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英飛凌針對(duì)NFC無(wú)源鎖等應(yīng)用推出集成了半橋驅(qū)動(dòng)IC的單芯片解決方案NAC1080

2020年，全球智能鎖市場(chǎng)規(guī)模為13.8億美元，市場(chǎng)需求量達(dá)到了890萬(wàn)套。預(yù)計(jì)從2021至2028年，智能鎖的市場(chǎng)需求量將以21.4%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）快速增長(zhǎng)1。通過(guò)集成半橋驅(qū)動(dòng)IC和能量采集模塊，即可利用單芯片解決方案打造智能執(zhí)行終端，且所需的組件數(shù)量很少。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了基于ARM? Cortex?-M0內(nèi)核的32位可編程微控制器（MCU），其內(nèi)置NFC無(wú)線通訊模塊，可助力客戶經(jīng)濟(jì)高效地開(kāi)發(fā)智能執(zhí)行終端，如無(wú)源鎖
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英飛凌將推出利用手機(jī)進(jìn)行無(wú)線充電的智能鎖解決方案

未來(lái)，鑰匙在人們?nèi)粘Ｉ钪械脑S多領(lǐng)域都將成為歷史。英飛凌科技股份公司將面向市場(chǎng)推出一款可以通過(guò)手機(jī)開(kāi)啟和關(guān)閉的智能鎖解決方案。該智能鎖無(wú)需電池，能夠利用手機(jī)進(jìn)行無(wú)線充電，這就是所謂的“能量采集”技術(shù)。?英飛凌——免電池智能鎖解決方案?英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示：“英飛凌憑借全新的解決方案，為智能鎖取代鑰匙、走進(jìn)千家萬(wàn)戶鋪平了道路。我們的智能鎖解決方案無(wú)需更換電池，率先提供了一種可靠、免維護(hù)和安全的方式來(lái)開(kāi)啟和關(guān)閉智能鎖?！?英飛凌指出，該公司還
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汽車感性負(fù)載安全退磁能量計(jì)算和分析

隨著汽車電子技術(shù)的發(fā)展，輕量化與智能化的需求也帶動(dòng)了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車身負(fù)載驅(qū)動(dòng)的大規(guī)模應(yīng)用。對(duì)于感量較大的負(fù)載，如雨刮、鼓風(fēng)機(jī)、風(fēng)扇、繼電器等，需要考慮負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的能量對(duì)系統(tǒng)的沖擊，同時(shí)驅(qū)動(dòng)器件不能被該能量擊穿。本文提供了評(píng)估測(cè)量感性能量的方法和工具，在一個(gè)明確定義的應(yīng)用場(chǎng)景中，瞬間關(guān)斷時(shí)的產(chǎn)生的箝位能量（ECL），與高壓側(cè)器件本身的能量能力進(jìn)行對(duì)比，保證IPD器件長(zhǎng)期可靠工作。1 簡(jiǎn)介退磁過(guò)程介紹汽車應(yīng)用越來(lái)越需要具備驅(qū)動(dòng)大電流、大感量執(zhí)行器的能力，在變速箱控制模塊（TCU）應(yīng)用中
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IGBT安全工作區(qū)（SOA）知多少

失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深層原因與整機(jī)的應(yīng)用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計(jì)是密切相關(guān)的。作為電力電子研發(fā)工程師，最不想見(jiàn)到的畫面之一一定有下面這樣的圖片，完了，BBQ了……圖1.IGBT單管和模塊的典型失效圖片失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深層原因與整機(jī)的應(yīng)用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計(jì)是密切
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英飛凌推出新款高能效IPOL DC-DC降壓穩(wěn)壓電源模塊

當(dāng)前，服務(wù)器、通信和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)應(yīng)用都在盡最大努力降低功耗和縮減解決方案的尺寸。與此同時(shí)，瞬息萬(wàn)變的市場(chǎng)也要求系統(tǒng)解決方案提供商比以往更快地滿足市場(chǎng)需求。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY）推出了高效、可靠的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器模塊，進(jìn)一步壯大其POL（負(fù)載電源）模塊的產(chǎn)品陣容。這些模塊對(duì)于希望借助緊湊、完全集成和易于設(shè)計(jì)的POL產(chǎn)品來(lái)幫助他們加快新產(chǎn)品上市的系統(tǒng)設(shè)計(jì)師而言，是理想的選擇。它們主要面向空間和散熱條件受限的應(yīng)用，例如電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用、服務(wù)器以及
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第三代半導(dǎo)體與硅器件將長(zhǎng)期共存

受訪人：英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　相似之處：相較于傳統(tǒng)的硅材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性?！　〔煌幖胺謩e適用于哪些應(yīng)用：碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料之間也存在著諸多差異?！?/li>
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英飛凌與Oxford Ionics攜手開(kāi)發(fā)先進(jìn)的離子阱量子處理器

