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          基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲(chǔ)速度低的問(wèn)題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì),大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過(guò)使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多片低速FLASH時(shí)高速數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),提高了整
          • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  大容量  存儲(chǔ)    

          存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

          •   存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來(lái)的一種專(zhuān)用電子部件,用于保存數(shù)據(jù)和程序,傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱(chēng)Memory,外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱(chēng)Storage(常用磁盤(pán)、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期,主存曾用磁芯存儲(chǔ)器,60年代中期以來(lái),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開(kāi)始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn),存儲(chǔ)器獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展。   
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  201105  

          Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場(chǎng)主流

          •   數(shù)年來(lái)固態(tài)硬盤(pán)正在變得越來(lái)越便宜和可靠,但相比大容量的硬盤(pán)而言,這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈,例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤(pán)的價(jià)格。盡管如此,Gartner依然對(duì)SSD市場(chǎng)的前景十分看好,并認(rèn)為到2012年下半年,固態(tài)硬盤(pán)將成為市場(chǎng)的主流,并預(yù)期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì)下降到每1美元1GB,這意味著主流的SSD價(jià)格將下調(diào)到100美元以下,例如64GB64美元,從而開(kāi)始被大眾接受。
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

          NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 0 引言  計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展,存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過(guò)去的幾KB存儲(chǔ)空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來(lái)產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
          • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  儲(chǔ)存  測(cè)試系統(tǒng)    

          三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

          •   5月13日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱(chēng),它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場(chǎng)上的任何其它NAND閃存芯片都要快。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

          •   2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭,市占率高達(dá)36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達(dá)35.1%,兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場(chǎng);根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì),2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%,營(yíng)收成長(zhǎng)9.9%,達(dá)53.63億美元。   2011年第1季全球NAND Flash市場(chǎng)變化相當(dāng)多,最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震,對(duì)
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

          基于USB總線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

          • ICP是一種在實(shí)際的目標(biāo)電路板上燒寫(xiě)和擦除芯片的方法,無(wú)需從目標(biāo)板上將芯片卸下來(lái)再編程實(shí)現(xiàn)用戶程序的修改。這種方法適用于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和代碼升級(jí)。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1,STC
          • 關(guān)鍵字: 在線  編程  Flash  MC68HC908JB8  USB  總線  基于  

          三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

          •   據(jù)了解,由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

          三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

          •   由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  移動(dòng)設(shè)備  

          TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫(xiě)技術(shù)

          • TMS320F2812(以下簡(jiǎn)稱(chēng)F2812)是美國(guó)德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP),主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域,并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器,可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
          • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  在線  Flash  片內(nèi)  TMS320F2812  

          美光:未來(lái)NAND Flash不求市占率但求低成本

          •   由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長(zhǎng),加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%,美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求,除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能,未來(lái)不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能,可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn),或是啟動(dòng)新加坡二廠。美光指出,未來(lái)NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低。   
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

          4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

          •   據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù),今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平,一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。  
          • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  

          東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

          •   東芝宣布其開(kāi)發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開(kāi)始樣品供貨,2011年第三季度(2011年7~9月)開(kāi)始量產(chǎn)。此次開(kāi)發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品,還計(jì)劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過(guò),這些產(chǎn)品的上市時(shí)間目前“尚未確定”(東芝)。  
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

          • NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲(chǔ)芯片,設(shè)計(jì)了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
          • 關(guān)鍵字: 結(jié)構(gòu)  分析  系統(tǒng)  存儲(chǔ)  Flash  嵌入式  NAND  

          東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

          •   上周,Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明,正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并稱(chēng)這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開(kāi)始生產(chǎn)。不過(guò)兩家的頭名板凳還沒(méi)有坐熱,本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座,他們宣稱(chēng)已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片,目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  
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          ?nand flash介紹

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