓
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ROHM推世界上最小體積和面積的超小型LED
- 半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社,針對手機按鍵、小型點陣式顯示器、小型七段顯示器等追求小型薄型化的產(chǎn)品,推出世界上最小體積和面積的超小型LED「SML-P12Series」(PicoLEDTM)。該產(chǎn)品從2007年1月開始提供樣品(樣品價格約6.5元人民幣/個),于2007年4月以月產(chǎn)1000萬規(guī)模開始量產(chǎn)。計劃在ROHMWAKO(日本岡山縣),ROHMSEMICONDUCTORCHINA(中國天津市),ROHMWAKOMALAYSIA(馬來西亞‧吉
- 關(guān)鍵字: LED ROHM 半導(dǎo)體 發(fā)光二極管 LED
半導(dǎo)體:新產(chǎn)品迭出 新技術(shù)紛呈
- 全球進入65納米時代 2006年隨著65納米工藝的成熟,英特爾公司65納米生產(chǎn)線步入大批量生產(chǎn)階段。除英特爾外,美國德州儀器、韓國三星、日本東芝等世界上重要的半導(dǎo)體廠商的65納米生產(chǎn)線也紛紛投產(chǎn)。 在65納米工藝上,IBM等公司開發(fā)出了快速CMOS技術(shù)。他們采用了SiGe的應(yīng)變硅技術(shù)和SiN薄層,使所開發(fā)的nMOS晶體管的驅(qū)動電流為1.259mA/μm,pMOS晶體管的驅(qū)動電流為0.735mA/μm。該快速MOS晶體管的漏電流在斷開狀態(tài)下僅為200pA/μm。除應(yīng)變硅技術(shù)外,還采用了先進的10層布
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?半導(dǎo)體介紹
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