英飛凌科技股份公司和Oxford Ionics宣布雙方將攜手打造完全集成的高性能量子處理器（QPU）。Oxford Ionics獨(dú)特的電子量子比特控制（EQC）技術(shù)與英飛凌全球領(lǐng)先的工程、制造能力以及在量子科技方面的技術(shù)專長(zhǎng)相結(jié)合，將為在未來(lái)五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)數(shù)百量子比特的量子處理器的工業(yè)化生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。雙方的合作旨在讓量子計(jì)算技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向應(yīng)用場(chǎng)，轉(zhuǎn)化為真正的工業(yè)級(jí)解決方案。 Infineon ion trap許多行業(yè)正在尋求從根本上改進(jìn)其流程和能力，量子計(jì)算將為它們開(kāi)啟算力新時(shí)代。而實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，
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哪吒汽車與英飛凌宣布就電動(dòng)汽車電池管理整體解決方案進(jìn)行技術(shù)合作

7月8日，全球首屈一指的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技與合眾新能源旗下的哪吒汽車在中國(guó)桐鄉(xiāng)，共同舉辦哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術(shù)合作發(fā)布儀式。來(lái)自哪吒汽車和英飛凌科技（中國(guó)）有限公司的嘉賓共同參與了該發(fā)布儀式。?哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術(shù)合作發(fā)布儀式BMS電池管理系統(tǒng)是電池的“大腦”，也是新能源汽車產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一。雙方合作開(kāi)發(fā)的BMS系統(tǒng)級(jí)解決方案，包括了哪吒汽車自研的天工電池，及英飛凌 AURIX?微控制器、12通道AFE、電源管理芯片等產(chǎn)品，滿足ASIL D的系
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英飛凌與臺(tái)達(dá)雙強(qiáng)連手：以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務(wù)器及電競(jìng)電源市場(chǎng)

數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢(shì)推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨(dú)特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長(zhǎng)期致力于創(chuàng)新的半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強(qiáng)化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應(yīng)用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
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英飛凌推出高度集成的MOTIX?電機(jī)控制器和三相柵極驅(qū)動(dòng)器

憑借其眾多優(yōu)點(diǎn)，三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)正在成為設(shè)計(jì)現(xiàn)代化電池供電型電機(jī)產(chǎn)品的首要選擇。然而，為了讓產(chǎn)品符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)并延長(zhǎng)電池的使用壽命，需要縮小產(chǎn)品的尺寸并減輕重量，這給產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。為了幫助設(shè)計(jì)師滿足終端市場(chǎng)的需求，英飛凌科技股份公司推出了完全可編程的電機(jī)控制器MOTIX? IMD700A和IMD701A。它們采用9 x 9 mm2 64引腳VQFN封裝，能夠讓無(wú)線電動(dòng)工具、園藝用品、無(wú)人機(jī)、電動(dòng)自行車以及自動(dòng)導(dǎo)引車擁有更高的集成度以及功率密度，從而滿足用戶需求。?MOTI
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英飛凌與Aqara綠米攜手推出搭載毫米波雷達(dá)的智能家居解決方案

人體存在感知是智能家居中極其重要的一項(xiàng)應(yīng)用技術(shù)，智能家居設(shè)備通過(guò)精準(zhǔn)地感知人體存在和狀態(tài)，做出相應(yīng)的響應(yīng)或互動(dòng)。但長(zhǎng)期以來(lái)，人體傳感器卻普遍存在不夠精準(zhǔn)、無(wú)法對(duì)靜態(tài)人體進(jìn)行監(jiān)測(cè)等問(wèn)題。針對(duì)這一問(wèn)題，全球半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技（簡(jiǎn)稱英飛凌）與全屋智能領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Aqara綠米合作，推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人體存在解決方案，即Aqara人體存在傳感器FP1。該產(chǎn)品已在Aqara電商及線下Aqara Home智能家居體驗(yàn)館正式上市。它搭載了英飛凌高度精準(zhǔn)的XENSIV?毫
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問(wèn)題

這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022，讓我們?cè)俅瘟牧脑赟iC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問(wèn)題。這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們?cè)俅瘟牧脑赟iC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問(wèn)題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn)，仿真只供參考。在展開(kāi)
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關(guān)鍵器件，其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小，也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。本文從變頻器的應(yīng)用特點(diǎn)出發(fā)，結(jié)合第七代IGBT的低飽和壓降和最大運(yùn)行結(jié)溫等特點(diǎn)，介紹了第七代IGBT如何助力變頻器應(yīng)用。本文通過(guò)分析變頻器的損耗組成，并通過(guò)熱仿真對(duì)比第四代IGBT和第七代IGBT的性能，最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證結(jié)論。相同工況下IGBT7損耗和結(jié)溫明顯低于IGBT4，這樣可以減小變頻器的體積或是
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng)，硬開(kāi)關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是，這對(duì)于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵(lì)設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路。為此，本文介紹了
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開(kāi)關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見(jiàn)解。溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET導(dǎo)通特性的影響MOSFET靜態(tài)輸出特性的關(guān)鍵參數(shù)是漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(on)。我們定義了CoolSiC? MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側(cè)所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的
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