?nand 文章 進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)
PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%
- 沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來，存儲(chǔ)器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級(jí)至4GB，市場對于后市看法相當(dāng)樂觀，原本外界預(yù)期12月合約價(jià)格會(huì)開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價(jià)格又開始蠢蠢欲動(dòng)，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 存儲(chǔ)器模塊廠一致看好2010
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東芝等日本半導(dǎo)體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)
- 隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長，東芝(Toshiba)等日本半導(dǎo)體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動(dòng)輒停工近20天的嚴(yán)峻局面。 報(bào)導(dǎo)指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達(dá)13天，惟因今年春天以后智慧型手機(jī)訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)不停工。 報(bào)導(dǎo)指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計(jì)劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
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東芝等日本半導(dǎo)體巨頭恢復(fù)增產(chǎn)投資
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，日本國內(nèi)的半導(dǎo)體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機(jī)等設(shè)備上使用的閃存，并在該領(lǐng)域排名全球第二，該公司計(jì)劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達(dá)公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計(jì)劃在2010財(cái)年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。 自今年夏天以來，全球半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)堅(jiān)挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復(fù)。全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹(jǐn)慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。
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東芝、爾必達(dá)提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出
- 自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動(dòng)作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(dá)(Elpida)亦計(jì)劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據(jù)點(diǎn)，以增加3成出貨量。 報(bào)導(dǎo)指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導(dǎo)入尖端設(shè)備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉，增設(shè)新生產(chǎn)線后，整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬
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傳東芝投資22億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴(kuò)大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大40%。 報(bào)道稱，東芝當(dāng)前還計(jì)劃在2012年3月之前，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計(jì)5000億日元。市場調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。 iSuppli的報(bào)告稱，全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達(dá)39.4億美元。
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消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺(tái)。 臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 據(jù)報(bào)道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
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東芝第三季度NAND閃存營收環(huán)比增長近50%
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，市場研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。 全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。 iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組
- 東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器，并內(nèi)含16個(gè)采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲(chǔ)密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設(shè)備如iPod/智能手機(jī)等之上后，手機(jī)的存儲(chǔ)容量將實(shí)現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設(shè)計(jì)的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設(shè)計(jì)的iPod touch的最大容量則可達(dá)到128GB。 東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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臺(tái)美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵
- 兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺(tái)系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺(tái)美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營板塊運(yùn)動(dòng)，仍按照臺(tái)美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。 隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對
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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺(tái)積電董事長張忠謀日前表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢，相對地新臺(tái)幣波
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12月上旬合約價(jià)DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價(jià)格則反應(yīng)市場需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價(jià)格貼近現(xiàn)貨價(jià)格水平，下游存儲(chǔ)器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運(yùn)被跌價(jià)的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價(jià)格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個(gè)市場的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息，臺(tái)積電董事長張忠謀昨日表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺(tái)積電
- 據(jù)報(bào)道，為了更加快速的追趕臺(tái)積電，三星計(jì)劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達(dá)到臺(tái)積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺(tái)積電獨(dú)自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴(kuò)大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺(tái)積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強(qiáng)調(diào)
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三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款
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