?nand 文章進(jìn)入?nand技術(shù)社區(qū)

旺盛需求助HDD業(yè)渡過低迷時期

　　據(jù)iSuppli公司，市場對于容量高達(dá)1TB而且價格適中的存儲裝置的旺盛需求，正在經(jīng)濟(jì)困難時期維持硬盤(HDD)產(chǎn)業(yè)的生存。　　與NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)不同，HDD廠商一直能夠通過學(xué)習(xí)控制成本來抵抗經(jīng)濟(jì)放緩和需求下滑的嚴(yán)重沖擊。另外，由于新應(yīng)用程序占用的硬盤空間越來越大，PC也需要更大的存儲容量，這有利于硬盤產(chǎn)業(yè)。只要對存儲容量的需求保持增長，硬盤產(chǎn)業(yè)就能設(shè)法滿足需求。　　出貨量保持兩位數(shù)增長率　　2008年第一季度，硬盤廠商出貨量為1.37億個，比去年同期增長21%，大部分流向五個主要領(lǐng)域
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iSuppli維持對NAND閃存市場狀況的“負(fù)面”評級

　　由于NAND閃存市場仍然充滿挑戰(zhàn)，iSuppli公司維持對供應(yīng)商近期形勢的“負(fù)面”評級，并重申了對于2008年全球市場銷售額增長9%的預(yù)測。　　美國經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致消費需求減弱，NAND需求也出現(xiàn)下滑跡象，促使iSuppli公司去年11月首次對該市場作出負(fù)面評估。NAND閃存大量用于個人媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等消費電子產(chǎn)品之中，因此與其它存儲芯片相比受經(jīng)濟(jì)形勢的影響更大。　　這種評估得到了媒體報道與NAND供應(yīng)商英特爾的業(yè)績預(yù)警的證實。英特爾在3月份警告稱，由
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東芝停制200毫米NAND閃存主攻300毫米芯片

　　6月24日消息，由于NAND閃存產(chǎn)業(yè)處于低迷時期，東芝計劃減少其NAND閃存芯片產(chǎn)量。　　據(jù)國外媒體報道稱，東芝計劃停止在FlashVision制造NAND閃存。FlashVision是東芝與SanDisk的合資企業(yè)，該公司采用200毫米晶圓片生產(chǎn)閃存芯片。東芝將主要采用300毫米晶圓片生產(chǎn)NAND閃存芯片。　　東芝將收購FlashVision的部分生產(chǎn)設(shè)備，并將它們用于該公司位于四日市或其它地方的工廠。FlashVision將把剩余的設(shè)備出售給第三方廠商。　　東芝半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼東
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入“無利潤繁榮”時代？

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入了“無利潤繁榮”時代？半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求？在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點，并指出目前復(fù)雜的財務(wù)狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
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2008年全球半導(dǎo)體市場將出現(xiàn)從緊態(tài)勢

　　市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報告，稱由于受到美國經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場拖累，預(yù)計2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%，達(dá)475億美元。　　Gartner公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)調(diào)查的副總裁Klaus Rinnen表示，“原來所預(yù)測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了，大多數(shù)廠商選擇了從緊的投資策略。就當(dāng)前的市場行情，預(yù)計今年DRAM市場支出將減少47%，而整個存儲芯片市場費用支出將減少29%”。　　Gartner還稱，預(yù)計今年全球用于芯片設(shè)
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08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷量

　　MP3/PMP市場在經(jīng)過4Q07傳統(tǒng)旺季的促銷熱賣，達(dá)到單季6,300萬臺以上的銷售紀(jì)錄后，1Q08在淡季因素的效應(yīng)影響下，出貨量銳減至4,258萬臺。以目前全球MP3/PMP市場來看，Apple仍是MP3/PMP市場的領(lǐng)導(dǎo)品牌，今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場的市占率達(dá)73%，全球市場其它的一線品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。　　單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來看，最引人關(guān)注的是高階機(jī)種iPod Touch在2008年2月
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英特爾美光推指甲芯片工藝最先進(jìn)容量翻番

