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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢(shì)

現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線(xiàn)和PCB的走線(xiàn)產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會(huì)從高壓母線(xiàn)電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。電平轉(zhuǎn)移高壓驅(qū)動(dòng)芯片有兩個(gè)主要組成部分：1 電平轉(zhuǎn)移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)換成以VS腳為參考的輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。2 自舉二極管，對(duì)浮地端的供電電容進(jìn)行充電。對(duì)于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅(qū)動(dòng)芯
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英飛凌推出AIROC? CYW20820藍(lán)牙?和低功耗藍(lán)牙?片上系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)靈活、低功耗及高性能的連接

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將推出AIROC? CYW20820藍(lán)牙? 和低功耗藍(lán)牙?片上系統(tǒng)（SoC），進(jìn)一步壯大其AIROC藍(lán)牙系列的產(chǎn)品陣容。AIROC CYW20820 藍(lán)牙和低功耗藍(lán)牙片上系統(tǒng)，專(zhuān)為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，符合藍(lán)牙5.2核心規(guī)范。它可支持家居自動(dòng)化以及傳感器的豐富應(yīng)用場(chǎng)景，包括醫(yī)療、家居、安防、工業(yè)、照明、藍(lán)牙Mesh網(wǎng)絡(luò)以及其他需要采用低功耗藍(lán)牙或雙模藍(lán)牙連接的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。 AIROC? CYW20820 A
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英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案

隨著市場(chǎng)對(duì)筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對(duì)28V輸出，推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長(zhǎng)期以來(lái)的100W功率限制，最高功率可達(dá)到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿(mǎn)足更大功率的設(shè)備供電。英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案● 采用混合反激（HFB）拓?fù)?支持5-28V寬壓輸出● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿(mǎn)足不同的產(chǎn)品定位需求● 相比傳統(tǒng)QR,ACF
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類(lèi)變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊(cè)是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)15V時(shí)，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會(huì)損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時(shí)間，驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
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PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算

在通用變頻器或伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車(chē)單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級(jí)來(lái)合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動(dòng)很小，因此其通常不會(huì)是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時(shí)也不會(huì)特意去計(jì)算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶(hù)的機(jī)型要滿(mǎn)足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來(lái)做系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)，這時(shí)就需要計(jì)算整流橋的損耗。而目
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓及其影響

在IGBT時(shí)代，門(mén)極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無(wú)非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門(mén)極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門(mén)極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業(yè)1200V SiC MOSFET的M1H系列產(chǎn)品與應(yīng)用為參考，其他不同電壓等級(jí)或不同廠家的SiC產(chǎn)品，不盡相同。在SiC產(chǎn)品的規(guī)格書(shū)中，都會(huì)有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區(qū)間(如圖1所示)，以供大家在實(shí)際應(yīng)用中參考。但是推薦非強(qiáng)制，
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絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)品系列

在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡(jiǎn)稱(chēng)SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對(duì)于傳統(tǒng)的導(dǎo)電型的硅襯底，它有三層結(jié)構(gòu)，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機(jī)械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結(jié)構(gòu)，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進(jìn)行電路的刻蝕，形成驅(qū)動(dòng)IC的工作層。圖１.絕緣
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英飛凌推出新一代高性能XENSIV MEMS麥克風(fēng)

英飛凌科技（Infineon）發(fā)布了新一代XENSIV MEMS麥克風(fēng)。新產(chǎn)品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款型號(hào)，進(jìn)一步壯大了英飛凌的麥克風(fēng)產(chǎn)品組合，同時(shí)也為業(yè)界樹(shù)立了新標(biāo)竿。這些具有可選功率模式的MEMS麥克風(fēng)適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品，例如具有主動(dòng)降噪（ANC）功能的耳機(jī)、TWS耳機(jī)、具有波束成形功能的會(huì)議設(shè)備、筆記本電腦、平板計(jì)算機(jī)或具有語(yǔ)音交互功能的智能音箱。此外該產(chǎn)品還適用于某些工業(yè)類(lèi)應(yīng)用，例如預(yù)側(cè)性維護(hù)和安全等。這些高性能MEMS麥克風(fēng)旨在以更高的精度和音質(zhì)擷取音頻訊
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英搏爾率先采用英飛凌750 V車(chē)規(guī)級(jí)分立式IGBT EDT2組件

