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          三星發(fā)布T7 Touch移動(dòng)SSD:支持指紋識(shí)別、讀寫(xiě)1000+MB/s

          • 一般來(lái)說(shuō),提升SSD通常只有兩件事:提高速度、增加存儲(chǔ)容量。顯然,略顯枯燥。
          • 關(guān)鍵字: 三星  SSD  T7 Touch  

          三星Galaxy Tab S6 5G平板規(guī)格曝光,和4G版基本一致

          • 據(jù)Emperor消息,目前三星Galaxy Tab S6平板電腦的5G版本配置曝光,可以看到和4G版本基本一致。
          • 關(guān)鍵字: 三星  5G平板  Tab S6  

          三星表示已準(zhǔn)備好量產(chǎn)MicroLED屏幕:OLED取代者來(lái)了

          • 在本屆CES大展上,三星表示已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)采用MicroLED面板的智能電視,并有望將2020打造成為MicroLED元年。
          • 關(guān)鍵字: 安卓  三星  智能手機(jī)  

          三星:內(nèi)存芯片市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)恢復(fù)跡象 售價(jià)上漲不可能避免

          • 對(duì)于三星來(lái)說(shuō),本周他們給出的去年第四季度財(cái)報(bào)預(yù)期時(shí)指出,公司的利潤(rùn)可能會(huì)跌幅超50%以上,主要是內(nèi)存等芯片價(jià)格下滑所致,不過(guò)他們看起來(lái)并不擔(dān)心。星電子副董事長(zhǎng)Kim Ki-nam接受媒體采訪時(shí)表示,內(nèi)存芯片市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)改善跡象,這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動(dòng)時(shí)間。這位三星電子副董事長(zhǎng)在拉斯維加斯舉行的CES展會(huì)上對(duì)媒體表示:“有跡象表明市場(chǎng)正在復(fù)蘇。但是現(xiàn)在還很難預(yù)測(cè)市場(chǎng)復(fù)蘇了多少,也很難預(yù)測(cè)哪些因素將會(huì)起作用?!睋?jù)悉,三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成,其面積相
          • 關(guān)鍵字: 三星  固態(tài)硬盤(pán)  SSD  

          三星將展示“虛擬人”項(xiàng)目成果 能自主生成表情動(dòng)作

          • 三星有望在周一的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES)上宣布其未來(lái)的“虛擬人”項(xiàng)目。
          • 關(guān)鍵字: 三星  “虛擬人”  表情動(dòng)作  

          三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問(wèn)世

          • 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后,三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度,日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨,今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。在進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后,半導(dǎo)體工藝制造越來(lái)越困難,但需求還在不斷提升,這就導(dǎo)致臺(tái)積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了,而三星的6nm工藝實(shí)際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版,在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨(dú)特的Smart Scaling方案,可以大大縮小芯
          • 關(guān)鍵字: 三星  臺(tái)積電  6nm  

          存儲(chǔ)芯片2020年將強(qiáng)勁復(fù)蘇

          • 半導(dǎo)體行業(yè)有明顯的周期性,2019年半導(dǎo)體市場(chǎng)處于低位,加上貿(mào)易戰(zhàn)的影響,存儲(chǔ)芯片降價(jià)也讓三星失去了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一的位置。不過(guò),臺(tái)灣旺宏電子董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)將強(qiáng)勁復(fù)蘇。他還指出,即便中國(guó)投入大量資本發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè),也需要至少20年來(lái)培養(yǎng)人才和積累技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  三星  半導(dǎo)體  

          李在镕:三星計(jì)劃利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片

          • 據(jù)悉,三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導(dǎo)人李在镕(Lee Jae-yong)討論了三星利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片的戰(zhàn)略計(jì)劃。
          • 關(guān)鍵字: 三星  3納米  李在镕  

          三星工廠發(fā)生意外斷電:損失尚在評(píng)估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

          • 本周三,三星電子對(duì)外確認(rèn),部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車(chē),原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園,波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉,此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問(wèn)題造成,預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱(chēng),他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車(chē)的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右,算不上重大。有分析人士認(rèn)為,此次停車(chē)將減少三星的芯片庫(kù)存,作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上,會(huì)否帶來(lái)連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判,明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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          三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電 分析師:對(duì)清庫(kù)存是重大利好

          • 在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段,三星在韓國(guó)華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對(duì)于這件事,大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故,不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃,這次事件最大的問(wèn)題在于三星損失多嚴(yán)重,對(duì)內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示,他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車(chē)的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右,算不上重大,而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來(lái)看,三星認(rèn)為事件影響不大,數(shù)百萬(wàn)美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響,
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          三星存儲(chǔ)工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大?