　　【賽迪網(wǎng)訊】5月30日消息，當(dāng)?shù)貢r間本周四，英特爾和美光科技公布了它們聯(lián)合開發(fā)的將催生大容量廉價固態(tài)硬盤的34納米工藝、32Gb容量的NAND閃存芯片。　　據(jù)國外媒體報道稱，新款閃存芯片的尺寸大小不及指甲蓋大小、利用300毫米晶圓片制造。英特爾官員稱，這款閃存芯片是當(dāng)前工藝最先進(jìn)的NAND閃存芯片，將為在小型設(shè)備上提供廉價、大容量的固態(tài)硬盤奠定基礎(chǔ)。　　兩家公司計劃6月份交付樣品芯片，批量生產(chǎn)會在今年下半年開始。　　據(jù)英特爾講，基于其新NAND閃存設(shè)計的一個32Gb芯片可以存儲2000張高
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Symbian Ready 項目助力產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品質(zhì)量提升

　　市場領(lǐng)先的開放式手機(jī)操作系統(tǒng)供應(yīng)商——Symbian軟件有限公司今日發(fā)布“Symbian Ready”技術(shù)認(rèn)證項目。 “Symbian Ready”旨在確保Symbian的客戶，即市場領(lǐng)先的手機(jī)制造商可以從高質(zhì)量的產(chǎn)業(yè)鏈解決方案中獲益，并為產(chǎn)業(yè)體系中的合作伙伴向移動領(lǐng)域中的核心決策者展示其解決方案的優(yōu)異質(zhì)量提供更多的機(jī)會。　　“Symbian Ready”將幫助合作伙伴以最有效的方式運用Symbian操
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可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲革新

　　與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲的高性價比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。　　隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步，存儲器密度大約每 12 至 18 個月即提高一倍。對于 NAND 閃存而言，這意味著對多層單元 (MLC) 技術(shù)的重視程度日益提高。傳統(tǒng)的單層單元 (SLC) NAND 閃存
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存儲器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價格

　　近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動價格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來的“自然減產(chǎn)機(jī)制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制程凸捶，導(dǎo)致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個人電腦(PC)的成長性，很難再出現(xiàn)需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價格秩序。　　意外事件＋制程出錯穩(wěn)定價格的捷徑　　2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火，導(dǎo)致NAND Fla
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基于GPRS的遠(yuǎn)程心電實時監(jiān)護(hù)儀軟件系統(tǒng)設(shè)計

　　當(dāng)今社會，心臟疾病已嚴(yán)重影響了人們的生命安全，許多突發(fā)患者因得不到及時救治而使生命受到威脅。傳統(tǒng)的心電監(jiān)護(hù)設(shè)備限制了患者的自由，動態(tài)心電記錄儀（Holter）雖能便攜地記錄患者日常活動時的心電數(shù)據(jù)，但是沒有實時監(jiān)護(hù)功能，對于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。　　無線通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實時監(jiān)護(hù)成為可能。利用GPRS無線數(shù)據(jù)通信技術(shù)，可將實時監(jiān)護(hù)功能與Holter結(jié)合起來?；颊呖梢耘浯鞅O(jiān)護(hù)儀自由活動，同時可隨時隨地得到心電監(jiān)護(hù)。緊急情況發(fā)生時，患者掌握著可靠的求生路徑；而醫(yī)生可根據(jù)全面的心電
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基于ARM9內(nèi)核Processor對外部NAND FLASH的控制實現(xiàn)

目前流行的ARM9 CPU中,沒有集成NAND FLASH的控制器,可以通過使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實現(xiàn)對外部NAND FLASH的控制.實測結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

　　受到NAND Flash價格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無預(yù)警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國總部作為初步的縮減人力計劃區(qū)域，但其它地區(qū)包括亞洲在內(nèi)，不排除有進(jìn)一步縮減人力的計劃。　　事實上，新帝在2年前合并以色列儲存廠商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤之后，新帝的營運組織就一直在改組，但這次是首度大規(guī)模裁員，也使得內(nèi)部員工人心惶惶。　　新帝的營運業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
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可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲革

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲的高性價比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲裝置。
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存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先公司協(xié)作創(chuàng)建 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn)接口

　　2008 年 4 月 24 日，北京訊日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布加盟開放式 NAND 閃存接口 (ONFi) 工作組。該工作組由業(yè)界領(lǐng)先公司組成，致力于簡化 NAND 閃存在消費類電子產(chǎn)品、計算平臺以及工業(yè)系統(tǒng)中的集成。　　LSI 負(fù)責(zé)公司策劃與市場營銷的高級副總裁 Phil Brace 表示：“作為業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商，LSI不僅能為硬盤驅(qū)動器制造商提供集成電路，同時還可以面向全球領(lǐng)先服務(wù)器 OEM 廠商提供磁盤存儲系統(tǒng)與軟件，因此，完全能夠為 ONFi 計劃提供
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