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          蘋(píng)果三星風(fēng)波引發(fā)四大半導(dǎo)體廠商主演四角戀大戲

          •   最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會(huì)上,三星與蘋(píng)果之間的知識(shí)產(chǎn)權(quán)爭(zhēng)端事件顯然會(huì)是一個(gè)有趣的話題。目前,三星正準(zhǔn)備于8月份開(kāi)始量產(chǎn)蘋(píng)果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對(duì)奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級(jí),使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換,不過(guò)三星顯然希望能夠在保住蘋(píng)果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          東芝縮小與三星在NAND閃存差距

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,東芝在2011年第一季度NAND閃存市場(chǎng)大有要超過(guò)三星之兆,這兩家廠商的市場(chǎng)份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長(zhǎng)期以來(lái),三星一直是最大的NAND閃存廠商?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇,排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來(lái),三星一直是最大的NAND閃存廠商。 
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計(jì)

          • 摘要:從一種軍用板卡的實(shí)際需求出發(fā),對(duì)SPI接口在設(shè)計(jì)中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下,快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件,描述了高速SPI接口的設(shè)計(jì)原理和方法,具有
          • 關(guān)鍵字: T1024  FLASH  1024  25T    

          Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
            嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展,由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制,因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  文件  嵌入式  損耗  均衡  Flash  

          Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價(jià)格走勢(shì)

          •   根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示,截自六月十六日6:00pm為止,由于大部分買(mǎi)方與賣(mài)方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落,因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會(huì)公布。
          • 關(guān)鍵字: 平板電腦  NAND  

          Mobile RAM防線恐失守

          •   行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微,自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等,儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港,然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下,Mobile RAM已率先發(fā)難,出現(xiàn)供過(guò)于求警訊,日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM,加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn),DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。   存儲(chǔ)器業(yè)者表示,PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷,而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          Hynix成功開(kāi)發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

          •   Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片,Hynix稱(chēng)這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。   
          • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND  

          海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

          •   南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。   海力士相關(guān)人員表示,26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。   NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片,即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息,是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

          •   存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng),2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān),NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng),面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下,金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示,認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計(jì)畫(huà)性地將各方力量做結(jié)合,才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

          •   由于蘋(píng)果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁,導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。   今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過(guò)15%,現(xiàn)貨市場(chǎng)的降幅則在20%左右。蘋(píng)果仍是NAND閃存芯片的最大買(mǎi)家,但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: ipad  NAND  

          終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

          •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報(bào)價(jià)大跌超過(guò)10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計(jì)整個(gè)5月現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌幅達(dá)20%,合約價(jià)合計(jì)跌幅也超過(guò)15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場(chǎng)是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場(chǎng)認(rèn)同威剛董事長(zhǎng)陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會(huì)比第2季好一些,但市場(chǎng)不至于會(huì)有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

          flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

          • flash接口電路的實(shí)現(xiàn),0引言

              我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中,根據(jù)需求,要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分,并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系
          • 關(guān)鍵字: 實(shí)現(xiàn)  電路  接口  flash  

          NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

          •   全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況,記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫,市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn),使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底,部分廠商傳出力守2月?tīng)I(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。不過(guò),以毛利率角度來(lái)看,由于NANDFlash價(jià)格并沒(méi)有出現(xiàn)急跌,因此,模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

          • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制,提供更好的讀寫(xiě)速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
            關(guān)鍵詞:DDR NAN
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  接口  設(shè)計(jì)  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  
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          ?nand flash介紹

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