          • 北京時(shí)間2020年1月1日消息,三星電子公司今天表示,在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后,其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示,正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng),并正在評(píng)估造成的損失。需要指出的,這不是三星存儲(chǔ)工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示,在2018年3月,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過(guò)停電事故,雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí),但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%,預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后,根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
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          1萬(wàn)億次寫(xiě)入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

          • 今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ),其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究,讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,當(dāng)同時(shí)又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲(chǔ),擴(kuò)展性非常好,在非易失性、
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          三星沖刺ASIC芯片 智原當(dāng)盟友

          • 三星晶圓代工為了在7納米及更先進(jìn)制程市場(chǎng)擴(kuò)大市占率,未來(lái)幾年將調(diào)整策略,爭(zhēng)取亞馬遜、谷歌、阿里巴巴等網(wǎng)絡(luò)巨擘及系統(tǒng)大廠的人工智能及高效能運(yùn)算(AI/HPC)特殊應(yīng)用芯片(ASIC)晶圓代工訂單。法人表示,三星晶圓代工策略轉(zhuǎn)向需要IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠支援,中國(guó)臺(tái)灣廠商智原可望成為主要合作伙伴。
          • 關(guān)鍵字: 三星  ASIC芯片  智原  

          三星Galaxy S11系列PCB主板已開(kāi)始量產(chǎn)

          • 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星Galaxy S11系列手機(jī)的PCB主板已經(jīng)于本月初開(kāi)始量產(chǎn),該系列手機(jī)將于明年2月份左右正式推出。三星 Galaxy S11(全網(wǎng)通)產(chǎn)品綜述|圖片(12)|參數(shù)|報(bào)價(jià)|點(diǎn)評(píng)三星Galaxy S11+渲染圖根據(jù)此前的爆料顯示,三星今年將依然推出三款新機(jī),分別為Galaxy S11、Galaxy S11+、Galaxy S11e。三款新機(jī)的外觀設(shè)計(jì)基本延續(xù)了Galaxy S系列一貫圓潤(rùn)的風(fēng)格。正面采用了類(lèi)似Note 10系列的居中打孔顯示屏,且前攝的孔徑進(jìn)一步縮小。
          • 關(guān)鍵字: 三星  

          百度AI芯片昆侖明年初量產(chǎn):三星14nm、支持國(guó)產(chǎn)飛騰CPU

          • 2018年7月份,百度發(fā)布了自主研發(fā)的中國(guó)首款云端AI全功能AI芯片“昆侖”,號(hào)稱(chēng)業(yè)內(nèi)設(shè)計(jì)算力最高的AI芯片,近日百度又發(fā)布了針對(duì)云端場(chǎng)景的百度昆侖云服務(wù)器?,F(xiàn)在,它終于要量產(chǎn)了!三星電子與百度聯(lián)合宣布,昆侖芯片已經(jīng)完成所有研發(fā)工作,將在明年初投入規(guī)模量產(chǎn),采用三星14nm工藝,這也是兩家巨頭的第一次代工合作。百度昆侖芯片基于百度自研的XPU神經(jīng)處理器架構(gòu),通過(guò)三星2.5D I-Cube封裝工藝,經(jīng)由中介層(Interposer)連接SoC主芯片和兩顆HBM2高帶寬內(nèi)存,統(tǒng)一封裝在一塊基板上,提供勾搭51
          • 關(guān)鍵字: 百度  三星  14nm  飛騰  昆侖  
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          三星(samsung)介紹

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