?nand 文章進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)

Spansion：eMMC填補(bǔ)市場(chǎng)需求和閃存發(fā)展缺口

　　昨天，Spansion舉行媒體發(fā)布會(huì)，推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級(jí)eMMC閃存產(chǎn)品，并向記者介紹了eMMC閃存的市場(chǎng)定位和需求情況。　　與其他Spansion產(chǎn)品一樣，這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對(duì)嵌入式客戶設(shè)計(jì)的，這類客戶通常對(duì)于工作溫度范圍、數(shù)據(jù)保護(hù)和支持工具有嚴(yán)格的測(cè)試和要求，這樣讓OEM能夠更容易地?fù)?jù)此設(shè)計(jì)自己的產(chǎn)品。　　據(jù)Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營(yíng)銷及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza介紹，eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)，而Spansio
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　引言　　FLASH(閃速存儲(chǔ)器)作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。　　FLASH的特點(diǎn) 　　FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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全球半導(dǎo)體市況良好　韓廠火熱、日廠躊躇

　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)第3季，以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上最高營(yíng)收紀(jì)錄，景氣持續(xù)樂觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長(zhǎng)最多，南韓業(yè)者營(yíng)收屢創(chuàng)新高，然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長(zhǎng)衰退跡象。　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)宣布，第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球營(yíng)收，與前年同期相比成長(zhǎng)8.0%，以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上單季最高紀(jì)錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)在7月預(yù)測(cè)的年度成長(zhǎng)值6.5%。　　SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導(dǎo)
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Spansion 推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級(jí)e.MMC 存儲(chǔ)產(chǎn)品

　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費(fèi)、通信和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲(chǔ)密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場(chǎng)對(duì)可靠、更高密度存儲(chǔ)日益增長(zhǎng)的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應(yīng)用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。　　Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%

　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(zhǎng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對(duì)穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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LED產(chǎn)業(yè)推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體時(shí)代的來(lái)臨

　　過去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)不會(huì)到中國(guó)投資，某些國(guó)家的政府對(duì)于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國(guó)投資都有設(shè)定限制，因此過去國(guó)際半導(dǎo)體廠在中國(guó)投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測(cè)試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個(gè)局面在中國(guó)市場(chǎng)打開，中國(guó)政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來(lái)買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。　　英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國(guó)手機(jī)芯片廠展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團(tuán)，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
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中芯國(guó)際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲(chǔ)器無(wú)晶圓廠客戶對(duì)高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求，使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域?？蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 NAND

iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量

　　TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長(zhǎng)率高達(dá)22%，成功扭轉(zhuǎn)過去一年來(lái)iPhone趨緩的銷售動(dòng)能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲(chǔ)存容量與價(jià)格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。　　DRAMeXchange
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新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單

　　儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長(zhǎng)潘健成表示，智慧手機(jī)市場(chǎng)本季需求不振，主要是受到市場(chǎng)上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。　　他說(shuō)，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。　　潘健成表示，先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫(kù)存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫(kù)存
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東芝四日市新廠動(dòng)土2015年起量產(chǎn)3D NAND

　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。　　由于智能型手
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品

　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國(guó)加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。　　閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號(hào)展位布展。　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD)：　　??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
關(guān)鍵字：東芝 NAND 固態(tài)硬盤

匯聚中國(guó)移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來(lái)自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國(guó)深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國(guó)及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
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終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置