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          用DNW通過USB燒uboot到nand

          • 燒寫前提:已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
          • 關(guān)鍵字: DNW  USB  uboot  nand  

          采取多元化戰(zhàn)略,加強在華合作

          • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項重大舉措:一,完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購;二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議。可見,Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司,并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
          • 關(guān)鍵字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

          三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND

          •   三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          半導(dǎo)體廠擴產(chǎn) 力成進補

          •   不讓韓國三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。   這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。   研究機構(gòu)統(tǒng)計,去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

          • 據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告,今年第一季度中國低端智能手機的需求大增,讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及,刺激了NAND閃存市場的增長并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
          • 關(guān)鍵字: IHS  NAND  

          第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級本與PC平板領(lǐng)域

          • 據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告,超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
          • 關(guān)鍵字: IHS  SSD  NAND  HDD  

          芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

          •   據(jù)國外媒體報道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關(guān)鍵信息是,盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計,2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測,2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。   當然,SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

          2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

          •   根據(jù)國外媒體的報道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預(yù)計芯片制造設(shè)備的全年營收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。   這次衰退預(yù)計同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。   不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

          中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

          •   導(dǎo)語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機市場的需求趨于飽和,曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起,以及中國移動市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動   隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動設(shè)備廠商的強勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機市場
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          內(nèi)存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

          •   7月5日消息,由于中國廉價平板、智能手機需求增長,由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運,開始收獲金錢了。   在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會刺激內(nèi)存銷售的增長。   兩種趨勢之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價能力。   I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  NAND  

          NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場面

          •   存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季,并指出未來12個月,NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限,但需求十分強勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容,因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。   根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查,由于全球4大供應(yīng)商近一年來沒有擴產(chǎn)動作,加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩,第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%,但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進入
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND  

          NAND閃存閃現(xiàn)光芒,今年營業(yè)收入有望大增

          • 據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報,由于在手機、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴大,NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
          • 關(guān)鍵字: IHS  NAND  

          NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強勁

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告,低端平板電腦市場相對強健,幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn),提升了全年營業(yè)收入水平,并縮減了2012年虧損程度。   2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元,比第三季度的48億美元增長17%,這是當年表現(xiàn)最好的一個季度,如圖3所示。在最后一個季度的強力推動下,2012年全年NAND營業(yè)收入達到200億美元,比2011年只下降4.6%,降幅小于最初擔憂的水平。   圖3:2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)估(以百
          • 關(guān)鍵字: NAND  平板電腦  

          日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

          •   根據(jù)Digitimes的研究報告顯示,日本前三大半導(dǎo)體公司,東芝,瑞薩電子和索尼,盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低,但利潤已經(jīng)提高。   其中,東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達到了1730億日元(17.1億美元),達到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。   瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入,環(huán)比下降1.9%,達到1739億日元。然而,在連續(xù)七個季度的經(jīng)營虧
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  閃存  NAND  

          DRAM看漲 類股營運走俏

          •   由于韓國三星半導(dǎo)體將七成存儲器供自家手機、平板及電視使用下,加上大陸白牌平板計算機、智能手機備貨潮重新啟動,存儲器近期報價緩步上揚,DDR32Gb均價每顆站上1.74美元,站上二年多來新高,相關(guān)DRAM族群營運看俏。    ?   此外,NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期,今年7、8月,NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境,擁有強力貨源為后盾的廠商將受惠。   市場得知,三星將把七成行動存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后,市場備貨潮5月中旬再度啟動,讓標準型DRAM現(xiàn)貨報價再度揚升,站上
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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          ?nand介紹

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