海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車(chē)規(guī)級(jí)IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號(hào)。這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車(chē)主逆變器和直流鏈路放電開(kāi)關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整合。英搏爾MCU技術(shù)總監(jiān)劉宏鑫表示：「英搏爾堅(jiān)定不移地遵循使用分立式組件設(shè)計(jì)電機(jī)控制單元（MCU）的技術(shù)路線(xiàn)，不斷開(kāi)發(fā)出高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品，從而始終保持
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英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車(chē)規(guī)級(jí)分立式IGBT EDT2器件

中國(guó)領(lǐng)先的車(chē)載逆變器供應(yīng)商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車(chē)規(guī)級(jí)IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個(gè)型號(hào)。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動(dòng)汽車(chē)主逆變器和直流鏈路放電開(kāi)關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成。?? ? ? ? &
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英飛凌 BCR CYPD3177之100W PD控制方案

隨著PD產(chǎn)品在市場(chǎng)的日趨成長(zhǎng)，Type-C連接口的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，PD協(xié)議是以Type-C作為載體傳輸資料或充電，也就是說(shuō)PD協(xié)議需要搭配Type-C界面來(lái)實(shí)現(xiàn)。常見(jiàn)筆電標(biāo)配的電源供應(yīng)器由于體積較大，加上不好收納的電源線(xiàn)，影響攜帶時(shí)的便利性，因此利用大功率的PD充電器加上誘騙器即能快速解決問(wèn)題。具有智慧快充誘騙功能的PD電源，可解決USB輸入口供電不足的問(wèn)題并結(jié)合快充功能的充電器使用，達(dá)到輸出功率更大，效率更高，提高其實(shí)用性，并可利用不同的PD電源產(chǎn)品利用誘騙器來(lái)提供給無(wú)Type C界面的產(chǎn)品使用，既可提
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安富利：英飛凌(INFINEON) OPTIGA為物聯(lián)網(wǎng)潛力保駕護(hù)航

　　物聯(lián)網(wǎng)提升生活品質(zhì)的潛力有賴(lài)于無(wú)數(shù)設(shè)備之間分享、傳輸和訪問(wèn)海量信息的能力。不過(guò)這種便利卻增加了數(shù)據(jù)泄露的風(fēng)險(xiǎn)，因此需要強(qiáng)大的安全技術(shù)，以保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。這就是為什么安富利為您推介英飛凌，實(shí)事可以證明其解決方案將對(duì)您的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)非常有價(jià)值。　　英飛凌OPTIGA物聯(lián)網(wǎng)安全解決方案在物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)參考設(shè)計(jì)中并入了主管安全的器件。它還包括了使用意法半導(dǎo)體(ST Micro)傳感器的傳感器中樞和圍繞Dialog Semi設(shè)計(jì)的低功耗藍(lán)牙模塊，通用性極強(qiáng)。令人印象深刻的是，英飛凌OPTIGA Trust產(chǎn)品為在安全應(yīng)
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如何計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間

SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動(dòng)芯片退飽和檢測(cè)原理，芯片內(nèi)置一個(gè)恒流源。功率開(kāi)關(guān)器件在門(mén)極電壓一定時(shí)，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升至母線(xiàn)電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當(dāng)上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發(fā)驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉輸出。
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當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC

導(dǎo)讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對(duì)一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬(wàn)轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是常見(jiàn)的設(shè)計(jì)，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì)造成空壓機(jī)線(xiàn)包發(fā)熱和電機(jī)軸電流。一般的對(duì)策有二：1.采用大的柵
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀

IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開(kāi)關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著I
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