?nand 文章進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)

三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，美國知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利，要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。　　BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲(chǔ)密度。　　申訴材料指出，包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存芯片 MLC

海力士41納米通過認(rèn)證　切入蘋果供應(yīng)鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得認(rèn)證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 　　海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤，導(dǎo)致虧損
關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米存儲(chǔ)器

NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩(wěn)住陣腳

　　7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多，因此即使市場(chǎng)的買氣平平，NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價(jià)搶單的策略;市調(diào)機(jī)構(gòu)英鼎(inSpectrum)預(yù)估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì)較第2季成長25%，估計(jì)約16.26億顆(以8Gb容量計(jì)算)。　　根據(jù)英鼎
關(guān)鍵字：三星 NAND 記憶卡

臺(tái)塑絕地大反攻　拉攏英特爾入股華亞科

　　臺(tái)塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團(tuán)挹注資金、爭(zhēng)取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機(jī)構(gòu)評(píng)估中。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)坐大，甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭(zhēng)取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
關(guān)鍵字： TMC DRAM NAND

蘋果預(yù)付5億美元與東芝簽閃存長期供貨協(xié)議

　　蘋果高管近日在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上表示，該公司已與東芝達(dá)成閃存芯片長期供貨協(xié)議，并向后者預(yù)付5億美元貨款。　　這一交易對(duì)于東芝而言可謂“及時(shí)雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價(jià)格滑坡和來自三星電子的激烈競(jìng)爭(zhēng)等問題。　　消息人士表示，5億美元相當(dāng)于蘋果一個(gè)季度NAND閃存芯片需求量的價(jià)值。
關(guān)鍵字：蘋果閃存芯片 NAND

英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤

　　英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設(shè)計(jì)，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費(fèi)者帶來實(shí)惠。　　多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
關(guān)鍵字：英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤

英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻　三星買氣清淡

　　隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程N(yùn)AND Flash產(chǎn)品，應(yīng)戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價(jià)格策略上，更是上演絕地大反攻計(jì)畫，以超低價(jià)策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價(jià)差相當(dāng)驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場(chǎng)活絡(luò)度則降低。　　英特爾
關(guān)鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米

三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資

　　電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱，預(yù)計(jì)韓國三星電子下半年在一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。　　該報(bào)未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。　　三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動(dòng)上稱，三星預(yù)計(jì)下半年投資“略高于”上半年。　　該公司多次拒絕透露今年的資本投資計(jì)劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。　　ETnews報(bào)稱，芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側(cè)重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
關(guān)鍵字：三星 DRAM 30納米 NAND

NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性

　　周一消息研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對(duì)2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預(yù)期。　　iSuppli專研行動(dòng)和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價(jià)格上漲，對(duì)閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因?yàn)镾SD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價(jià)格上漲，SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷量就會(huì)減緩。　　多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價(jià)格大幅上漲12
關(guān)鍵字： NAND 閃存 MLC

英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

　　全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無實(shí)際的意義。　　按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。　　在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND 存儲(chǔ)器

全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。　　原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開始利潤有所好轉(zhuǎn)。　　由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價(jià)
關(guān)鍵字：英特爾 DRAM NAND 34納米

Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

　　Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。　　Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準(zhǔn)備，計(jì)劃于第四季度推出樣品。
關(guān)鍵字： Micron 納米 NAND USB閃盤

09年固態(tài)硬盤市場(chǎng)份額不會(huì)大提升

　　雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價(jià)格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場(chǎng)份額將不會(huì)太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報(bào)告表明,固態(tài)硬盤在標(biāo)準(zhǔn)筆記本電腦的市場(chǎng)份額2009年將維持在1%-1.5%,同時(shí)由于眾多廠商在主流存儲(chǔ)設(shè)備上依然選擇的是機(jī)械式硬盤,因此在低端PC上的市場(chǎng)份額將不到10%,這里應(yīng)該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 　　較高的價(jià)格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場(chǎng)的侵入,根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價(jià)格走勢(shì),SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)接受度將會(huì)下降. 　　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤 NAND 內(nèi)存芯片

Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

　　近來謠言越來越厲，市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出，固態(tài)硬盤的價(jià)格將大大降低，容量也將達(dá)到320GB左右。　　固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 34納米 MLC SLC

利潤驚人 iPhone 3GS成本僅179美元

　　雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經(jīng)是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費(fèi)電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應(yīng)商及評(píng)估產(chǎn)品成本。據(jù)悉，第三代蘋果手機(jī)iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價(jià)。　　通常而言，最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代，尤其對(duì)于iPh
關(guān)鍵字：蘋果 NAND GPS 處理芯片