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          集成電路出貨量增長 廠商面臨無利潤繁榮局面

          •   最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長,正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。   1980年以來,IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
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          報告:9月全球微芯片銷售收入同比增長5.9%

          •   據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)周一稱,在PC和手機等消費電子產(chǎn)品需求的推動下,今年9月份全球微芯片銷售收入增長了5.9%。   9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長6%,從去年同期的640億美元提高到了678億美元。   SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱,第三季度的全球銷售比今年第二季度增長了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開始。   消費電子產(chǎn)品的需求非常強勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費電子產(chǎn)品的
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          NAND和NOR flash詳解

          •       NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。   相“flash存儲器”經(jīng)??梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
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          各類器件增長強勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高

          •   據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。   ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強勁增長:DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。   ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平,將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長,創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀(jì)錄。   ICInsights認為,
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          報告稱:07年全球集成電路出貨量將增長10%

          •   10月21日消息,據(jù)外電報道,市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。   這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長,如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%,NAND閃存出貨量增長38%,接口集成電路出貨量增長60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%,汽車模擬集成電路出貨量增長32%。   ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量增長率達到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長
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          DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

          •   現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價格持續(xù)小幅上揚,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。   十月份合約市場相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認為,倘若預(yù)期十一
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          NAND閃存價格反彈 帶動八月芯片銷售增長

          • 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報告,2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元,比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預(yù)測,比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示,增長歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%,與2006年8月相比增長48%。      SIA總裁GeorgeScalise表示,“8月份,正常的季節(jié)性增長帶來全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
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          NAND閃存價格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤大漲

          • Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露,東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實上,東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示,“東芝認為供需形勢處于有利狀況,由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達到100%,公司不得不回絕了25%的訂單?!?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%,東芝曾經(jīng)預(yù)計2007年更進一步下滑50%,但是到目前為止,價格還高于預(yù)計之上?!?價格已經(jīng)觸底
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  NAND  閃存  東芝  嵌入式  

          C8051F的超大容量Flash存儲器擴展

          •   摘要:NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇,當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證,揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。     關(guān)鍵詞:NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引 言   大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸,受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制,可以很大程度上擴展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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          NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌

          • 九月,NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌,較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。   根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上,而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。   據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出,韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi),使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑,反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。   雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購,最新的報價仍然加
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          三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴

          • 據(jù)國外媒體報道,三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。    據(jù)悉,被起訴的24家廠商包括雷克沙(Lexa)、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導(dǎo)體、美光(Micron)科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司;    Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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          基于FPGA的NAND FLASH控制器

          • 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中,常常需要大容量、高密度的存儲器,而在各種存儲器中,NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜,對時序要求也十分嚴(yán)格,而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加),這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來很大的難度,于是就要求有一個控制器,使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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          三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存 公司市場份額猛增

          • iSuppli公司日前表示,2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元,比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存,該公司的NAND市場份額猛增至45.9%,比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。     iSuppli內(nèi)存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示,“三星第2季度表現(xiàn)強勁主要是按容量計算增長11%,出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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          PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

          • 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布,PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了   MMC存儲接口支持,從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建,目前共有15家成員公司。  新增MMC支持后,PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
          • 關(guān)鍵字: PISMO  NOR  NAND  閃存  

          三星調(diào)高閃存價格 帶動內(nèi)存價格上升

          •  在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后,各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。    業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升,同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響,NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格,力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。   在三星向外界透露
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          ?nand介紹

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