?nand flash 文章進(jìn)入?nand flash技術(shù)社區(qū)

國(guó)際大廠找Mobile RAM貨源　敲開與臺(tái)廠合作大門

　　存儲(chǔ)器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長(zhǎng)約或包下產(chǎn)能，顯示國(guó)際存儲(chǔ)器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺(tái)廠合作大門。　　半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開大反撲。
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NAND Flash價(jià)格續(xù)滑　難擺脫供給過剩困境

　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。　　根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季，加上庫(kù)存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑，市場(chǎng)供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢(shì)雖大部分是受
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無線應(yīng)用成2015半導(dǎo)體市場(chǎng)最大增長(zhǎng)動(dòng)力

　　2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)3580億美元，較2014年增長(zhǎng)5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長(zhǎng)預(yù)期。　　半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)動(dòng)力包括智能手機(jī)專用標(biāo)準(zhǔn)電路ASSP，以及超移動(dòng)PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。　　“由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價(jià)方式，而整個(gè)行業(yè)需要消耗假期的過多庫(kù)存，因此2015年的半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)可能較2014年的7.9%有所放緩?！睒I(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，“由于供應(yīng)短缺，DRAM價(jià)格在2014年基本保持堅(jiān)挺，使之成為2014年增速最
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玻璃和金屬的精致結(jié)合大神X7拆機(jī)評(píng)測(cè)

　　大神X7作為大神最新的旗艦手機(jī)，不僅擁有出色的硬件配置，同時(shí)采用雙面玻璃加上一體成型鋁合金中框，做工非常精細(xì)，今天我們來將大神X7拆開，看一下大神X7的做工用料，究竟大神X7做工有多精致。　　　　大神X7采用雙面玻璃工藝，而且手機(jī)沒有任何螺絲，所以拆解只能從后蓋開始，因?yàn)楹笊w是采用雙面膠固定的。　　　　要將大神X7后蓋拆除必須將后蓋進(jìn)行加熱，讓雙面膠可以和后蓋分離，從而移除后蓋的后蓋。　　　　大神X7整個(gè)后蓋的背面都覆
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群聯(lián)砸3.8億入股宇瞻

　　儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。　　群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。　　群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成。本報(bào)系資料庫(kù) 　　分享　　上述私募價(jià)格是采依過去30個(gè)交易日均價(jià)31
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半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻救了三星的面子與里子

　　三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上，可說是最大功臣。　　據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)導(dǎo)，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，業(yè)績(jī)終于跌回升，營(yíng)收為52兆韓元，營(yíng)業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。　　韓國(guó)KDB大宇證券推估，三星電子DS部門第4季貢獻(xiàn)營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營(yíng)業(yè)利益(2
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Gartner：蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內(nèi)存制造商帶來增長(zhǎng)

　　Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2014年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長(zhǎng)7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營(yíng)收增長(zhǎng)率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%，比2013年的69.7%更高。　　Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢(shì)始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年?duì)I收也因而增長(zhǎng)31.
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND　已著手研發(fā)64層產(chǎn)品

　　三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上維持獨(dú)大地位，計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。　　據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國(guó)業(yè)界推測(cè)三星會(huì)在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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創(chuàng)客作品：自制足球游戲解說員

　　有時(shí)，在小型開發(fā)板上分模塊地測(cè)試代碼，要比自己在大腦里想出整個(gè)完整的多模塊應(yīng)用更切實(shí)際。你要做的只是現(xiàn)在就著手，一行一行地編寫代碼。　　周末我們打算在電子棋盤游戲系統(tǒng)上開發(fā)幾款游戲。我們要做的是將思路轉(zhuǎn)化成實(shí)際的一款游戲，而非只是模糊的設(shè)計(jì)理念或想法。　　最終我們打算做一款虛擬足球游戲。假設(shè)您是玩家，請(qǐng)問您是否更希望比賽時(shí)有同步的現(xiàn)場(chǎng)解說呢?當(dāng)您控制球場(chǎng)上的角色，嘗試攔截、搶球但球卻不小心漏掉時(shí)，此時(shí)若恰好出現(xiàn)評(píng)論員或解說員的聲音，您是否會(huì)更有身臨其境之感? 　　我們堅(jiān)信這款游戲定會(huì)很受歡迎
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Flash的下一站藍(lán)海在哪里？

　　物物相聯(lián)，萬物智能的時(shí)代漸行漸近，越來越多的設(shè)備都將擁有“智慧”，除了處理器、傳感器之外，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器也是不可或缺的核心部件之一。　　物聯(lián)網(wǎng)或帶動(dòng)Flash新需求　　物聯(lián)網(wǎng)的場(chǎng)景很美好，但其中涉及太多的跨品牌、跨平臺(tái)、跨設(shè)備之間的無線通訊。只有不斷的在通信技術(shù)領(lǐng)域全面而迅速的發(fā)展，才能打造出智慧城市，從而實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)中的互聯(lián)互通。　　NOR Flash應(yīng)用的另一大重要場(chǎng)景就是網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備。　　大量的網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品需要升級(jí)換代，以作為搶占客廳入口的路由器為例，因智
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高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長(zhǎng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。　　東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國(guó)的閃存生意非常好，在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
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基于Flash和JTAG接口的FPGA多配置系統(tǒng)

　　引言　　針對(duì)需要切換多個(gè)FPGA配置碼流的場(chǎng)合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲(chǔ)卡來替代配置用PROM，用專門的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫，上位機(jī)軟件生成專用的ACE文件并下載到CF存儲(chǔ)卡中，上電后通過ACE控制芯片實(shí)現(xiàn)不同配置碼流間的切換[1]。　　System ACE的解決方案需要購(gòu)買CF存儲(chǔ)卡和專用的ACE控制芯片，增加了系統(tǒng)搭建成本和耗費(fèi)了更多空間，而且該方案只能實(shí)現(xiàn)最多8個(gè)配置文件的切換，在面對(duì)更多個(gè)配置
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Spansion面向嵌入式市場(chǎng)推出新型工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

　　不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級(jí)e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強(qiáng)大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對(duì)嵌入式集中規(guī)模存儲(chǔ)解決方案的需求也越來越大。對(duì)于那些不僅僅是要購(gòu)買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。　　　　作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營(yíng)運(yùn)
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲(chǔ)器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢(shì)在必行。　　從FRAM到相變式存儲(chǔ)器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國(guó)創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級(jí)別，Crossba
關(guān)鍵字： NAND 三星閃迪