?nand flash 文章 進入?nand flash技術(shù)社區(qū)
中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易
- 據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。 然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導(dǎo)體依賴?！ №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度，主要有兩個原因。 首先，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
美光行使認購期權(quán)，收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份
- 美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向。 “收購 IM Flash 將使美光加速研發(fā)進程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說。“猶他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊伍，以推動 3D Xpo
- 關(guān)鍵字： 美光，F(xiàn)lash
韓媒：存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進步伐
- 根據(jù)韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產(chǎn)品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑。 無獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?
- 關(guān)鍵字： 存儲器，NAND
集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預(yù)計產(chǎn)能過剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進一步降低資本支出以放緩擴產(chǎn)進程，避免位元成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇?！ RAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝
中天弘宇：攻克核心設(shè)計缺陷 重建NOR閃存新生
- 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設(shè)計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
- 關(guān)鍵字： NOR NAND 存儲器
半導(dǎo)體設(shè)備廠商競爭格局生變？
- 半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！ ∽?990年以來，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！ ?016年，應(yīng)用材料公司的市場份額比Lam
- 關(guān)鍵字： ASML NAND
突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)
- 2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
- 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù) 存儲 傲騰 QLC 3D NAND
AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌
- 全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?！ ? DRAM連漲之后持續(xù)下跌 在DRAM內(nèi)存漲價超過9個季度之后，內(nèi)存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%，預(yù)計2019年還會繼續(xù)跌20%?！ ∈艽擞绊?，全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
?nand flash介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條?nand flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand flash的理解，并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand flash的理解，并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
?nand flash電路
?nand flash相關(guān)帖子
?nand flash資料下載
?nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473